使用ALD和高密度等离子体CVD形成气隙密封件的系统和方法与流程

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年2月5日提交的美国临时申请no.62/291,771的权益。上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。

本公开涉及衬底处理系统，并且更具体地涉及用于使用原子层沉积(ald)和高密度等离子体(hdp)化学气相沉积(cvd)形成气隙(airgap)密封件的系统和方法。

背景技术：

这里提供的背景描述是为了一般地呈现本公开的背景的目的。在该背景技术部分以及在提交时不会以其他方式认为是现有技术的描述的方面中描述的程度上，目前署名的发明人的工作既不明确地也不隐含地被承认为针对本公开的现有技术。

衬底处理系统可用于沉积和蚀刻衬底(例如半导体晶片)上的膜。衬底处理系统通常包括处理室、气体分配装置和衬底支撑件。在处理期间，衬底被布置在衬底支撑件上。可以将不同的气体混合物引入到处理室中，并且射频(rf)等离子体可以用于激活化学反应。

随着栅极间距减小，晶体管的栅极之间的寄生电容变得越来越重要。寄生电容不利地影响功耗和切换速度。已经做出努力来减小栅极堆叠的介电常数(k)。位于栅极和源极/漏极接触件之间的间隔膜也可以影响栅极堆叠的有效k值。减小栅极堆叠的有效k值的当前建议包括降低用于栅极或间隔件的膜的k值或在间隔膜中形成气隙。

由于空气的低介电常数k值，已经使用在间隔膜中形成气隙。挑战包括形成气隙、在特征内足够低地掩埋和密封气隙使得气隙在随后的化学机械抛光(cmp)期间保持密封且受保护的。此外，应提供足够的过蚀刻裕度(over-etchmargin)。常规化学气相沉积(cvd)工艺可用于形成气隙。然而，由cvd工艺产生的气隙在诸如沟槽的特征内部没有被足够低地掩埋，并且在随后的处理期间可能发生损坏。

现在参考图1-3，示出了用于在间隔件中形成气隙的方法的示例。在图1中，衬底50包括底层52和设置在底层52上的金属栅极54-1和54-2以及源极/漏极接触件56。自对准接触件(sac)58-1和58-2分别布置在金属栅极54-1和54-2上。间隔件60-1、60-2、60-3和60-4(统称为间隔件60)布置在金属栅极54-1和54-2与源极/漏极接触件56之间。间隔件60可以由硅氮化物(sin)、二氧化硅(sio2)或另一类型的膜制成。

参照图2，执行选择性蚀刻以去除间隔件60。在图3中，间隔件70-1、70-2、70-3和70-4(统称为间隔件70)被沉积并且包括气隙72-1、72-2、72-3和72-4(统称为气隙72)。然而，气隙72通常相对靠近间隔件70的上表面定位。结果，如果在化学机械抛光(cmp)期间暴露气隙，则可能发生缺陷。此外，期望增加的过蚀刻裕度。

技术实现要素：

一种用于处理衬底以形成气隙的方法，其包括：a)提供包括第一沟槽和第二沟槽的衬底；b)在所述衬底上沉积共形层；c)执行溅射和再沉积以在与所述第一沟槽和所述第二沟槽的上开口间隔开的位置处至少部分地夹断(pinchoff)所述第一沟槽和所述第二沟槽的上部；以及d)执行溅射/沉积以密封所述第一沟槽和所述第二沟槽中的第一和第二气隙。

在其它特征中，使用没有膜前体的第一高密度等离子体(hdp)化学气相沉积(cvd)工艺来执行c)。

在其它特征中，使用具有膜前体的第二高密度等离子体(hdp)化学气相沉积(cvd)工艺来执行d)。

在其它特征中，所述衬底包括：布置在底层上的第一金属栅极，布置在所述底层上的第二金属栅极，以及布置在所述第一金属栅极和所述第二金属栅极之间的接触件。所述第一沟槽位于所述第一金属栅极和所述接触件之间。所述第二沟槽位于所述第二金属栅极和所述接触件之间。

