1.用于去除在选择性外延生长工艺期间形成的核的方法，包括：
在具有一个或多个掩膜层的衬底上外延生长一个或多个半导体结构的第一集合，其中，多个半导体结构的第二集合形成在一个或多个掩膜层上；
在所述一个或多个半导体结构的第一集合上形成一个或多个保护层，其中，所述多个半导体结构的第二集合的至少一个子集从所述一个或多个保护层暴露；以及，
在所述一个或多个半导体结构的第一集合上形成所述一个或多个保护层之后，对所述多个半导体结构的第二集合的至少一个子集进行刻蚀。
2.根据权利要求1所述的方法，包括：
在所述一个或多个保护层形成在所述一个或多个半导体结构的第一集合上之前，放弃对所述多个半导体结构的第二集合的至少一个子集的刻蚀。
3.根据权利要求1或2所述的方法，包括：
在开始所述衬底上的所述一个或多个半导体结构的第一集合的外延生长之后，放弃对所述多个半导体结构的第二集合的至少一个子集进行的刻蚀，直到在所述一个或多个半导体结构的第一集合上形成所述一个或多个保护层为止。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中，所述一个或多个半导体结构的第一集合在单个的外延生长工艺中形成。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其中：
所述一个或多个保护层包括一个或多个光刻胶层。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的方法，包括：
在形成所述一个或多个保护层之前，至少在所述一个或多个半导体结构的第一集合上沉积一个或多个粘结层。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述一个或多个粘结层包括六甲基二硅烷和/或低温热氧化物。
8.根据权利要求6或7所述的方法，包括：
在对所述多个半导体结构的第二集合的至少一个子集进行刻蚀后，去除所述一个或多个粘结层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述一个或多个保护层和所述一个或多个粘结层被同时去除。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，在去除所述一个或多个粘结层的至少部分后，去除所述一个或多个保护层。
11.根据权利要求1-10中任一项所述的方法，还包括：
在对所述多个半导体结构的第二集合的至少一个子集进行刻蚀后，去除所述一个或多个保护层。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的方法，还包括：
在对所述多个半导体结构的第二集合的至少一个子集进行刻蚀后，对所述一个或多个半导体结构的第一集合的至少一个子集进行平坦化。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，包括：
当在具有一个或多个掩膜层的所述衬底上外延生长所述一个或多个半导体结构的第一集合时，在所述一个或多个掩膜层上形成多个半导体颗粒。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的方法，其中，所述多个半导体结构的第二集合包括所述一个或多个掩膜层上的一个或多个半导体薄膜。
15.根据权利要求1-14中任一项所述的方法，其中，所述一个或多个半导体结构的第一集合包括IV族材料。
16.根据权利要求1-15中任一项所述的方法，其中，所述一个或多个半导体结构的第一集合包括锗。
17.根据权利要求1-16中任一项所述的方法，其中，所述一个或多个半导体结构的第一集合形成在从所述一个或多个掩膜层暴露的所述衬底的一个或多个区域上。
18.根据权利要求1-17中任一项所述的方法，其中，所述一个或多个半导体结构的第一集合具有晶体结构并且所述多个半导体结构的第二集合具有非晶和/或多晶结构。
19.根据权利要求1-18中任一项所述的方法，其中，所述一个或多个掩膜层包括电介质材料。
20.根据权利要求1-19中任一项所述的方法，其中，所述一个或多个掩膜层包括二氧化硅。
21.根据权利要求1-20中任一项所述的方法，其中，对所述多个半导体结构的第二集合的至少一个子集进行刻蚀包括以第一速率对所述多个半导体结构的第二集合的至少一个子集进行刻蚀并且以低于所述第一速率的第二速率对所述一个或多个掩膜层进行刻蚀。
22.根据权利要求1-21中任一项所述的方法，其中，对所述多个半导体结构的第二集合的至少一个子集进行刻蚀包括放弃对所述一个或多个掩膜层的刻蚀。
23.根据权利要求1-22中任一项所述的方法，其中，所述衬底包括其上的多个半导体器件。
24.根据权利要求23所述的方法，其中，所述多个半导体器件位于所述一个或多个掩膜层下的所述衬底上。
25.根据权利要求23或24所述的方法，其中，所述衬底包括其上的多个晶体管并且所述一个或多个半导体结构的第一集合中的半导体结构电耦合到所述多个晶体管中的晶体管的源或漏。
26.根据权利要求25所述的方法，其中，所述衬底包括其上的多个互补金属氧化物半导体器件，包括p型金属氧化物半导体晶体管和n形金属氧化物半导体晶体管。
27.根据权利要求26所述的方法，包括：
将所述一个或多个半导体结构的第一集合中的第一半导体结构电耦合到以下中的一个的源或漏：所述p型金属氧化物半导体晶体管或所述n型金属氧化物半导体晶体管。
28.根据权利要求1-27中任一项所述的方法，其中，所述一个或多个半导体结构的第一集合以及所述多个半导体结构的第二集合被同时形成。
29.根据权利要求1-28中任一项所述的方法，其中，所述一个或多个半导体结构的第一集合中的第一半导体结构大于所述多个半导体结构的第二集合中的第二半导体结构。
30.根据权利要求1-29中任一项所述的方法，包括：
对从所述一个或多个保护层暴露的所述多个半导体结构的第二集合的整个子集进行刻蚀。