1.一种低破片率的LED芯片，其特征在于：所述LED芯片从下而上依次包括：
衬底，所述衬底下部设有白膜层和隐形切割纹；
位于所述衬底上的缓冲层；
位于所述缓冲层上的N型半导体层；
位于所述N型半导体上的发光层；
位于所述发光层上的P型半导体层；
位于所述P型半导体层上的电流阻挡层；
位于所述电流阻挡层上的透明导电层；
所述透明导电层上设有纳米金属层，所述纳米金属层上设有纳米金属颗粒。
2.根据权利要求1所述的一种低破片率的LED芯片，其特征在于，所述N型半导体层上设有与N型半导体层电性相连的N电极，N电极与N型半导体层接触，所述P型半导体层上设有与P型半导体层电性相连的P电极，P电极通过所述透明导电层与P型半导体层连接。
3.根据权利要求2所述的一种低破片率的LED芯片，其特征在于，所述P电极包括电极主体部及沿电极主体部向N电极一侧延伸的引脚电极。
4.根据权利要求1或3任意一项所述的一种低破片率的LED芯片，其特征在于，所述电流阻挡层位于P电极下方，所述电流阻挡层在临近于N电极一端设置为向两侧凸出的凸出结构。
5.根据权利要求1所述的一种低破片率的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层为ITO、ZITO、ZIO、GIO、ZTO、FTO、AZO、GZO中的一种或多种的组合。
6.根据权利要求1所述的一种低破片率的LED芯片，其特征在于，所述隐形切割纹的纵深为60-67μm。