一种半导体装置和电子设备的制作方法

文档序号:12514560阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种半导体装置,其特征在于,所述半导体装置具有:

至少一个半导体元件;

框体,其上表面载置有所述半导体元件;

导电体,其与所述半导体元件的上表面连接;

密封体,其对所述半导体元件、所述导电体以及所述框体进行密封,并使所述框体的至少部分下表面、以及所述导电体的至少部分上表面从所述密封体露出,

其中,

所述导电体是板状的金属构件。

2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述导电体包括:

第一导电体,其与所述框体的第一端子连接;以及

第二导电体,其与所述框体的第二端子连接,

其中,

所述第一导电体的延伸方向和所述第二导电体的延伸方向垂直。

3.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

所述第一端子是电连接所述半导体元件的源极的源极端子,

所述第二端子是电连接所述半导体元件的漏极的漏极端子。

4.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

所述第一导电体的厚度和所述第二导电体的厚度都大于所述框体的厚度。

5.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

所述第一导电体从所述密封体露出的表面的面积大于所述第一导电体与所述半导体元件的接触面的面积;和/或

所述第二导电体从所述密封体露出的表面的面积大于所述第二导电体与所述半导体元件的接触面的面积。

6.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

与所述第一导电体连接的所述半导体元件的发热量大于与所述第二导电体连接的所述半导体元件的发热量,并且,所述第一导电体的面积大于所述第二导电体的面积。

7.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

所述导电体具有第一端和与所述第一端相对的第二端,其中,所述第一端的宽度小于所述第二端的宽度。

8.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述导电体为环状。

9.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述导电体的从所述密封体露出的表面上具有绝缘膜。

10.一种电子设备,其具有如权利要求1-9中的任一项所述的半导体装置。

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