技术总结
本实用新型提供一种高集成度的低压沟槽栅DMOS器件，包括第一导电类型重掺杂衬底，在第一导电类型衬底上部存在第一导电类型外延层和第二导电类型体区；第一导电类型外延层中自上而下存在沟槽栅电极；栅电极高度凸出外延层；栅电极与第二导电类型体区通过栅氧层电绝缘；在栅电极两侧、第二导电类型体区顶部设有第一导电类型源极；栅电极与第一导电类型源极间亦通过栅氧层电绝缘；在DMOS器件正面设有源极金属，所述源极金属与第一导电类型源极和第二导电类型体区直接接触；本实用新型主要解决Trench DMOS在元胞设计尺寸缩小时遇到的接触孔套准精度不够的问题，从而最大限度的缩小元胞尺寸，降低单位面积的导通电阻。
技术研发人员：朱袁正;王根毅;张硕
受保护的技术使用者：无锡新洁能股份有限公司
文档号码：201621188364
技术研发日：2016.11.04
技术公布日：2017.04.26