具有保护晶圆的独立静电载具机构的制作方法

本实用新型涉及用于承载晶圆的载具机构，尤其是一种具有保护晶圆的独立静电载具机构。

背景技术：

目前由于要求电子技术趋向于轻薄短小，而且也要求电子芯片的功能越来越强大，内存的储存量越来越高，比如要求手机的厚度越来越薄，相对地里面所有的芯片厚度也必须相对的减小。尤其必须在极薄的厚度内堆集相当多片的芯片如内存芯片。所以整体上半导体制程所制成的晶圆的厚度也被压缩到极薄的程度。而在半导体制程中必须将晶圆施于各种不同的测试。而在测试过程中必须将晶圆载送到不同的测试机具上，由于晶圆的厚度微细，所以在载送过程容易产生折损或破坏，以致其内所制成的芯片也跟着报废掉。

因此有必要设计一种方式可以在晶圆的载送过程中对晶圆提供保护，而不会毁损晶圆。

因此，本实用新型提出一种崭新的静电载具，其以静电的方式载送晶圆，而对晶圆提供运送时的保护，以解决上述现有技术上的缺陷。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于解决上述现有技术上的问题，本实用新型提出一种具有保护晶圆的独立静电载具机构，在一载板上配置至少一静电电路，该静电电路可通过其连接的感应电极对连接外部的电压源，该电压源可感应该感应电极对所包括的两个感应电极端而使得该静电电路内部的电路被感应，而在该载板的表面产生静电，由于此一静电可以持续相当一段时间，因此可应用此静电将所欲承载的晶圆吸附于该载板上。因此该晶圆可以随着该载板载送到不同的测试工具上。本实用新型的载板应用优质的材料制成，不会在载送过程中造成损毁，因此可以达到保护晶圆的目的。当该晶圆所需的测试完成时，将反向的电压施加于该感应电极对，即可消除静电而可将该晶圆取出。所以通过本实用新型的载板，在整个运送过程中晶圆的损毁率可以降到最低，有效达到保护晶圆的目的。

为达到上述的目的，本实用新型提出一种具有保护晶圆的独立静电载具机构，用于承载一晶圆，该具有保护晶圆的独立静电载具机构为一独立运载的机构，不与其他机构作固定式的连接，仅用于静电连接晶圆；其中该晶圆上已制成多个芯片；该具有保护晶圆的独立静电载具机构包括：一载板，用于承载位于其上方的该晶圆；至少一静电电路，配置于该载板上，用于产生静电；其中各静电电路包括一感应电极对，该感应电极对包括两个感应电极端，该两个感应电极端分别由对应的静电电路的两端向下延伸，各感应电极端贯穿该载板，而由该载板下方露出；其中各静电电路的该感应电极对的该两个感应电极端用于连接外部的电压源的正极及负极，该电压源将感应对应的感应电极对的该两个感应电极端而使得对应的静电电路内部的电路被感应而在该载板的表面产生静电；此一静电可以持续相当一段时间，所以当该晶圆接近时，该静电可以感应该晶圆，而在近端产生极性相反的电荷分布；通过此极性相反的电荷分布与原来的静电的吸引力，可以将该晶圆吸附在该载板上，所以该载板可以承载该晶圆。

其中，该静电的电力的电场分布区域相当的小，所以只会使该晶圆的下方极薄的一层受到静电的影响，而其余的区域不会受到静电影响；所以应用静电承载该晶圆时，并不会影响该晶圆内部的其他电路。

其中，该晶圆上的该芯片为MOSFET芯片、RF芯片或功率芯片。

其中，当欲使得该晶圆脱离该载板时，则使用从外部连接的一电压源，并以其正极及负极与该载板下露的该静电电路的感应电极对的该两个感应电极端进行反接，而使得该载板的该静电电路内部的静电消失；所以该载板即不再吸附该晶圆。

其中，先在该载板预留孔洞，并在该孔洞填入导电材料，其中该导电材料以成双的方式形成，且其下方露出于该载板的下表面，以作为该静电电路的该感应电极对的该两个感应电极端；然后在该载板上镀上一层由铜、镍、金依序组合而成的薄膜材料，其中铜位于该薄膜材料与该载板接触的一端；然后应用照相蚀刻的方式，将不需要的材料蚀刻掉，而留下的原材即形成该静电电路；其中该静电电路必须对应到上述已形成的该感应电极对。

本实用新型的有益效果：

本实用新型提出一种崭新的静电载具，其以静电的方式载送晶圆，而对晶圆提供运送时的保护。

附图说明

图1为本实用新型的一实施例。

图2为图1中A-A方向的截面示意图。

图3的截面示意图为外部的一电压源连接本实用新型的感应电极对的两个感应电极端。

图4的截面示意图为外部的一电压源反接本实用新型的感应电极对的两个感应电极端。

图5为本实用新型的静电电路制程的截面示意图。

图6为图5经蚀刻后的截面示意图。

附图标记说明

10 晶圆

11 芯片

20 载板

21 孔洞

25 导电材料

30 静电电路

31 铜

32 镍

33 金

35 感应电极端

37 感应电极对

40 电压源

50 电压源

100 导电性物质

300 薄膜材料。

具体实施方式

现就本实用新型的结构组成及所能产生的功效与优点，配合附图，举本实用新型的一较佳实施例详细说明如下。

请参考图1至图6所示，为本实用新型的具有保护晶圆的独立静电载具机构，用于承载一晶圆10，该具有保护晶圆的独立静电载具机构为一独立运载的机构，不与其他机构作固定式的连接，仅用于静电连接晶圆。其中该晶圆10上已制成多个芯片11，该芯片11如MOSFET芯片、RF芯片或功率芯片等等。该具有保护晶圆的独立静电载具机构包括下列组件：

