阵列基板及其控制方法与流程

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其控制方法。

背景技术：

随着显示技术的发展，显示面板得到了广泛的应用。显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶。

阵列基板包括第一衬底基板，第一衬底基板上设置有多根交叉排布的栅线和数据线，且栅线和数据线交叉形成多个像素区域，每个像素区域内设置有一个薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor；简称：TFT)结构和一个像素电极，TFT的栅极与栅线相连接，TFT的源极与数据线相连接，TFT的漏极与像素电极相连。彩膜基板包括第二衬底基板，第二衬底基板上依次形成有色阻层和公共电极，其中，色阻层包括红色色阻块、绿色色阻块和蓝色色阻块，每个色阻块与一个像素电极相对应。在需要控制显示面板显示图像时，可以向栅线施加开启电压，使得TFT中的源极和漏极处于导通的状态，并且可以分别向数据线施加像素电压以及向公共电极施加公共电压，数据线上的像素电压能够通过TFT的源极和漏极输入至像素电极。显示面板上各个区域的液晶均在像素电极和公共电极上的电压的作用下进行偏转，从而改变显示面板上各个区域的出光量，使显示面板上的各个区域发出不同亮度的光。在需要降低显示面板上某一区域发出光线的亮度时，可以通过调整向数据线施加的像素电压，减小该区域的液晶两端的像素电压与公共电压的压差，减小该区域的液晶偏转的程度，进而减少该区域的出光量。

由于相关技术中在需要改变显示面板上某一区域发出光线的亮度时，仅仅能够通过调整数据线上施加的像素电压的方式实现，因此，改变亮度的方式较单一。

技术实现要素：

为了解决改变亮度的方式较单一的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板及其控制方法。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种阵列基板，述阵列基板包括：

衬底基板；

所述衬底基板上设置有多根栅线、多根数据线、多个像素电极和多个薄膜晶体管TFT，每个所述像素电极通过一个TFT控制；

其中，所述多根栅线和所述多根数据线围成阵列排布的多个像素区域，所述多个像素区域中存在至少一个目标像素区域，所述目标像素区域中设置有至少两个像素电极。

可选的，所述衬底基板上还设置n根第一控制线，所述至少一个目标像素区域属于n行像素区域，所述n根第一控制线与所述n行像素区域一一对应，每根所述第一控制线穿过对应的一行像素区域，所述n为大于或等于1的整数；

每个所述目标像素区域中设置有两个像素电极，每个所述目标像素区域对应两个TFT，所述两个TFT分别与所述两个像素电极一一对应连接，所述两个TFT中的第一TFT与围成所述目标像素区域的一根栅线相连接，所述两个TFT中的第二TFT与穿过所述目标像素区域的一根第一控制线相连接，所述两个TFT均与围成所述目标像素区域的一根数据线相连接；

任意两个位于不同行的像素区域对应的TFT所连接的栅线不同，任意两个位于不同列的像素区域对应的TFT所连接的数据线不同。

可选的，所述衬底基板上设置有第一导电图案，所述第一导电图案包括：所述多根栅线、所述n根第一控制线和多个栅极；

设置有所述第一导电图案的衬底基板上设置有有源图案，所述有源图案包括多个有源块；

设置有所述有源图案的衬底基板上设置有第二导电图案，所述第二导电图案包括：所述多根数据线、多个源极和多个漏极；

设置有所述第二导电图案的衬底基板上设置有第三导电图案，所述第三导电图案包括所述多个像素电极；

其中，所述多个TFT中的每个TFT包括栅极、源极、漏极和有源块，所述每个TFT的有源块分别与所述每个TFT的源极和漏极相连接；

所述两个TFT的栅极分别与围成所述目标像素区域的一根栅线以及穿过所述目标像素区域的一根第一控制线相连接，所述两个TFT的源极均与围成所述目标像素区域的一根数据线相连接，所述两个TFT的漏极分别与所述目标像素区域中的两个像素电极相连接。

