专利名称：用于半导体处理系统的注气装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体处理系统，尤其是涉及一种用于将反应气体供入反应腔室内的注气装置，所述反应气体用于对半导体基片进行处理。
背景技术：
近年来，诸如等离子体处理系统或者磁控管溅射系统的半导体加工系统已经被广泛应用于在半导体基片上执行的显微机械加工工艺中，来制造半导体器件或者平面显示板。例如，等离子体增强型化学汽相沉积(PECVD)系统或者高密度等离子体CVD(HDP-CVD)系统已经被广泛用于通过化学汽相沉积(CVD)在基片上沉积一个材料层。磁控管溅射系统已经被广泛用于通过物理汽相沉积(PCD)在基片上沉积一个材料层。
半导体处理系统的发展方向是最能适合于用于半导体处理工艺的各种工艺特性。尤其是，随着基片直径的增大，近年来在半导体处理系统上的研究集中在如何处理大尺寸的基片以获得提高的产量。也就是说，随着晶片尺寸从200毫米变化至300毫米，对于晶片处理工艺来说尤其需要提高在大晶片上的均匀度。为了获得预期的均匀度，最重要的是在通过一个用于半导体处理系统的注气装置将反应气体供入一个反应腔室内时，使得这种反应气体均匀地分布在整个反应腔室中。
因此，为了通过注气装置实现气体的均匀分布，迄今为止已经研究出了多种不同类型的注气装置。作为一个示例，美国专利No.5522931描述了一种注气装置，其具有沿着一个垂直于基片的方向以多个级别设置的多个喷嘴。与较低级别的气体分配喷嘴相比，较高级别的气体分配喷嘴朝向反应腔室中部的延伸距离更长。这种注气装置也许在实现气体均匀分布方面是有效的，但是由于朝向反应腔室内部延伸的那部分喷嘴的存在，所以易于阻挡离子流流向基片。
作为另外一个示例，美国专利No.6432831描述了一种莲蓬头型注气装置。在这种注气装置中，气体通过隔板和穿孔被供送至一个莲蓬头，以便在莲蓬头的整个后侧提供均匀的气体压力分布。莲蓬头型注气装置的另外一种示例在美国专利No.6415736中公开。在这种注气装置中，隔板上的穿孔尺寸可以发生变化，用以在莲蓬头的后侧获得均匀的气体压力分布。但是，由于气体压力和流量的范围很宽，所以难以对这些系统进行优化。另外一个缺点在于，莲蓬头型注气装置仅适合于平行板式等离子体反应器，而无法应用于磁控管溅射系统。还有，当用于一个电子回旋谐振式(ECR)等离子体反应器中时，位于反应腔室上部的莲蓬头会阻挡微波的传播。对于ECR等离子体反应器和其它实际应用来说，通常使用一种环状注气装置，这种环状注气装置的示例在图1中示出。
在图1中示出的环状注气装置10具有一个形成于其中的气体通道14，从而使得反应气体可以穿过该气体通道14，一个在其外周处连接于气体通道14上的进气口12，以及多个位于其内周处的喷嘴16。所述多个喷嘴16沿着注气装置10的内周均匀地间隔开。
注气装置10被构造成形成一条气体通路，该气体通路通过气体通道14连接进气口12和多个喷嘴16中的每个上。对于各个喷嘴16来说，均具有不同长度的各通路。由于在反应气体与气体通道14的壁发生碰撞之后会产生压降，所以气体通路的差异会导致各个喷嘴处的反应气体压力存在差异。这将使得穿过各个喷嘴16的气体流量不均匀。
图2是一个曲线图，示出了在图1所示注气装置中各个喷嘴处的气体压力和流量。在该图中，进气口12被标记为数字“0”，而喷嘴被以它们沿着注气装置内周的设置顺序依次标记为数字“1”至“16”。
图2中的图示出了当在反应腔室内压力为10mTorr的条件下以每分钟100标准立方厘米(sccm)的流量供送O2气体时对气体压力和流量进行计算的结果。气体通道具有一个1×4毫米的矩形横剖面，并且各个喷嘴的直径均为0.5毫米，长度均为2毫米。气体通道被制成一个直径为241毫米的环状。
