技术特征：
技术总结
本发明提供了一种CMOS图像传感器及其形成方法，其中，第一高K介质层包括多层第一高K介质子层，相邻两层第一高K介质子层之间界面不连续，由此能够提高耦合效应及抑制晶粒成长，很好的将半导体衬底中的游离负电荷固定于第一氧化层和第一高K介质层之间的界面，将半导体衬底中的游离正电荷固定于半导体衬底和第一氧化层之间的界面，从而很好的降低漏电流，进一步改善/避免亮点问题。
技术研发人员：叶通迪;王从建;翁鸿铭;余兴
受保护的技术使用者：豪威科技（上海）有限公司
技术研发日：2017.03.10
技术公布日：2017.07.07