可选的，所述衬底基板上还设置有公共电极，

所述第一TFT的源极以及所述第二TFT的源极均与围成所述目标像素区域的一根数据线相连接，所述两个像素电极均为齿梳状电极。

可选的，所述衬底基板上还设置有n根第二控制线，所述n根第二控制线与所述n行像素区域一一对应，每根所述第二控制线穿过对应的一行像素区域；

每个所述目标像素区域还对应一个第三TFT，所述第三TFT的栅极与穿过目标像素区域的一根第二控制线相连接，所述第三TFT的源极和漏极分别与目标像素区域中的两个像素电极相连接。

可选的，所述衬底基板上还设置有公共电极，

所述第一TFT的源极与围成所述目标像素区域的一根数据线和所述两个像素电极中的第一像素电极相连接；

所述第二TFT的源极和漏极分别与所述两个像素电极中的第一像素电极和第二像素电极相连接，且所述第二TFT的源极依次通过所述第一像素电极和所述第一TFT，与围成所述目标像素区域的一根数据线相连接；

所述第一像素电极为齿梳状电极，所述第二像素电极为平板电极。

可选的，所述多个像素区域中还存在辅助像素区域，所述目标像素区域位于所述衬底基板的边缘区域，所述辅助像素区域位于所述衬底基板的中央区域；每个所述辅助像素区域中设置有一个第三像素电极，每个所述辅助像素区域对应一个第四TFT，且所述第四TFT分别与围成所述辅助像素区域的一根数据线和一根栅线相连接，所述第四TFT还与所述第三像素电极相连接；

或者，所述多个像素区域中的每个像素区域均为所述目标像素区域。

第二方面，提供了一种阵列基板的控制方法，所述阵列基板包括：衬底基板；所述衬底基板上设置有多根栅线、多根数据线、多个像素电极、多个薄膜晶体管TFT和公共电极，每个所述像素电极通过一个TFT控制，其中，所述多根栅线和所述多根数据线围成阵列排布的多个像素区域，所述多个像素区域中存在至少一个目标像素区域，所述目标像素区域中设置有至少两个像素电极，

所述至少两个像素电极中的第一像素电极通过第一TFT与围成所述目标像素区域的一根数据线相连接，所述至少两个像素电极中的第二像素电极通过第二TFT与围成所述目标像素区域的一根数据线相连接，所述两个像素电极均为齿梳状电极，所述方法包括：

导通所述第一TFT，并关断所述第二TFT，向所述第一像素电极施加第三像素电压，使得显示面板上所述目标像素区域对应的区域发出第三亮度的光；

关断所述第一TFT，并导通所述第二TFT，使得所述第一像素电极与所述第二像素电极导通，所述显示面板上所述目标像素区域对应的区域发出第四亮度的光，所述第三亮度大于所述第四亮度。

第三方面，提供了一种阵列基板的控制方法，所述阵列基板包括：衬底基板；所述衬底基板上设置有多根栅线、多根数据线、多个像素电极、多个薄膜晶体管TFT和公共电极，每个所述像素电极通过一个TFT控制，其中，所述多根栅线和所述多根数据线围成阵列排布的多个像素区域，所述多个像素区域中存在至少一个目标像素区域，所述目标像素区域中设置有至少两个像素电极，

所述至少两个像素电极中的第一像素电极通过第一TFT与围成所述目标像素区域的一根数据线相连接，所述至少两个像素电极中的第二像素电极通过第二TFT与所述第一像素电极相连接，所述第一像素电极为齿梳状电极，所述第二像素电极为平板电极，所述方法包括：

导通所述第一TFT，并关断所述第二TFT，向所述第一像素电极施加第一像素电压，使得显示面板上所述目标像素区域对应的区域发出第一亮度的光；

关断所述第一TFT，并导通所述第二TFT，使得所述第一像素电极与所述第二像素电极导通，所述显示面板上所述目标像素区域对应的区域发出第二亮度的光，所述第一亮度大于所述第二亮度。

第四方面，提供了一种阵列基板的控制方法，所述阵列基板包括：衬底基板；所述衬底基板上设置有多根栅线、多根数据线、多个像素电极、多个薄膜晶体管TFT和公共电极，每个所述像素电极通过一个TFT控制，其中，所述多根栅线和所述多根数据线围成阵列排布的多个像素区域，所述多个像素区域中存在至少一个目标像素区域，所述目标像素区域中设置有至少两个像素电极，