正如从图2中的图看出的那样，气体压力沿着一个背离进气口的方向下降，也就是说随着气体通路长度的增大而下降。在最接近进气口的喷嘴处的气体流量大约是最远离进气口的喷嘴处气体流量的四倍。以这种方式，由于通过气体通道连接进气口和各个喷嘴的气体通路的长度存在差异，所以常规的环状注气装置会使得各个喷嘴处的气体压力和流量极其不均匀。
注气装置的设计和构造会极大地影响在被处理基片上的均匀度。已经公知的是，随着注气装置尺寸的增大和气体通道剖面面积的缩小，气体分布的不均匀度会变大。为了不会阻挡离子流和微波传播，所希望的是使得注气装置尽可能地薄。尽管这种结构要求气体通道具有小的剖面面积，但是带有薄的气体通道的大注气装置仍旧存在压力分布不均匀的问题。
因此，随着近年来晶片尺寸不断增大的趋势，使得利用常规的注气装置更难以确保向反应腔室均匀地分布气体。这将损害在整个被处理半导体基片上的均匀度，相应地又会明显恶化半导体器件的质量和产量。
发明内容
本发明提供了一种用于半导体处理系统的注气装置，其具有歧管，该歧管被设置成使得连接进气口和各个喷嘴的气体通道的长度相等，以便向反应腔室均匀地分布反应气体。
本发明还提供了一种注气装置，其可以适用于多种半导体处理系统，比如PECVD系统、HDP-CVD系统以及磁控管溅射系统。
本发明还提供了一种注气装置，其可以适用于具有大反应腔室的半导体处理系统，用以无论反应腔室的尺寸、气体压力以及流量如何变化，均能够实现反应气体的均匀分布。
根据本发明的一个方面，在此提供了一种注气装置，用于将反应气体注入半导体处理系统中的反应腔室内。该注气装置包括注入件，该注入件被设置成与反应腔室的腔壁内表面发生接触，并且具有多个穿过其的喷嘴，通过这些喷嘴，反应气体被注入反应腔室内；进气口，该进气口贯穿反应腔室的腔壁；以及歧管，该歧管设置在反应腔室的腔壁与注入件之间，用于将通过进气口流入的反应气体供送至所述多个喷嘴中的每个中。所述歧管被构造成具有设置在多个级别上的气体通道，这些气体通道用于使得连接进气口和多个喷嘴中的每个的气体通路的长度相等，由此使得通过所述多个喷嘴中的每个供送至反应腔室的气体流量均匀。
在此，多个级别的气体通道中一个级别的气体通道在下一较高级别的气体通道的任一端部处被分成两个支管，各个支管均具有相同的长度。最高级别的气体通道被分成两个支管，各个支管均在与进气口(outlet)相连的部分处具有相同的长度。所述多个喷嘴中的每个均被连接到最低级别的气体通道的任一端部上。在反应腔室的腔壁内表面上成形有沟槽，并且注入件被插入到该沟槽内。所述气体通道可以被成形在与反应腔室的腔壁内表面发生接触的注入件表面上，呈具有预定深度的沟槽形状。可选择地，所述气体通道可以被成形在反应腔室的腔壁内表面上，呈具有预定深度的沟槽形状。在这种情况下，注入件可以由一种诸如陶瓷材料的介电衬垫(adielectric liner)制成。
沿着注入件的圆周，所述喷嘴的出口在与反应腔室的内部相对的注入件表面上均匀地间隔开。
根据本发明的第一实施例，注入件呈扁平的环状，并且被设置成与反应腔室上壁的底部发生接触。还有，所述气体通道以不同的级别设置。
根据本发明的第二实施例，注入件呈圆柱状，并且被设置成与反应腔室侧壁的内表面发生接触。
根据本发明的第三实施例，注入件呈圆锥状，并且被设置成与反应腔室上壁的倾斜内表面发生接触。
在第二和第三实施例中，所述气体通道在注入件的外周上沿着该注入件的高度方向以不同的级别设置，从而使得从进气口进行观看，高级别气体通道位于低于低级别气体通道的位置处。
