技术特征：
技术总结
公开了用于使用二次离子质谱(SIMS)的半导体计量和表面分析的系统和方法。在实例中，二次离子质谱(SIMS)系统包括样品台。一次离子束被引导至样品台。提取透镜对准样品台。配置提取透镜为从样品台上的样品发射的二次离子提供低提取场。磁扇区光谱仪沿着SIMS系统的光学路径耦合到提取透镜。磁扇区光谱仪包括耦合到磁扇区分析仪(MSA)的静电分析仪(ESA)。
技术研发人员：戴维·A·雷德;布鲁诺·W·许勒尔;布鲁斯·H·纽科姆;罗德尼·斯梅德特;克里斯·贝维斯
受保护的技术使用者：瑞沃拉公司
技术研发日：2016.02.10
技术公布日：2017.12.05