所述至少两个像素电极中的第一像素电极通过第一TFT与围成所述目标像素区域的一根数据线相连接，所述至少两个像素电极中的第二像素电极通过第二TFT与所述第一像素电极相连接，所述第一像素电极为齿梳状电极，所述第二像素电极为平板电极，所述方法包括：

导通所述第一TFT和所述第二TFT，向所述第一像素电极和所述第二像素电极施加第五像素电压，使得所述显示面板上所述目标像素区域对应的区域发出第五亮度的光；

关断所述第二TFT，并导通所述第一TFT，通过所述第一TFT向所述第一像素电极施加第六像素电压，使得所述显示面板上所述目标像素区域对应的区域发出第六亮度的光，所述第六像素电压小于所述第五像素电压，所述第六亮度小于所述第五亮度；

关断所述第一TFT，并导通所述第二TFT，使得所述第一像素电极与所述第二像素电极导通，所述显示面板上所述目标像素区域对应的区域发出第七亮度的光，所述第七亮度大于所述第六亮度，且小于所述第五亮度。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

由于阵列基板中存在至少一个目标像素区域，且目标像素区域中设置有至少两个像素电极，每个像素电极均通过一个TFT进行控制。在需要改变目标像素区域的亮度时，可以通过调整像素电压在至少两个像素电极上的分布情况，改变目标像素区域内液晶的偏转情况，从而改变目标像素区域内的光通量，改变目标像素区域的亮度，所以，丰富了改变亮度的方式。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的局部结构示意图；

图3为本发明实施例提供的另一种阵列基板的局部结构示意图；

图4为本发明实施例提供的一种辅助像素区域的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的一种阵列基板的控制方法的方法流程图；

图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的控制方法的方法流程图；

图7为本发明实施例提供的又一种阵列基板的控制方法的方法流程图。

具体实施方式

为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板0的结构示意图，如图1所示，该阵列基板0可以包括：衬底基板01；衬底基板01上设置有多根栅线02、多根数据线03、多个像素电极04和多个TFT(图1中未示出)，每个像素电极04通过一个TFT控制；

其中，多根栅线02和多根数据线03围成阵列排布的多个像素区域A，多个像素区域A中存在至少一个目标像素区域A1，目标像素区域A1中设置有至少两个像素电极04(图1中以目标像素区域中设置有两个像素电极为例)。

综上所述，由于本发明实施例提供的阵列基板中存在至少一个目标像素区域，且目标像素区域中设置有至少两个像素电极，每个像素电极均通过一个TFT进行控制。在需要改变目标像素区域的亮度时，可以通过调整像素电压在至少两个像素电极上的分布情况，改变目标像素区域内液晶的偏转情况，从而改变目标像素区域内的光通量，改变目标像素区域的亮度，所以，丰富了改变亮度的方式。

图2为本发明实施例提供的一种阵列基板0的局部结构示意图，需要说明的是，图2中仅仅示出了一个目标像素区域，该目标像素区域由两根相邻的数据线和两根相邻的栅线围成。如图2所示，衬底基板01上还可以设置有n根第一控制线061，衬底基板上的至少一个目标像素区域属于n行像素区域，n根第一控制线061与n行像素区域一一对应，每根第一控制线061穿过对应的一行像素区域，n为大于或等于1的整数。

每个目标像素区域中设置有两个像素电极，每个目标像素区域对应两个TFT，两个TFT分别与两个像素电极一一对应连接，两个TFT中的第一TFT 051(也即两个TFT中的某一个TFT)与围成目标像素区域的一根栅线02相连接，两个TFT中的第二TFT 052(也即两个TFT钟的另一个TFT)与穿过目标像素区域的一根第一控制线061相连接，两个TFT均与围成目标像素区域的一根数据线03相连接。