在其它特征中，第一自对准接触层布置在所述第一金属栅极上，并且第二自对准接触件布置在所述第二金属栅极上。所述方法包括使用原子层沉积来沉积所述共形层。

在其它特征中，所述第一沟槽和所述第二沟槽具有第一高宽比。在沉积所述共形层之后，所述第一沟槽和所述第二沟槽具有第二高宽比。所述第二高宽比大于所述第一高宽比。

一种用于处理衬底以形成气隙的方法，其包括：a)提供包括具有第一高宽比的特征的衬底；b)在所述衬底上沉积共形层。在沉积所述共形层之后，所述特征具有第二高宽比。所述第二高宽比大于所述第一高宽比。所述方法包括：c)使用没有膜前体的第一高密度等离子体(hdp)化学气相沉积(cvd)工艺执行溅射和再沉积，以在与所述特征的上开口间隔开的位置处至少部分地夹断所述特征的上部；以及d)使用具有膜前体的第二hdpcvd工艺执行溅射/沉积，以密封所述特征中的第一和第二气隙。

在其它特征中，所述衬底包括：设置在底层上的第一金属栅极；设置在所述底层上的第二金属栅极；以及设置在所述第一金属栅极和所述第二金属栅极之间的接触件。特征包括位于所述第一金属栅极和所述接触件之间的第一沟槽和位于所述第二金属栅极和所述接触件之间的第二沟槽。第一自对准接触层设置在所述第一金属栅极上。第二自对准接触布置在所述第二金属栅极上。

在其它特征中，所述方法包括使用原子层沉积来沉积所述共形层。

一种用于处理衬底以形成气隙的方法，其包括：a)提供衬底，所述衬底包括：设置在底层上的第一金属栅极，设置在所述底层上的第二金属栅极，设置在所述第一金属栅极和第二金属栅极之间的接触件，位于所述第一金属栅极和所述接触件之间的第一沟槽，位于所述第二金属栅极和所述接触件之间的第二沟槽，布置在所述第一金属栅极上的第一自对准接触层，以及布置在所述第二金属栅极上的第二自对准接触件。所述方法还包括：b)在所述衬底上沉积共形层；c)使用第一高密度等离子体(hdp)化学气相沉积(cvd)工艺执行溅射和再沉积，以在与所述第一沟槽和所述第二沟槽的上开口间隔开的位置处至少部分地夹断所述第一沟槽和所述第二沟槽的上部；以及d)使用第二hdpcvd工艺执行溅射/沉积，以密封所述第一沟槽和所述第二沟槽中的第一和第二气隙。

在其它特征中，所述方法包括使用原子层沉积来沉积所述共形层。所述第一沟槽和所述第二沟槽具有第一高宽比。在沉积所述共形层之后，所述第一沟槽和所述第二沟槽具有第二高宽比。所述第二高宽比大于所述第一高宽比。

具体而言，本发明的一些方面可以阐述如下：

1.一种用于处理衬底以形成气隙的方法，其包括：

a)提供包括第一沟槽和第二沟槽的衬底；

b)在所述衬底上沉积共形层；

c)执行溅射和再沉积以在与所述第一沟槽和所述第二沟槽的上开口间隔开的位置处至少部分地夹断所述第一沟槽和所述第二沟槽的上部；以及

d)执行溅射/沉积以密封所述第一沟槽和所述第二沟槽中的第一和第二气隙。

2.根据条款1所述的方法，其中使用第一高密度等离子体(hdp)化学气相沉积(cvd)工艺来执行c)，所述第一高密度等离子体(hdp)化学气相沉积(cvd)工艺使用没有膜前体的等离子体气体。

3.根据条款2所述的方法，其中所述等离子体气体包括氦(he)。

4.根据条款1所述的方法，其中使用第二高密度等离子体(hdp)化学气相沉积(cvd)工艺来执行d)。

5.根据条款4所述的方法，其中所述第二hdpcvd工艺使用包括膜前体的等离子体气体。

6.根据条款4所述的方法，其中所述第二hdpcvd工艺使用包括硅烷(sih4)、分子氢(h2)、氦(he)、氩(ar)和分子氧(o2)的等离子体气体混合物。

7.根据条款1所述的方法，其中所述衬底包括：

布置在底层上的第一金属栅极；

布置在所述底层上的第二金属栅极；以及

布置在所述第一金属栅极和所述第二金属栅极之间的接触件，

其中所述第一沟槽位于所述第一金属栅极和所述接触件之间，并且其中所述第二沟槽位于所述第二金属栅极和所述接触件之间。

8.根据条款7所述的方法，其还包括：

设置在所述第一金属栅极上的第一自对准接触层；以及

设置在所述第二金属栅极上的第二自对准接触件。

9.根据条款1所述的方法，其还包括使用原子层沉积来沉积所述共形层。

10.根据条款1所述的方法，其中：

所述第一沟槽和所述第二沟槽具有第一高宽比；

在沉积所述共形层之后，所述第一沟槽和所述第二沟槽具有第二高宽比；并且

所述第二高宽比大于所述第一高宽比。

11.一种用于处理衬底以形成气隙的方法，其包括：

a)提供包括具有第一高宽比的特征的衬底；

b)在所述衬底上沉积共形层，其中所述特征在沉积所述共形层之后具有第二高宽比，并且其中所述第二高宽比大于所述第一高宽比；

c)使用没有膜前体的第一高密度等离子体(hdp)化学气相沉积(cvd)工艺执行溅射和再沉积，以在与所述特征的上开口间隔开的位置处至少部分地夹断所述特征的上部；以及