所述注气装置还可以包括一个莲蓬头型注入件，该莲蓬头型注入件被设置在反应腔室的顶部处，用于将反应气体供送至反应腔室的中部。
通过前述构造，本发明可以提供这样一种注气装置，即无论反应腔室的尺寸、气体压力以及流量如何，其均可以通过使得连接进气口和所述多个喷嘴中的每个的气体通道的长度相同，来实现气体流量的高度均匀，并且可以适用于各种半导体处理系统，包括等离子体处理系统和磁控管溅射系统。
通过参照附图详细地对本发明的优选实施例进行描述，本发明的前述目的和优点将变得更为明了，其中图1是一个用于半导体处理系统中的常规环状注气装置的剖视透视图；图2是一个图，示出了在图1所示注气装置中各个喷嘴处的气体压力和流量；
图3A示出了一个根据本发明用于半导体处理系统的注气装置的基本构造；图3B是图2所示注气装置沿着线A-A′的经放大横剖视图；图4是一个图，示出了在一个根据本发明的注气装置中各个喷嘴处的气体压力和流量；而图5-9是根据本发明第一至第五实施例的注气装置和采用了它们的等离子体处理系统的横剖视图。
具体实施例方式
下面将参照附图更为全面地对根据本发明优选实施例用于半导体处理系统的注气装置进行描述。
参照图3A和3B，根据本发明的注气装置包括进气口110，反应气体通过该进气口110从外部流入，多个喷嘴130，反应气体通过这些喷嘴130被注入反应腔室内，以及歧管120，反应气体通过该歧管120被从进气口110供送至多个喷嘴130中的每个中。歧管120被构造成使得连接进气口110和多个喷嘴130中的每个的气体通道的长度相等。为此，歧管120包括有设置在多个级别上的气体通道121-124。
进气口110被制成贯穿反应腔室的腔壁，并且多个喷嘴130被成形在一个环状注入件140上，该环状注入件140被安装成与反应腔室的腔壁内表面发生接触。歧管120上的气体通道121-124被设置在注入件140与反应腔室的腔壁之间。具体来说，气体通道121-124可以被成形在注入件140的一个表面上，也就是说与反应腔室腔壁的内表面发生接触的表面上，呈具有预定深度的沟槽形状。正如将在后面描述的那样，气体通道121-124也可以被成形在反应腔室腔壁的内表面上，呈具有预定深度的沟槽形状。
多个喷嘴130中的每个均被制成从在最低级别的各个气体通道124的两个端部朝向反应腔室的内部贯穿注入件140。也就是说，各个喷嘴130的入口均被连接到处于最低级别的气体通道124上，同时其出口均朝向反应腔室的内部敞开。所述喷嘴130的出口在注入件140的另一表面上，即在与反应腔室的内部相对的表面上，沿着圆周均匀间隔开。
如前所述，气体通道121-124被设置在多个级别上，优选的是如图3A中所示那样被设置在四个级别上。以第一级别设置的第一气体通道121从进气口110分成两个方向的支管，各个支管均沿着注入件140的圆周延伸相同的长度，其中所述第一级别是最高级别。以第二级别设置的第二气体通道122从第一气体通道121的任一端部分成两个方向的支管，各个支管均沿着注入件140的圆周延伸相同的长度。以第三级别设置的第三气体通道123从各个第二气体通道的任一端部分成两个方向的支管，各个支管均沿着注入件140的圆周延伸相同的长度。以第四级别设置的第四气体通道124以与前述相同的方式形成，其中所述第四级别是最低级别。喷嘴130如前所述那样被设置在各个第四气体通道124的端部处。如果用于气体通道121-124的级别数目如前所述那样为4，那么喷嘴130的数目为24，即16。因此，如果级别的数目为n，那么喷嘴130的数目就为2n。设置在多个级别的气体通道121-124使得连接进气口110和多个喷嘴130中的每个的气体通路的长度相等。