需要说明的是，衬底基板上的多个像素区域中，任意两个位于不同行的像素区域对应的TFT所连接的栅线不同，任意两个位于不同列的像素区域对应的TFT所连接的数据线不同。

进一步的，衬底基板01上可以设置有第一导电图案，第一导电图案包括：多根栅线02、n根第一控制线061和多个栅极，也即，栅线、第一控制线以及栅极的材质可以相同，且可以通过一次构图工艺在衬底基板上形成；设置有第一导电图案的衬底基板01上设置有有源图案，有源图案包括多个有源块；设置有有源案的衬底基板01上设置有第二导电图案，第二导电图案可以包括：多根数据线03、多个源极和多个漏极，也即，数据线、源极以及漏极的材质可以相同，且可以通过一次构图工艺在衬底基板上形成；设置有第二导电图案的衬底基板01上设置有第三导电图案，第三导电图案包括多个像素电极；其中，多个TFT中的每个TFT包括栅极、源极、漏极和有源块，每个TFT的有源块分别与每个TFT的源极和漏极相连接；

目标像素区域中的两个TFT的栅极分别与围成目标像素区域的一根栅线02以及穿过目标像素区域的一根第一控制线061相连接，两个TFT的源极均与围成目标像素区域的一根数据线03相连接，两个TFT的漏极分别与目标像素区域中的两个像素电极相连接。

进一步的，衬底基板上可以设置有公共电极，此时，阵列基板中像素电极与TFT的分布和连接方式可以多种多样，下面以其中的两种方式进行解释说明：

一方面，请继续参考图2，衬底基板01上还可以设置有公共电极07，第一TFT 051的源极以及第二TFT052的源极均与围成目标像素区域的一根数据线03相连接，且该目标像素区域中的两个像素电极(像素电极041和像素电极042)均为齿梳状电极。

在需要控制显示面板上图2所示的目标像素区域对应的区域发出高亮度的光时，可以向与第一TFT 051相连接的栅线02输入开启电压，将第一TFT 051打开，向与第二TFT 052相连接的第一控制线061输入开启电压，将第二TFT 052打开，并向与第一TFT 051和第二TFT 052相连接的数据线03输入像素电压，使得数据线03上的像素电压输入至该目标像素区域中的两个像素电极，该目标像素区域对应的大部分液晶均发生偏转，显示面板上该目标像素区域对应的区域发出较亮的光。

在需要控制显示面板上图2所示的目标像素区域对应的区域发出低亮度的光时，可以向与第一TFT051相连接的栅线02输入开启电压，将第一TFT 051打开，并不向与第二TFT 052相连接的第一控制线061输入开启电压，使得第二TFT 052处于关闭的状态，向与第一TFT051和第二TFT052相连接的数据线03输入像素电压，使得数据线03上的像素电压输入至该目标像素区域中的一个像素电极，使得该目标像素区域对应的少部分液晶发生偏转，显示面板上该目标像素区域对应的区域发出较暗的光。

进一步的，衬底基板01上还可以设置有n根第二控制线062，n根第二控制线062与至少一个目标像素区域所在的n行像素区域一一对应，每根第二控制线061穿过对应的一行像素区域；每个目标像素区域还对应一个第三TFT 053，第三TFT 053的栅极与穿过目标像素区域的一根第二控制线062相连接，第三TFT053的源极和漏极分别与目标像素区域中的两个像素电极(像素电极041和像素电极042)相连接。

在控制显示面板上图2所示的目标像素区域对应的区域发出高亮度的光时，还可以向第二控制线062输入开启电压，使得第三TFT 053处于打开的状态，将两个像素电极(像素电极041和像素电极042)连接在一起，使得两个像素电极上的电压均匀的分布，进而使得显示面板上该目标像素区域对应的区域发出较均匀的亮光。

另一方面，图3为本发明实施例提供的另一种阵列基板0的局部结构示意图，如图3所示，衬底基板01上还设置有公共电极07，第一TFT 051的源极与围成目标像素区域的一根数据线03和两个像素电极中的第一像素电极041相连接；第二TFT 052的源极和漏极分别与两个像素电极中的第一像素电极041和第二像素电极042相连接，且第二TFT 052的源极依次通过第一像素电极041和第一TFT 051，与围成目标像素区域的一根数据线03相连接；第一像素电极041可以为齿梳状电极，第二像素电极042可以为平板电极。