d)使用具有膜前体的第二hdpcvd工艺执行溅射/沉积，以密封所述特征中的气隙。

12.根据条款11所述的方法，其中所述第一hdpcvd工艺包括包含氦(he)的等离子体气体混合物。

13.根据条款11所述的方法，其中所述第二hdpcvd工艺使用包括硅烷(sih4)、分子氢(h2)、氦(he)、氩(ar)和分子氧(o2)的等离子体气体混合物。

14.根据条款11所述的方法，其中所述衬底包括：

布置在底层上的第一金属栅极；

布置在所述底层上的第二金属栅极；以及

布置在所述第一金属栅极和所述第二金属栅极之间的接触件，

其中所述特征包括位于所述第一金属栅极和所述接触件之间的第一沟槽以及位于所述第二金属栅极和所述接触件之间的第二沟槽。

15.根据条款14所述的方法，其还包括：

设置在所述第一金属栅极上的第一自对准接触层；和

设置在所述第二金属栅极上的第二自对准接触件。

16.根据条款11所述的方法，其还包括使用原子层沉积来沉积所述共形层。

17.一种用于处理衬底以形成气隙的方法，其包括：

a)提供衬底，所述衬底包括：布置在底层上的第一金属栅极，布置在所述底层上的第二金属栅极，布置在所述第一金属栅极和所述第二金属栅极之间的接触件，位于所述第一金属栅极和所述接触件之间的第一沟槽，位于所述第二金属栅极和所述接触件之间的第二沟槽，布置在所述第一金属栅极上的第一自对准接触层，以及布置在所述第二金属栅极上的第二自对准接触件；

b)在所述衬底上沉积共形层；

c)使用第一高密度等离子体(hdp)化学气相沉积(cvd)工艺执行溅射和再沉积，以在与所述第一沟槽和所述第二沟槽的上开口间隔开的位置处至少部分地夹断所述第一沟槽和所述第二沟槽的上部；以及

d)使用第二hdpcvd工艺执行溅射/沉积以密封所述第一沟槽和所述第二沟槽中的第一和第二气隙。

18.根据条款17所述的方法，其中所述第一hdpcvd工艺使用包括氦(he)的没有膜前体的等离子体气体。

19.根据条款17所述的方法，其中所述第二hdpcvd工艺使用包括膜前体的等离子体气体。

20.根据条款17所述的方法，其中所述第二hdpcvd工艺使用包括硅烷(sih4)、分子氢(h2)、氦(he)、氩(ar)和分子氧(o2)的等离子体气体混合物。

21.根据条款17所述的方法，其还包括使用原子层沉积来沉积所述共形层。

22.根据条款17所述的方法，其中：

所述第一沟槽和所述第二沟槽具有第一高宽比；

在沉积所述共形层之后，所述第一沟槽和所述第二沟槽具有第二高宽比；并且

所述第二高宽比大于所述第一高宽比。

根据详细描述、权利要求和附图，本公开的其它应用领域将变得显而易见。详细描述和具体示例仅意图用于说明的目的，并且不旨在限制本公开的范围。

附图说明

从详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：

图1是根据现有技术的包括金属栅极、源极/漏极接触件和间隔件的衬底的侧面剖视图；

图2是根据现有技术蚀刻间隔件之后的图1的衬底的侧面剖视图；

图3是根据现有技术在沉积包括气隙的间隔件之后的图2的衬底的侧面剖视图；

图4是根据本公开在沉积共形层以增加特征的高宽比之后的图2的衬底的侧面剖视图；

图5是根据本公开使用hdpcvd预溅射/沉积以产生尖突(cusp)之后的图4的衬底的侧面剖视图；

图6是通过hdpcvd溅射/沉积以密封气隙之后的图5的衬底的侧面剖视图；

图7示出了用于在衬底的间隔件中形成气隙的方法的示例的流程图；以及

图8是根据本公开用于在图5和图6中执行预溅射和沉积的衬底处理室的示例的功能框图。

在附图中，附图标记可以重复使用以标识类似和/或相同的元件。

具体实施方式

根据本公开的系统和方法可以用于使用原子层沉积(ald)和高密度等离子体(hdp)化学气相沉积(cvd)在间隔膜中形成气隙。更具体地，气隙在特征中的相对低的位置处产生，使得产生足够的过蚀刻裕度，并且在随后的处理期间损坏的可能性被显著减小。