图4是一个曲线图，示出了在一个根据本发明的注气装置中各个喷嘴处的气体压力和流量。在该图中，进气口被标记为“0”，第一级别的气体通道的端部被标记为“a1”和“a2”，第二级别的气体通道的端部被标记为“b1”至“b4”，而第三级别的气体通道的端部被标记为“c1”至“c8”。所述的多个喷嘴以它们沿着注入件的圆周在注入件内侧上的设置顺序依次标记为数字“1”至“16”。
为了进行比较，图4中的图示出了在与图2中相同的状态下对气体压力和流量进行计算的结果，其中O2气体在反应腔室内压力为10mTorr的条件下以每分钟100标准立方厘米(sccm)的流量供给。各个气体通道均具有一个1×4毫米的矩形横剖面，并且各个喷嘴的直径均为0.5毫米，长度均为2毫米。第一至第四级别的气体通道的直径分别被设定为282毫米、268毫米、255毫米以及241毫米。
正如从图4中所示图看出的那样，由于在反应气体与气体通道的内壁发生碰撞后会产生压降，所以气体压力会沿着气体通路在背离进气口的方向上下降。但是，由于连接进气口和各个级别的气体通道的任一端部的气体通路的长度均相等，所以各个气体通路均会经历相等的压降。因此，这将使得在所述多个喷嘴中的每个处的气体压力相等。还有，通过所述多个喷嘴被供入反应腔室内的气体流量相等。当如图4中所示那样通过进气口供送的气体流量为100sccm时，通过16个喷嘴中的每一个注入反应腔室内的气体流量均为100/16sccm，即6.25sccm。
前述假设条件，即通过进气口所注入的气体流量为100sccm并且在反应腔室内的压力为10mTorr，是高密度等离子体CVD(HDP-CVD)系统中的典型情况。但是，即使气体流量和反应腔室内的压力发生了变化，根据本发明的注气装置也可以保持被供入反应腔室内的反应气体均匀分布。还有，如果各个级别的气体通道的直径发生了变化，那么利用设置有所述气体通道的前述结构，可以使反应气体的分布均匀。因此，根据本发明的注气装置可以在不受反应腔室尺寸、气体压力以及流量限制的条件下使反应气体均匀分布，由此能够使得所述注气装置适用于具有大反应腔室的半导体处理系统。
由于在通往所各喷嘴中的每个的气体通路之间压力均匀分布，所以两种或者多种气体组分会在各个气体通道中被均匀混合，从而使得可以通过单个注气装置将两种或者多种气体的混合物均匀地分布在整个反应腔室中。
下面将参照图5-9对根据本发明优选实施例的注气装置进行描述。在不同附图中相同的附图标记代表相同的构件。
图5示出了一个根据本发明第一实施例的注气装置。在图5中示出的该第一实施例是这样一个示例，即在未经任何改动的条件下将图3A中所示注气装置应用于一个等离子体处理系统。该等离子体处理系统包括一个反应腔室180，该反应腔室180带有一个用于形成等离子体的空间。为了使反应腔室180的内部保持处于真空状态，在反应腔室180的底壁181上成形有一个真空抽气孔188，该真空抽气孔188被连接到一个真空泵(未示出)。一个静电夹头184被设置在反应腔室180的底部处，用以支撑一个晶片W，同时一个等离子体源186被设置在反应腔室180的顶部处，用以对注入反应腔室180内的反应气体进行电离并且产生出等离子体。对于磁控管溅射系统来说，等离子体源186可以由一个磁控管枪(a magnetron gun)取代。
根据本发明第一实施例的注气装置包括一个进气口110，该进气口110贯穿反应腔室180的上壁182，和一个扁平的环状注入件140，该注入件140被固附在反应腔室180的上壁182的底部上。注入件140具有歧管120，该歧管120包括设置在多个级别上的气体通道121-124以及多个喷嘴130。气体通道121-124依次在注入件140的顶表面上设置在不同级别上，从而使得气体通道121最接近注入件140的外周，并且气体通道124最接近注入件140的内周。所述注气装置的细节配置、工作方式以及效果均如前所述。
