本实用新型涉及贴片LED灯珠技术领域,特别是涉及一种发光均匀的贴片式LED灯珠结构。
背景技术:
在照明领域,LED光源因具有使用低压电源、能耗少、适用性强、稳定性高、响应时间短、对环境无污染、多色发光等优点,成为新一代主流照明光源。LED作为一种新型的绿色光源产品,必然是未来发展的趋势。
现有LED封装技术中的三晶串联的结构,对于国内型号SMD 2835的芯片功率是普遍是1W,现有技术中的芯片排列方式如图1所示,支架内设置有负极打线区2和正极打线区9,正极打线区9内以列的方式排列有第一芯片4、第二芯片7和第三芯片8,其中,第一芯片4的一端通过金线3与负极打线区2焊接导通,第一芯片4的另一端通过金线3与第二芯片7的一端焊接导通,第二芯片7的另一端通过金线3与第三芯片8焊接导通,第三芯片8的一端通过金线3与正极打线区9焊接导通。这种结构存在缺陷是:
1、由于第一芯片、第二芯片和第三芯片是以列的方式排列的,由于排列的位置比较集聚,现有技术一般采用小尺寸0.2W的芯片,这样的设置,不利于产品光通量的提高;一旦采用大尺寸0.2W的芯片,正极打线区内的排列就变得特别紧凑,芯片排列紧凑会对芯片的发光光效影响很大,因为热量集中,影响产品的使用寿命;
2、这种一列方式排列的结构,在实际生产过程中的难度也比较大,在固第二芯片、第三芯片时,由于排列太近,胶水容易甩到其他芯片的电极上,造成焊线出现虚焊。
鉴于现有技术存在上述的缺陷,因而亟待一种有效的解决方案解决上述缺陷。
技术实现要素:
为了解决上述现有技术存在的问题,本实用新型的目的在于提供一种贴片式LED灯珠结构,通过改变芯片的排列位置,实现提升发光光效、降低热量和提高光通量的效果,加工方便。
本实用新型采用的技术方案为:一种贴片式LED灯珠结构,包括支架,所述支架开设有凹坑,所述凹坑的底部设置有焊盘,所述凹坑的坑壁覆盖有第一反射层,所述焊盘上设置有正负极隔离线,所述正负极隔离线将焊盘划分为居于左侧的负极打线区以及居于右侧的正极打线区,所述正极打线区内设置有若干LED芯片容置区,所述每个LED芯片容置区内分别对应设置有第一芯片、第二芯片、第三芯片,所述LED芯片容置区之外的区域覆盖有第二反射层,所述负极打线区、第一芯片、第二芯片、第三芯片、正极打线区之间通过金线实现导通,其特征在于:所述第三芯片平行设置在第一芯片的下方,所述第一芯片和第三芯片之间设置有第二芯片,所述第二芯片设置在第一芯片和第三芯片的右侧。
作为优选方案,所述第一芯片与第二芯片上下之间的距离与第三芯片与第二芯片上下之间的距离相等。
作为优选方案,所述第一芯片与第二芯片左右之间的距离与第三芯片与第二芯片左右之间的距离相等。
作为优选方案,所述第一芯片、第三芯片与正负极隔离线的距离等于第二芯片与焊盘右端边的距离。
作为优选方案,所述第一芯片的阴极通过金线与负极打线区焊接导通,所述第一芯片的阳极通过金线与第三芯片的阴极焊接导通,所述第三芯片的阳极通过金线与第二芯片的阴极焊接导通,所述第二芯片的阳极通过金线与正极打线区焊接导通;所述金线3带有弧度。
作为优选方案,所述第一反射层设置为Cr或者Mo材料层;所述第二反射层设置为纳米镀银材料层。
本实用新型的有益效果是:
第一、所述第三芯片平行设置在第一芯片的下方,所述第一芯片和第三芯片之间设置有第二芯片,所述第二芯片设置在第一芯片和第三芯片的右侧,这样成品字形的结构设置,使芯片之间的距离加大,芯片的温度更加均匀地分布在焊盘,从容降低对发光的影响,从而提升光通量;
第二、所述第一芯片的一端通过金线与负极打线区焊接导通,所述第一芯片的另一端通过金线与第三芯片的一端焊接导通,所述第三芯片的另一端通过金线与第二芯片的一端焊接导通,所述第二芯片的另一端通过金线与正极打线区焊接导通,通过这样的金线焊接方式,避免了旧有技术因为芯片与芯片之间排位太近而导致胶水容易甩到其他芯片的电极上造成焊线虚焊的情况,提升产品的质量。
附图说明
图1是现有技术的结构示意图。
图2是本实用新型的结构示意图。
其中:
支架-1 负极打线区-2 金线-3
第一芯片-4 焊盘-5 正负极隔离线-6
第二芯片-7 第三芯片-8 正极打线区-9
第一反射层-10
具体实施方式
下面结合附图与实施例对本实用新型的技术方案进行说明。本实用新型的描述中,需要说明的是,术语“左侧”“右侧”、“下方”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,术语“第一”、“第二”、第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
参照图2所示,一种贴片式LED灯珠结构,包括支架1,所述支架1开设有凹坑,所述凹坑的底部设置有焊盘5,所述凹坑的坑壁覆盖有第一反射层10,焊盘5上设置有正负极隔离线6,正负极隔离线6将焊盘5划分为居于左侧的负极打线区2以及居于右侧的正极打线区9,正极打线区9内设置有若干LED芯片容置区,所述每个LED芯片容置区内分别对应设置有第一芯片4、第二芯片7、第三芯片8,所述LED芯片容置区之外的区域覆盖有第二反射层(图中未表示出来),负极打线区2、第一芯片4、第二芯片7、第三芯片8、正极打线区9之间通过金线3实现导通,第三芯片8平行设置在第一芯片4的下方,所述第一芯片4和第三芯片8之间设置有第二芯片7,所述第二芯片7设置在第一芯片4和第三芯片8的右侧。第一芯片4与第二芯片7以及第二芯片7与第三芯片8之间比旧有技术一列设置的距离要大,第一芯片4、第二芯片7、第三芯片8形成品字形的结构,使第一芯片4、第二芯片7、第三芯片8的温度更加均匀地分布在焊盘,从容降低对发光的影响,从而提升光通量。
第一芯片4的阴极通过金线3与负极打线区2焊接导通,第一芯片4的阳极通过金线3与第三芯片8的阴极焊接导通,第三芯片8的阳极通过金线3与第二芯片7的阴极焊接导通,第二芯片7的阳极通过金线3与正极打线区9焊接导通。避免了旧有技术因为第一芯片4与第二芯片7、第三芯片8之间排位太近而导致胶水容易甩到芯片的电极上造成焊线虚焊的情况,提升产品的质量。
作为优选的实施方式,第一芯片4与第二芯片7上下之间的距离与第三芯片8与第二芯片7上下之间的距离相等,第一芯片4与第二芯片7左右之间的距离与第三芯片8与第二芯片7左右之间的距离相等,第一芯片4、第三芯片8与正负极隔离线6的距离等于第二芯片7与焊盘5右端边的距离。这样的结构设置,进一步让芯片均布在焊盘5上,使热量均匀分布在支架上,芯片的温度分布也相对比较合理,从而提升产品的质量。
作为优选方案,所述金线3带有弧度,避免封胶时胶水产生内应力崩断金线3。
作为优选方案,第一反射层10设置为Cr或者Mo材料层,提高光反射率;第二反射层设置为纳米镀银材料层,导热效果良好,反射率高。
上述实施例仅是显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本实用新型的原理,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。