现在参考图4，示出根据本公开的衬底100，并且其包括沉积在图2的衬底上的共形层104。共形层104增加特征(例如沟槽)的高宽比(ar)。共形层104还在下面描述的后续处理步骤中的溅射期间对底层提供保护。

现在参考图5，使用没有膜前体的hdpcvd来执行预溅射，以产生夹断特征的一部分的尖突110或凸起部分。可以理解，预溅射将材料从共形层的上部位置溅射并再沉积到特征内部的下部位置。换句话说，尖突110被创建在位于sac58-1和58-2的区域下方间隔开的位置处。此外，尖突110位于特征的相对表面上，以产生可在随后的沉积步骤期间被填充的夹点(pinchpoint)。在一些示例中，在hdpcvd处理室(例如下面结合图8描述的衬底处理室)中执行预溅射。

现在参考图6，通过具有膜前体的hdpcvd执行溅射/沉积以封闭和密封位于金属栅极54-1和54-2与源极/漏极接触件56之间的间隔膜122内的气隙120-1和120-2。可以理解，间隔膜122内的气隙120-1和120-2的位置显著低于可能使用其它方法形成的气隙的位置。在一些示例中，在hdpcvd处理室(例如下面结合图8描述的衬底处理室)中执行hdpcvd沉积。

现在参考图7，示出了用于在衬底的间隔膜中形成气隙的方法200。在202，提供衬底。在一些示例中，衬底包括金属栅极、在金属栅极之间间隔开的一个或多个源极/漏极接触件、以及布置在金属栅极上的sac帽(cap)。在204，通过使用ald在衬底上沉积共形层来增加衬底的特征的高宽比。共形层104还在下面描述的后续处理步骤中的溅射期间对底层提供保护。在210，使用hdpcvd等离子体执行预溅射，以通过在特征中较低的位置处的溅射和再沉积来形成尖突。在214，以高溅射/沉积比执行hdpcvd以封闭或掩埋在金属栅极之间的间隔件中的气隙。

现在参考图8，可以用于上述预溅射和沉积步骤的衬底处理室300的示例。衬底处理室300包括半球形圆顶304和用于支撑衬底314的衬底支撑件312。尽管示出了半球形圆顶，但是处理室可以具有其他形状，例如椭圆形、平顶等。在一些示例中，衬底包括静电卡盘(esc)，但是可以使用其它衬底支撑件。线圈316布置在半球形圆顶304的外表面周围。一个或多个上气体注射器320将工艺气体混合物以向下和/或向外方向注入半球形圆顶304的上部。一个或多个下气体注射器324布置在半球形圆顶304的下部中，以相对于半球形圆顶304和衬底312以向上且向内的方向注入工艺气体混合物。仅作为示例，下气体注射器324可以包括36个气体注射器，其围绕半球形圆顶304的下周边均匀间隔开。

气体输送系统330将工艺气体混合物供应到上气体注射器320和下气体注射器324。气体输送系统330可包括一个或多个气体源、质量流量控制器、阀和歧管。rf线圈偏置电路334向感应线圈316提供rf功率以在半球形圆顶304内产生等离子体318。衬底支撑件偏置电路336将rf功率提供给衬底支撑件312。衬底支撑件温度控制电路338控制衬底支撑件312在衬底处理期间的温度。衬底温度控制电路338可以包括用于将加热和/或冷却流体输送到衬底支撑件312中的流动通道的系统、电阻加热器和/或用于控制衬底支撑件312的温度的其他装置。

实施例

虽然下面描述了共形沉积工艺的具体示例，但是可以使用其他共形沉积工艺。在一些示例中，共形层由使用ald沉积至40埃厚度(但也可使用其它厚度)的sio2膜制成。在一些示例中，ald工艺在约400℃的沉积温度下进行。在一些示例中，执行多个ald循环。每个ald循环包括配量阶段(dosestage)、吹扫阶段、等离子体转换阶段和rf吹扫阶段。在配量阶段期间，将二氧化硅前体气体(诸如2nte)供应到处理室以暴露衬底。以9标准升/分钟(slm)供应载气0.3s的时间。在吹扫阶段期间，供应分子氮(n2)气体0.3s的时间。在等离子体转化阶段期间，以10slm供应氧化剂气体(例如分子氧(o2)和一氧化二氮(n2o)的混合物)，并且等离子体被撞击(strike)0.3s的时间，然后熄灭。在rf吹扫阶段期间，分子氮气体被供应0.09s的时间。

