技术总结
本实用新型公开了一种衬底及外延片。所述衬底包括衬底本体及本征硅层。所述本征硅层铺设在所述衬底本体的上表面上。所述外延片包括外延层及衬底。所述衬底包括衬底本体及本征硅层。所述本征硅层铺设在所述衬底本体的上表面上。所述外延层铺设在所述本征硅层的上表面。本实用新型衬底通过在衬底本体的上表面设置本征硅层，可将衬底本体与外延层隔开，从而避免衬底本体与外延层之间产生自掺杂问题。因而，所述衬底能够防止衬底本体中的掺杂剂进入外延层，可提高外延层平坦区以改善电阻率均匀性。
技术研发人员：顾广安
受保护的技术使用者：上海晶盟硅材料有限公司
文档号码：201621144619
技术研发日：2016.10.21
技术公布日：2017.08.15