技术特征：
技术总结
一种多块半导体器件包括以彼此不同的功率状态操作的第一块和第二块。密封环围绕管芯的周边，以气密地密封第一块和第二块。管芯具有基底和绝缘层，密封环在绝缘层上。密封环用作第一块而不是第二块的电源总线。密封环和第一块电耦合到第一接地节点，第一接地节点在管芯级别上与多块半导体器件中的其他接地节点电隔离。在一些实施例中，第二块位于管芯的中央区域中，并且多条金属线将密封环电连接到第一块，金属线围绕半导体管芯的大部分周边而均匀地间隔开。
技术研发人员：C·N·布林德尔;A·阿里亚加达
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2016.06.29
技术公布日：2018.03.27