根据本发明的注气装置中的注入件140被插入到沟槽182a内，该沟槽182a成形于反应腔室180的上壁182的底部上。因此，由于不存在朝向反应腔室180内部的突起，所以不会阻挡从等离子体源186朝向晶片W运动的离子流。
图6示出了一个根据本发明第二实施例的注气装置。在图6中示出的该第二实施例是这样一个示例，即图3A中所示注气装置被修改为具有圆筒形状，并且可以被应用于一个等离子体处理系统。根据本发明第二实施例的注气装置包括一个进气口210，该进气口210贯穿反应腔室180的侧壁183，和一个圆筒形注入件240，该注入件240被固附在反应腔室180的侧壁1 83的内表面上。注入件240具有歧管220，该歧管220包括设置在多个级别上的气体通道221-224以及多个喷嘴230。注入件240可以被插入到一个沟槽183a内，该沟槽183a成形于反应腔室180的侧壁183的内表面上。
气体通道221-224沿着注入件240的外周被制成具有预定深度的沟槽形状。气体通道221至224在注入件240的外周上沿着注入件240的高度方向以不同的级别设置，从而使得从进气口210进行观看，高级别气体通道位于一个低于低级别气体通道的位置处。其中设置有气体通道221-224的结构如图3A中所描述的那样。
所述多个喷嘴230被制成从最低级别的各气体通道224的两个端部处朝向反应腔室180的内部贯穿注入件240。所述多个喷嘴230的出口沿着注入件240的内周均匀地间隔开。
图7示出了一个根据本发明第三实施例的注气装置。在图7中示出的该第三实施例是这样一个示例，即图3A中所示注气装置被修改成圆锥形状，并且可被应用于等离子体处理系统。根据本发明第三实施例的注气装置包括一个进气口310，该进气口310贯穿反应腔室280的上壁282，和一个注入件340，该注入件340呈圆锥形状，被构造成与反应腔室280的上壁282的圆锥形倾斜内表面相匹配。注入件340具有歧管320，该歧管320包括设置在多个级别上的气体通道321-324以及多个喷嘴330。注入件340与反应腔室280的上壁282的倾斜内表面发生接触，并且由支撑件350支撑。支撑件350通过螺钉352固定在反应腔室280的上壁282上。附图标记284、286和288分别指代用于支撑晶片W的静电夹头、等离子体源以及真空抽气孔。
气体通道321-324沿着注入件340的外表面被制成具有预定深度的沟槽形状。它们沿着圆锥形注入件340的倾斜外表面以不同的级别设置，从而使得从进气口310进行观看，高级别气体通道位于低于低级别气体通道的位置处。其中设置有气体通道321-324的结构如图3A中所描述的那样。
所述多个喷嘴330被制成从最低级别的各个气体通道324的两个端部处朝向反应腔室280的内部贯穿注入件340。所述多个喷嘴330的出口沿着注入件340的内周均匀地间隔开。
图8示出了一个根据本发明第四实施例的注气装置。除了形成歧管的位置之外，在图8中示出的该注气装置与图7中所示注气装置具有相同的构造。根据本第四实施例的注气装置包括一个进气口410，该进气口410贯穿反应腔室280的上壁282，和一个注入件440，该注入件440呈圆锥形状，该圆锥形状被构造成与反应腔室280的上壁282的圆锥形倾斜内表面相匹配。注入件440由支撑件450支撑，支撑件450通过螺钉452固定在反应腔室280的上壁282上。用于构成歧管420的多个级别的气体通道421-424在反应腔室280的上壁282的倾斜内表面上被制成具有预定深度的沟槽形状，而并非沿着注入件440的外表面成形。气体通道421-424的布置方式差不多与根据本发明第三实施例的气体通道321-324相同。注入件440可以由一种能够抵抗溅射的绝缘衬垫制成，比如由陶瓷材料制成。在最轻微的溅射也会对半导体处理产生明显负面影响的情况下，注入件440是有用的。
