技术总结
本实用新型公开了一种低破片率的LED芯片，涉及半导体芯片领域，所述LED芯片从下而上依次包括：衬底，所述衬底下部设有白膜层和隐形切割纹；位于所述衬底上的缓冲层；位于所述缓冲层上的N型半导体层；位于所述N型半导体上的发光层；位于所述发光层上的P型半导体层；位于所述P型半导体层上的电流阻挡层；位于所述电流阻挡层上的透明导电层；所述透明导电层上设有纳米金属层，所述纳米金属层上设有纳米金属颗粒，本实用新型抗静电能力强，有效的降低封装LED芯片失效的风险，提高了LED芯片的可靠性和稳定性，提高LED芯片的亮度，可降低LED芯片的破片率。
技术研发人员：黄胜明;张冬平
受保护的技术使用者：芜湖鑫芯微电子有限公司
文档号码：201621134635
技术研发日：2016.10.19
技术公布日：2017.05.24