一载板20，用于承载位于其上方的该晶圆10。

至少一静电电路30，配置于该载板20上，用于产生静电。其中各静电电路30包括一感应电极对37，该感应电极对37包括两个感应电极端35，该两个感应电极端35分别由对应的静电电路30的两端向下延伸，各感应电极端35贯穿该载板20，而由该载板20下方露出。各静电电路30的该感应电极对37的该两个感应电极端35用于连接外部的电压源40的正极及负极(如图3所示)，该电压源40将感应对应的感应电极对37的该两个感应电极端35而使得对应的静电电路30内部的电路被感应而在该载板20的表面产生静电。此一静电可以持续相当一段时间，所以当有其他的导电性物质100接近时，该静电可以感应该导电性物质100，而在近端产生极性相反的电荷分布。通过此极性相反的电荷分布与原来的静电的吸引力，可以将该导电性物质100吸附在该载板20上，所以该载板20可以承载该导电性物质100。当该载板20移动时，该导电性物质100也跟着移动。本实用新型主要的导电性物质100为该晶圆10。

其中该静电的电力的电场分布区域相当的小，所以只会使该导电性物质100的下方极薄的一层受到静电的影响，而其余的区域不会受到静电影响。所以本实用新型应用静电承载该导电性物质100如该晶圆10时，并不会影响该晶圆10内部的其他电路。因为晶圆10在制造时，其制程中所产生的各种芯片11在该晶圆10的上方，而静电吸附时的电场只有感应到该晶圆10下方相当薄的区域，因此不会影响到位于该晶圆10上方的芯片11的电路。

本实用新型当欲使得该导电性物质100脱离该载板20时，则使用从外部连接的一电压源50，并以其正极及负极与该载板20下露的该静电电路30的感应电极对37的该两个感应电极端35进行反接，而使得该载板20的该静电电路30内部的静电消失(如图4所示)。所以该载板20即不再吸附该导电性物质100，而使得该导电性物质100脱离该载板20，而可达成运送的目的。

如图5所示，其中该静电电路30可以应用蚀刻制程，先在该载板20预留孔洞21，并在该孔洞21填入导电材料25如铜材料，其中该导电材料25以成双的方式形成，且其下方露出于该载板20的下表面，以作为该静电电路30的该感应电极对37的该两个感应电极端35。

如图5所示，然后在该载板20上镀上一层由铜31、镍32、金33依序组合而成的薄膜材料300，其中铜31位于该薄膜材料300与该载板20接触的一端。然后应用照相蚀刻的方式，将不需要的材料蚀刻掉，而留下的原材即形成该静电电路30(如图6所示)。其中该静电电路30必须对应到上述已形成的该感应电极对37。因此将该感应电极对37的该两个感应电极端35连接外部的该电压源40的正负极时，即可使得该静电电路30产生静电效应。

本机构主要的应用是在晶圆的载送上。如上所述，因为晶圆技术陆趋成熟，所以其厚度越来越薄。而晶圆在制程后必须经过不同的测试过程，因此必须将晶圆载送到不同的测试工具上。由于晶圆相当的薄，所以在载送过程中相当容易损毁。因此造成相当大的损失。所以本实用新型的方式及在载送时，应用本实用新型的该载板20，先将该载板20上的该静电电路30产生静电，因此当有静电时，即可吸附欲载送的该晶圆10。因为该载板20应用优质的材料制成，所以不会在载送过程中造成损毁，而达到保护该晶圆10的目的。当达成测试时，将反向的电压加到该载板20的该感应电极对37，而达到消除静电的目的。因此即可将该晶圆10取出。所以在整个过程该晶圆10的损毁率可以降到最低。在目前半导体制程要求晶圆越来越薄的趋势下，本实用新型的可产生静电的载板显然可以发挥保护晶圆的极大功效。

本实用新型的优点在于一载板上配置至少一静电电路，该静电电路可通过其连接的感应电极对连接外部的电压源，该电压源可感应该感应电极对所包括的两个感应电极端而使得该静电电路内部的电路被感应，而在该载板的表面产生静电，由于此一静电可以持续相当一段时间，因此可应用此静电将所欲承载的晶圆吸附于该载板上。因此该晶圆可以随着该载板载送到不同的测试工具上。本实用新型的载板应用优质的材料制成，不会在载送过程中造成损毁，因此可以达到保护晶圆的目的。当该晶圆所需的测试完成时，将反向的电压施加于该感应电极对，即可消除静电而可将该晶圆取出。所以通过本实用新型的载板，在整个运送过程中晶圆的损毁率可以降到最低，有效达到保护晶圆的目的。

综上所述，本实用新型人性化的体贴设计，相当符合实际需求。其具体改进现有技术的缺陷，相较于现有技术明显具有突破性的进步优点，确实具有显著的进步，本实用新型不属于现有技术，符合实用新型申请条件，恳请贵局明鉴，早日审查授权。

上述详细说明是针对本实用新型的一可行实施例的具体说明，但该实施例并非用以限制本实用新型的保护范围，凡未脱离本实用新型技艺精神所为的等效实施或变更，均应包含于本实用新型的保护范围中。