各个喷嘴430均被制成从注入件440外表面上的预定位置，对应于最低级别的各个气体通道424的两个端部，朝向反应腔室280的内部贯穿该注入件440。所述多个喷嘴430的出口沿着注入件440的内周均匀地间隔开。
图9示出了一个根据本发明第五实施例的注气装置。参照图9，根据本发明第五实施例的注气装置包括一个进气口310和一个圆锥形注入件340，它们均具有与图7中所示相同的配置。圆锥形注入件340具有歧管320，该歧管320包括设置在多个级别上的气体通道321-324以及多个喷嘴330。由于这些构件具有与图7中所示相同的构造，所以在此将省略对它们的详细描述。
根据本发明第五实施例的注气装置还包括一个莲蓬头型注入件560，该注入件560被设置在反应腔室280的顶部处，用于将反应气体朝向反应腔室280的中部供送。这种构造可以提高沿着反应腔室280径向的气体分布均匀度。同样，莲蓬头型注入件560可以被添加到本发明的第一至第四实施例中。
如前所述，根据本发明用于半导体处理系统的注气装置具有下述优点。
首先，由于通过歧管使得连接进气口和多个喷嘴的气体通路的长度均相等，所以对于各个喷嘴来说被供入反应腔室内的气体压力和流量均相等，由此提高了在半导体基片处理过程中的均匀度。
第二，根据本发明的注气装置不管反应腔室尺寸、气体压力以及流量如何，均能使反应气体均匀分布，由此使得其能够适用于带有大反应腔室的半导体处理系统。
第三，根据本发明的注气装置不会阻挡离子流动或者微波传播，因为其与反应腔室的腔壁内表面发生接触或者相配合，并且因此不存在朝向反应腔室内部的突起，由此可以被应用于各种半导体处理系统，比如等离子体增强型CVD(PECVD)系统、HDP-CVD系统以及磁控管溅射系统。
第四，本发明在通往多个喷嘴的各条气体通路之间提供了均匀的压力分布，在所述气体通路中两种或者多种气体组分被均匀混合，由此使得能够通过单个注气装置将两种或者多种气体的混合物均匀地分布在反应腔室中。
尽管已经参照本发明的优选实施例对本发明进行了特定图示和描述，但是本技术领域中那些熟练技术人员将会明白的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明技术构思和保护范围的条件下，可以在形式和细节上对其进行多种改变。例如，根据本发明的注气装置的构造可以根据半导体处理系统的类型、反应腔室的形状和尺寸以及类似因素进行修改。因此，本发明的技术范围可以利用所附权利要求加以确定。
权利要求
1.一种注气装置，用于将反应气体注入半导体处理系统中的反应腔室内，该注气装置包括注入件，该注入件被设置成与反应腔室的腔壁内表面发生接触，并且具有多个穿入其的喷嘴，通过这些喷嘴，反应气体被注入反应腔室内；进气口，该进气口贯穿反应腔室的腔壁；以及歧管，该歧管被设置在反应腔室的腔壁与注入件之间，用于将通过进气口流入的反应气体供送至所述多个喷嘴的每个中；其中，所述歧管被构造成具有设置在多个级别上的气体通道，这些气体通道用于使连接进气口和所述多个喷嘴的气体通路的长度相等，由此使得通过所述多个喷嘴的每个供入反应腔室的气体流量均匀。