虽然下面描述了预溅射工艺的具体示例，但是可以使用其它预溅射工艺。在一些示例中，使用上述衬底处理室300。氦气以1000sccm被供应，并且等离子体被撞击。基座布置在下气体注射器324的喷射位置(其大致对应于等离子体的下部位置)下方约2.5”处。从上气体注射器320供应约30％的工艺气体混合物，并且由下气体注射器324供应剩余气体。感应线圈316由低频(lf)和中频(mf)功率激励。在一些示例中，lf功率具有在从340到375khz的范围内的频率，mf功率具有从420到460khz的频率。在一些示例中，lf功率是6000w，而mf功率是3000w。衬底支撑件由hf功率激发。在一些示例中，hf功率具有13.56mhz的频率。在一些示例中，hf功率以1000w提供，但是可以使用其他功率电平。

虽然下面描述了沉积工艺的具体示例，但是可以使用其他沉积工艺。在一些示例中，将包括硅烷(sih4)、分子氢(h2)、氦(he)、氩(ar)和分子氧(o2)的气体混合物供应到处理室。在一些示例中，以30sccm供应sih4，以275sccm供应h2，以500sccm供应he，以200sccm供应ar，并以45sccm供应o2。基座被布置在距下气体注射器324的喷射位置(其大致对应于等离子体的下部位置)约2.5”处。从上气体注射器320供应约18％的工艺气体混合物，并且由下气体注射器324供应剩余气体。感应线圈由低频(lf)和中频(mf)的rf功率激发。基座由高频(hf)的rf功率偏置。在一些示例中，lf功率是3200w，mf功率是1050w，并且hf功率是2500w，但是可以使用其他功率电平。

前面的描述本质上仅仅是说明性的，并且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，虽然本公开包括特定示例，但是本公开的真实范围不应当被如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方式在上面被描述为具有某些特征，但是相对于本公开的任何实施方式描述的那些特征中的任何一个或多个，可以在任何其它实施方式的特征中实现和/或与任何其它实施方式的特征组合，即使该组合没有明确描述。换句话说，所描述的实施方式不是相互排斥的，并且一个或多个实施方式彼此的置换保持在本公开的范围内。

使用各种术语来描述元件之间(例如，模块之间、电路元件之间、半导体层之间等)的空间和功能关系，各种术语包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“紧挨”、“在...顶部”、“在...上面”、“在...下面”和“设置”。除非将第一和第二元件之间的关系明确地描述为“直接”，否则在上述公开中描述这种关系时，该关系可以是直接关系，其中在第一和第二元件之间不存在其它中间元件，但是也可以是间接关系，其中在第一和第二元件之间(在空间上或功能上)存在一个或多个中间元件。如本文所使用的，短语“a、b和c中的至少一个”应当被解释为意味着使用非排他性逻辑或(or)的逻辑(a或b或c)，并且不应被解释为表示“a中的至少一个、b中的至少一个和c中的至少一个”。

在一些实现方式中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何工艺，包括工艺气体的输送、温度设置(例如加热和/或冷却)、压力设置、真空设置、功率设置、射频(rf)发生器设置、rf匹配电路设置、频率设置、流率设置、流体输送设置、位置和操作设置、进出工具和其他输送工具和/或连接到特定系统或与特定系统接口的装载锁的晶片输送。

概括地说，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用终点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(dsp)、定义为专用集成电路(asic)的芯片、和/或一个或多个微处理器、或执行程序指令(例如，软件)的微控制器。程序指令可以是以各种单独设置(或程序文件)的形式输送到控制器的指令，单独设置(或程序文件)定义用于在半导体晶片上或针对半导体晶片或系统执行特定工艺的操作参数。在一些实施方式中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。

在一些实现方式中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或在晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分中，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、从多个制造操作研究趋势或性能度量，以改变当前处理的参数、设置要跟随当前处理的处理步骤、或者开始新的处理。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供工艺配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或设置的用户接口，然后将该参数和/或设置从远程计算机输送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的工艺的类型和工具的类型，控制器被配置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的工艺和控制)工作的一个或多个离散控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)定位的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的工艺。

示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(pvd)室或模块、化学气相沉积(cvd)室或模块、原子层沉积(ald)室或模块、原子层蚀刻(ale)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。

如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。