一种存储器的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明提供一种存储器，包括：半导体衬底；位线层，位于所述半导体衬底上，所述位线层内排布有位线；屏蔽层，位于所述位线层上，所述屏蔽层内设置有导电的屏蔽结构，所述屏蔽结构接地；字线层，位于所述屏蔽层上，所述字线层内排布有字线。本发明中存储器的写干扰较小。

技术研发人员：黄鹏;张学海;周川淼
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2017.03.01
技术公布日：2018.09.14