2.如权利要求1中所述的装置，其中，所述多个级别的气体通道中一个级别的气体通道在下一较高级别的气体通道的任一端部处被分成两个支管，每个支管均具有相同的长度，最高级别的气体通道被分成两个支管，每个支管均在与进气口相连的部分处具有相同的长度，并且所述多个喷嘴中的每个均被连接在最低级别的气体通道的任一端部上。
3.如权利要求2中所述的装置，其中，所述气体通道被设置在四个级别上。
4.如权利要求1中所述的装置，其中，在所述反应腔室的腔壁内表面上成形有沟槽，并且所述注入件被插入到该沟槽内。
5.如权利要求1中所述的装置，其中，所述气体通道被成形在与反应腔室的腔壁内表面发生接触的注入件表面上，呈具有预定深度的沟槽形状。
6.如权利要求1中所述的装置，其中，所述气体通道被成形在反应腔室的腔壁内表面上，呈具有预定深度的沟槽形状。
7.如权利要求6中所述的装置，其中，所述注入件由一种介电衬垫制成。
8.如权利要求7中所述的装置，其中，所述介电衬垫由一种陶瓷材料制成。
9.如权利要求1中所述的装置，其中，沿着所述注入件的圆周，所述多个喷嘴的出口在与反应腔室的内部相对的注入件表面上均匀地间隔开。
10.如权利要求1中所述的装置，其中，所述注入件呈扁平的环状，并且被设置成与反应腔室上壁的底部发生接触。
11.如权利要求10中所述的装置，其中，所述气体通道以不同的级别设置，从而使得从进气口进行观看，高级别气体通道较为接近注入件的外周，而低级别气体通道较为接近注入件的内周。
12.如权利要求1中所述的装置，其中，所述注入件呈圆筒状，并且被设置成与反应腔室侧壁的内表面发生接触。
13.如权利要求12中所述的装置，其中，所述气体通道在注入件的外周上以不同的级别设置，从而使得从进气口进行观看，高级别气体通道位于低于低级别气体通道的位置处。
14.如权利要求1中所述的装置，其中，所述注入件呈圆锥状，并且被设置成与反应腔室上壁的倾斜内表面发生接触。
15.如权利要求14中所述的装置，其中，所述气体通道在注入件的外周上以不同的级别设置，从而使得从进气口进行观看，高级别气体通道位于低于低级别气体通道的位置处。
16.如权利要求14中所述的装置，其中，所述注入件由支撑件支撑，所述支撑件被固定在反应腔室的腔壁上。
17.如权利要求1中所述的装置，还包括莲蓬头型注入件，该注入件被设置在反应腔室的顶部处，用于将反应气体朝向反应腔室的中部供送。
18.如权利要求1中所述的装置，其中，两种或者多种反应气体在穿过所述歧管时混合，并且这两种或者多种反应气体的混合物通过所述多个喷嘴被注入到反应腔室内。
19.如权利要求1中所述的装置，其中，所述注气装置适用于等离子体处理系统或者磁控管溅射系统。
全文摘要
一种注气装置，用于将反应气体注入半导体处理系统中的反应腔室内。该注气装置包括注入件，该注入件被设置成与反应腔室的腔壁内表面发生接触，并且具有多个穿过其的喷嘴，通过这些喷嘴，反应气体被注入反应腔室内；进气口，该进气口贯穿反应腔室的腔壁；以及歧管，该歧管被设置在反应腔室的腔壁与注入件之间，用于将通过进气口流入的反应气体供送至各个喷嘴。所述歧管被构造成具有设置在多个级别上的气体通道，这些气体通道用于使得连接进气口和各个喷嘴的气体通路的长度相等，由此使得通过各个喷嘴供入反应腔室的气体流量均匀。这种构造使得通过各个喷嘴供送至反应腔室的反应气体的流量均匀。
文档编号H01L21/205GK1501435SQ0313909
公开日2004年6月2日 申请日期2003年9月30日 优先权日2002年11月15日
发明者金泰完, 尤里·N·托尔马切夫, 马东俊, 瑟吉·Y·纳瓦拉, N 托尔马切夫, Y 纳瓦拉 申请人:三星电子株式会社