X技术
首页
登录
注册
高击穿电压氮化镓功率材料的外延方法与流程
文档序号:12680008
阅读:
来源:国知局
导航:
X技术
>
最新专利
>
电气元件制品的制造及其应用技术
>
高击穿电压氮化镓功率材料的外延方法与流程
技术总结
一种高击穿电压氮化镓功率材料的外延方法,所述外延方法包括:提供衬底;在所述衬底表面形成缓冲层;对所述缓冲层进行离子注入,使所述缓冲层与衬底之间的界面态绝缘化;在所述缓冲层表面形成氮化镓层。上述外延方法能够降低形成的氮化镓基功率器件缓冲层和衬底之间的界面缺陷态,减小漏电流,提高器件击穿电压特性。
技术研发人员:
闫发旺;张峰;赵倍吉;谢杰
受保护的技术使用者:
上海新傲科技股份有限公司
文档号码:
201710122946
技术研发日:
2017.03.03
技术公布日:
2017.06.13
完整全部详细技术资料下载
当前第3页
1
 
2
 
3
 
相关技术
消除叠层材料预混层的方法与流...
半导体器件的制造方法与流程
铝膜工艺方法与流程
一种在Ga‑极性GaN模板上...
一种表面改性的氮化物半导体及...
一种TiO2/BaTiO3/...
基板处理方法以及基板处理装置...
一种纳米线的制造方法及用于制...
带有一个或多个反射器的紫外线...
基于激光等离子体驱动的超快电...
网友询问留言
已有
0
条留言
还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1
氮化镓外延片相关技术
一种氮化镓基发光二极管外延结构的制作方法
一种氮化镓基led外延结构的制作方法
一种氮化镓基外延片及生长方法
一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制造方法
一种氮化镓基发光二极管外延结构及其制备方法
一种氮化镓基发光二极管外延结构的制作方法
硅基氮化镓led外延结构的制造方法
一种降低氮化镓基电子器件外延应力的离子注入改善型衬底的制作方法
一种太阳能电池外延片的制作方法
一种高发光效率氮化镓基led外延片的制备方法
硅基氮化镓外延片用途相关技术
一种GaN基发光二极管外延片的制备方法与流程
漏连接半超结氮化镓基垂直型异质结功率器件的制作方法与工艺
一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法与流程
一种提高GaN基LED内量子效率的外延方法与流程
一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法与流程
一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制作方法与流程
一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法与流程
提高氮化镓基功率器件击穿电压的外延方法与流程
氮化镓薄膜材料外延生长的方法与流程
一种氮化物外延片的生长方法及氮化镓激光器与流程
硅基氮化镓外延晶圆相关技术
一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法与流程
一种提高GaN基LED内量子效率的外延方法与流程
一种提高GaN基LED内量子效率的外延生长方法与流程
一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制作方法与流程
一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制备方法与流程
提高氮化镓基功率器件击穿电压的外延方法与流程
氮化镓薄膜材料外延生长的方法与流程
一种氮化物外延片的生长方法及氮化镓激光器与流程
一种GaN基发光二极管外延片的生长方法与流程
一种GaN基发光二极管外延片的制造方法与流程
氮化镓外延相关技术
具有电磁波防护结构的GaN基半导体器件的外延结构及制作方法与制造工艺
一种GaN基发光二极管的外延片及其生长方法与制造工艺
一种LED外延片的制备方法与制造工艺
一种紫外外延片结构的制造方法与工艺
一种氮化镓基发光二极管外延结构的制作方法
一种用于晶片抛光盘的冷却装置的制造方法
一种a向蓝宝石窗口片的加工装置的制造方法
一种微纳pss制备用软膜结构的制作方法
一种微纳pss制备用软膜的制作方法
一种新型石墨坩埚的制作方法
氮化镓功率器件相关技术
一种提高性能的硅基有机发光器件及其制造方法与流程
氮化镓半导体器件的制造方法与工艺
一种GaAs HBT功率器件的制造方法与工艺
具有垂直结构的氮化镓场效应晶体管器件的制作方法与流程
氮化镓晶体管器件的制备方法与流程
用于TSV/MEMS/功率器件蚀刻的化学物质的制造方法与工艺
调节超结功率MOSFET器件的制造方法与工艺
表面贴装功率器件集成焊接方法与制造工艺
一种硅基粗波分器件的制造方法与工艺
一种氮化镓双向开关器件的制造方法与工艺
硅基氮化镓功率器件相关技术
一种氮化镓基led外延结构的制作方法
一种发出近红外光的氮化镓基led芯片结构的制作方法
一种氮化镓基发光二极管的外延片及其制造方法
一种锗基硅锗降场层ldmos器件结构的制作方法
氮化镓器件介质生长方法及系统的制作方法
硅基氮化镓led外延结构的制造方法
氮化镓器件的超高频门极驱动及控制方法
一种降低氮化镓基电子器件外延应力的离子注入改善型衬底的制作方法
一种氮化镓基发光二极管及其制备方法
一种优化氮化镓hemt器件跨导均匀性的方法
氮化镓功率半导体相关技术
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法与流程
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法与流程
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法与流程
半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法与流程
一种超高压片式钽电容器的制造方法
一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管的制作方法
具有垂直结构的氮化镓功率半导体器件的制作方法
一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品的制作方法
采用孤岛拓扑结构的高密度氮化镓器件的制作方法