在需要控制显示面板上图3所示的目标像素区域对应的区域发出高亮度的光时，可以向与第一TFT 051相连接的栅线02输入开启电压，将第一TFT 051打开，并禁止向与第二TFT 052相连接的第一控制线061输入开启电压，将第二TFT 052关闭，向与第一TFT 051和第二TFT 052相连接的数据线03输入第三像素电压，使得数据线03上的第三像素电压输入至该目标像素区域中的第一像素电极041，使得该目标像素区域中第一素电极041对应的液晶发生偏转，且由于此时该第一像素电极041上单位面积内分布的电荷较多，所以显示面板上该目标像素区域对应的区域发出较亮(第三亮度)的光。

在需要控制显示面板上图3所示的目标像素区域对应的区域发出低亮度的光时，可以禁止向与第一TFT 051相连接的栅线02输入开启电压，将第一TFT 051关断，并向与第二TFT 052相连接的第一控制线061输入开启电压，使得第二TFT 052处于开启状态，使得之前输入至第一像素电极041上的电荷能够通过第二TFT 052传输至第二像素电极042，且由于板状的第二像素电极042无法与公共电极形成电容，因此，该第二像素电极042无法驱使液晶发生偏转，使得第一像素电极041对应的液晶发生偏转，而第二像素电极042对应的液晶不发生偏转，且此时第一像素电极041上单位面积内分布的电荷较少，从而使得显示面板上该目标像素区域对应的区域发出较暗(具有第四亮度)的光。第三亮度可以大于第四亮度。

可选的，在调整显示面板上图3所示的显示区域发出的光的亮度时，还可以首先导通第一TFT 051和第二TFT 052，并通过数据线、第一TFT和第二TFT向第一像素电极041和第二像素电极042施加第五像素电压，此时，显示面板上图3所示的目标像素区域对应的区域发出第五亮度的光。

然后，可以关断第二TFT 052，并导通第一TFT 051，通过第一TFT 051向第一像素电极041施加第六像素电压，使得显示面板上目标像素区域对应的区域发出第六亮度的光，第六像素电压小于第五像素电压，第六亮度小于第五亮度，显示面板上图3所示的目标像素区域对应的区域发出的光由第五亮度变为第六亮度时，该显示面板的亮度发生了改变。

再然后，还可以关断第一TFT 051，并导通第二TFT 052，使得第一像素电极041与第二像素电极042导通，之前(步骤701中)充入第二像素电极042上的电荷可以过第二TFT 052向第一像素电极041运动，使得步骤703中第一像素电极041上的电荷相较于步骤702中第一像素电极041上的电荷多，显示面板上目标像素区域对应的区域发出第七亮度的光，第七亮度大于第六亮度，且小于第五亮度。

本发明实施例提供的阵列基板中可以包括一个或多个目标像素区域，目标像素区域在阵列基板中的分布情况可以存在多种情况，下面以其中的两种分布情况为例进行举例说明：

一方面，本发明实施例提供的阵列基板中，多个像素区域中还存在辅助像素区域，目标像素区域位于衬底基板的边缘区域，辅助像素区域位于衬底基板的中央区域。阵列基板可以为矩形，此时，衬底基板的中央区域为矩形结构，衬底基板的边缘区域为回字形结构；阵列基板还可以为圆形或椭圆形，此时，衬底基板的中央区域为圆形或椭圆形结构，衬底基板的边缘区域为圆环形结构。

需要说明的是，辅助像素区域中的具体结构可以与相关技术中的像素区域中的具体结构相同。图4为本发明实施例提供的一种辅助像素区域的结构示意图，如图4所示，每个辅助像素区域中设置有一个第三像素电极043，每个辅助像素区域对应一个第四TFT 054，且第四TFT 054分别与围成辅助像素区域的一根数据线03和一根栅线02相连接，第四TFT 054还与第三像素电极043相连接。

