技术总结
用于去除在选择性外延生长工艺期间形成的核的方法包括在具有一个或多个掩膜层的衬底上外延生长一个或多个半导体结构的第一集合。多个半导体结构的第二集合形成在一个或多个掩膜层上。该方法还包括在一个或多个半导体结构的第一集合上形成一个或多个保护层。多个半导体结构的第二集合的至少一个子集从一个或多个保护层暴露。该方法还包括，在一个或多个半导体结构的第一集合上形成一个或多个保护层之后，对多个半导体结构的第二集合的至少一个子集进行刻蚀。
技术研发人员：李齐珩;罗栗;金映植;郑宇植
受保护的技术使用者：思哲科技有限公司
文档号码：201680000867
技术研发日：2016.05.23
技术公布日：2017.05.10