随着显示技术的发展，第三代超亮屏技术(英文：Bright View 3；简称：BV3)显示面板或智能浏览(英文：Smart View)显示面板得到了广泛的应用。BV3显示面板或Smart View显示面板包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶。阵列基板包括第一衬底基板，第一衬底基板上设置多个阵列排布的薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor；简称：TFT)结构和多个阵列排布的像素电极，且多个TFT与多个像素电极一一连接。彩膜基板包括第二衬底基板，第二衬底基板上依次形成有色阻层和公共电极，其中，色阻层包括红色色阻块、绿色色阻块和蓝色色阻块，且位于第二衬底基板的中央区域的三种色阻块的个数相同，位于第二衬底基板的边缘区域的蓝色色阻块较多，红色色阻块和绿色色阻块较少。需要说明的是，每个色阻块与像素电极相对应。在需要控制显示面板显示图像时，可以分别向公共电极和像素电极施加电压，使得液晶在像素电极和公共电极之间的电压的作用下进行偏转，改变不同液晶对背光源发出光线的遮挡程度，从而使得每个色阻块的进光量不同，且穿过红色色阻块后的光为红光，穿过绿色色阻块的光为绿光，穿过蓝色色阻块的光为蓝光，从而使得显示面板上每个色阻块所在的区域显示不同的亮度以及不同的颜色。由于显示面板中，位于第二衬底基板的边缘区域的蓝色色阻块的个数较多，显示面板的边缘区域发出的蓝光较多，显示面板的边缘区域会出现泛蓝的现象，因此，BV3显示面板或Smart View显示面板的显示效果较差。

而本发明实施例中，将目标像素区域设置在衬底基板的边缘区域，在控制BV3显示面板或Smart View显示面板显示图像时，可以控制显示面板上位于边缘的目标像素区域对应的区域发出较低亮度的光，从而减弱了显示面板的边缘区域泛滥的现象，提高了显示面板的显示效果。

另一方面，本发明实施例提供的阵列基板中的多个像素区域中的每个像素区域均可以为目标像素区域。

需要说明的是，本发明实施例中以目标像素区域中包括两个像素电极为例，且两个像素电极中，一个像素电极位于目标像素区域的上侧和下侧。实际应用中，目标像素区域中还可以包括多于两个像素电极，且本发明实施例并不对目标像素区域中的至少两个像素电极的分布位置进行限定，目标像素区域中的像素电极可以位于目标像素区域内的各个位置。

进一步的，本发明实施例中以目标像素区域的形状为矩形为例，实际应用中，目标像素区域的形状还可以为其他形状，如菱形、平行四边形或其他不规则形状，本发明实施例对此不作限定。

综上所述，由于本发明实施例提供的阵列基板中存在至少一个目标像素区域，且目标像素区域中设置有至少两个像素电极，每个像素电极均通过一个TFT进行控制。在需要改变目标像素区域的亮度时，可以通过调整像素电压在至少两个像素电极上的分布情况，改变目标像素区域内液晶的偏转情况，从而改变目标像素区域内的光通量，改变目标像素区域的亮度，所以，丰富了改变亮度的方式。

如图5所示，本发明实施例提供了一种阵列基板的控制方法，该阵列基板的控制方法可以用于如图2所示的阵列基板，阵列基板包括：衬底基板；衬底基板上设置有多根栅线、多根数据线、多个像素电极、多个薄膜晶体管TFT和公共电极，每个像素电极通过一个TFT控制，其中，多根栅线和多根数据线围成阵列排布的多个像素区域，多个像素区域中存在至少一个目标像素区域，目标像素区域中设置有至少两个像素电极，至少两个像素电极中的第一像素电极通过第一TFT与围成目标像素区域的一根数据线相连接，至少两个像素电极中的第二像素电极通过第二TFT与围成目标像素区域的一根数据线相连接，两个像素电极均为齿梳状电极，如图5所示，该阵列基板的控制方法可以包括：

步骤501、导通第一TFT和第二TFT，向至少两个像素电极中的全部像素电极施加像素电压，使得显示面板上目标像素区域对应的区域发出第一亮度的光。

在需要控制显示面板上图2所示的目标像素区域对应的区域发出高亮度的光时，可以向与第一TFT 051相连接的栅线02输入开启电压，将第一TFT 051打开，向与第二TFT 052相连接的第一控制线061输入开启电压，将第二TFT052打开，并向与第一TFT 051和第二TFT052相连接的数据线03输入像素电压，使得数据线03上的像素电压输入至该目标像素区域中的两个像素电极，该目标像素区域对应的大部分液晶均发生偏转，显示面板上该目标像素区域对应的区域发出较亮的光(具有第一亮度)。

进一步的，如图2所示，衬底基板01上还可以设置有n根第二控制线062，n根第二控制线062与至少一个目标像素区域所在的n行像素区域一一对应，每根第二控制线061穿过对应的一行像素区域；每个目标像素区域还对应一个第三TFT 053，第三TFT 053的栅极与穿过目标像素区域的一根第二控制线062相连接，第三TFT 053的源极和漏极分别与目标像素区域中的两个像素电极(像素电极041和像素电极042)相连接。

在控制显示面板上图2所示的目标像素区域对应的区域发出高亮度的光时，还可以向第二控制线062输入开启电压，使得第三TFT 053处于打开的状态，将两个像素电极(像素电极041和像素电极042)连接在一起，使得两个像素电极上的电压均匀的分布，进而使得显示面板上该目标像素区域对应的区域发出较均匀的亮光。

步骤502、导通第一TFT和第二TFT中的一个TFT，并关断另一个TFT，向至少两个像素电极中与一个TFT相连接的像素电极施加像素电压，使得显示面板上目标像素区域对应的区域发出第二亮度的光。

在需要控制显示面板上图2所示的目标像素区域对应的区域发出低亮度的光时，可以向与第一TFT 051相连接的栅线02输入开启电压，将第一TFT 051打开，并不向与第二TFT 052相连接的第一控制线061输入开启电压，使得第二TFT 052处于关闭的状态，向与第一TFT051和第二TFT052相连接的数据线03输入像素电压，使得数据线03上的像素电压输入至该目标像素区域中的一个像素电极，使得该目标像素区域对应的少部分液晶发生偏转，显示面板上该目标像素区域对应的区域发出较暗的光(具有第二亮度)。

在本发明实施例中，第一亮度大于第二亮度。

综上所述，由于第一TFT的源极以及第二TFT的源极均可以直接与数据线相连接，且两个像素电极均可以为齿梳状电极。可以通过调整第一TFT和第二TFT的导通和关断，使得部分像素电极上有电荷，或者全部像素电极上均有电荷，从而改变显示面板显示的亮度。因此，丰富了改变亮度的方式。

图6为本发明实施例提供的另一种阵列基板的控制方法，该阵列基板可以如图3所示，该阵列基板包括：衬底基板；衬底基板上设置有多根栅线、多根数据线、多个像素电极、多个薄膜晶体管TFT和公共电极，每个像素电极通过一个TFT控制，其中，多根栅线和多根数据线围成阵列排布的多个像素区域，多个像素区域中存在至少一个目标像素区域，目标像素区域中设置有至少两个像素电极，至少两个像素电极中的第一像素电极通过第一TFT与围成目标像素区域的一根数据线相连接，至少两个像素电极中的第二像素电极通过第二TFT与第一像素电极相连接，第一像素电极为齿梳状电极，第二像素电极为平板电极，如图6所示，该阵列基板的控制方法可以包括：

步骤601、导通第一TFT，并关断第二TFT，向第一像素电极施加第三像素电压，使得显示面板上目标像素区域对应的区域发出第三亮度的光。

在需要控制显示面板上图3所示的目标像素区域对应的区域发出高亮度的光时，可以向与第一TFT 051相连接的栅线02输入开启电压，将第一TFT 051打开，并禁止向与第二TFT 052相连接的第一控制线061输入开启电压，将第二TFT 052关闭，向与第一TFT 051和第二TFT 052相连接的数据线03输入第三像素电压，使得数据线03上的第三像素电压输入至该目标像素区域中的第一像素电极041，使得该目标像素区域中第一素电极041对应的液晶发生偏转，且由于此时该第一像素电极041上单位面积内分布的电荷较多，所以显示面板上该目标像素区域对应的区域发出较亮(第三亮度)的光。

步骤602、关断第一TFT，并导通第二TFT，使得第一像素电极与第二像素电极导通，显示面板上目标像素区域对应的区域发出第四亮度的光，第三亮度大于第四亮度。

在需要控制显示面板上图3所示的目标像素区域对应的区域发出低亮度的光时，可以禁止向与第一TFT 051相连接的栅线02输入开启电压，将第一TFT 051关断，并向与第二TFT 052相连接的第一控制线061输入开启电压，使得第二TFT 052处于开启状态，使得之前输入至第一像素电极041上的电荷能够通过第二TFT 052传输至第二像素电极042，且由于板状的第二像素电极042无法与公共电极形成电容，因此，该第二像素电极042无法驱使液晶发生偏转，使得第一像素电极041对应的液晶发生偏转，而第二像素电极042对应的液晶不发生偏转，且此时第一像素电极041上单位面积内分布的电荷较少，从而使得显示面板上该目标像素区域对应的区域发出较暗(具有第四亮度)的光。第三亮度可以大于第四亮度。

综上所述，由于第一TFT的源极可以直接与数据线相连接，第二TFT连接第一像素电极和第二像素电极，且第一像素电极为齿梳状电极，第二像素电极为平板电极。可以通过调整第一TFT和第二TFT的导通和关断，使得像素电极上单位面积的电荷由多变少或由少变多，从而改变显示面板显示的亮度。因此，丰富了改变亮度的方式。

图7为本发明实施例提供的又一种阵列基板的控制方法，该阵列基板可以如图3所示，该阵列基板包括：衬底基板；衬底基板上设置有多根栅线、多根数据线、多个像素电极、多个薄膜晶体管TFT和公共电极，每个像素电极通过一个TFT控制，其中，多根栅线和多根数据线围成阵列排布的多个像素区域，多个像素区域中存在至少一个目标像素区域，目标像素区域中设置有至少两个像素电极，至少两个像素电极中的第一像素电极通过第一TFT与围成目标像素区域的一根数据线相连接，至少两个像素电极中的第二像素电极通过第二TFT与第一像素电极相连接，第一像素电极为齿梳状电极，第二像素电极为平板电极，如图7所示，该阵列基板的控制方法可以包括：

步骤701、导通第一TFT和第二TFT，向第一像素电极和第二像素电极施加第五像素电压，使得显示面板上目标像素区域对应的区域发出第五亮度的光。

如图3所示，在步骤701中可以导通第一TFT 051和第二TFT 052，并通过数据线、第一TFT和第二TFT向第一像素电极041和第二像素电极042施加第五像素电压，此时，显示面板上图3所示的目标像素区域对应的区域发出第五亮度的光。

步骤702、关断第二TFT，并导通第一TFT，通过第一TFT向第一像素电极施加第六像素电压，使得显示面板上目标像素区域对应的区域发出第六亮度的光，第六像素电压小于第五像素电压，第六亮度小于第五亮度。

示例的，可以关断第二TFT 052，并导通第一TFT 051，通过第一TFT 051向第一像素电极041施加第六像素电压，使得显示面板上目标像素区域对应的区域发出第六亮度的光，第六像素电压小于第五像素电压，第六亮度小于第五亮度，显示面板上图3所示的目标像素区域对应的区域发出的光由第五亮度变为第六亮度时，该显示面板的亮度发生了改变。

步骤703、关断第一TFT，并导通第二TFT，使得第一像素电极与第二像素电极导通，显示面板上目标像素区域对应的区域发出第七亮度的光，第七亮度大于第六亮度，且小于第五亮度。

可以关断第一TFT 051，并导通第二TFT 052，使得第一像素电极041与第二像素电极042导通，之前(步骤701中)充入第二像素电极042上的电荷可以过第二TFT 052向第一像素电极041运动，使得步骤703中第一像素电极041上的电荷相较于步骤702中第一像素电极041上的电荷多，显示面板上目标像素区域对应的区域发出第七亮度的光，第七亮度大于第六亮度，且小于第五亮度。

综上所述，由于第一TFT的源极可以直接与数据线相连接，第二TFT连接第一像素电极和第二像素电极，且第一像素电极为齿梳状电极，第二像素电极为平板电极。可以通过调整第一TFT和第二TFT的导通和关断，使得像素电极上单位面积的电荷由多变少或由少变多，从而改变显示面板显示的亮度。因此，丰富了改变亮度的方式。

需要说明的是，本发明实施例提供的阵列基板实施例、阵列基板的控制方法实施例以及显示面板实施例均可以互相参考，本发明实施例不对此进行限定。

上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。