EMI特性优越的高压超低阻抗铝电解电容器的制作方法

本发明涉及到铝电解电容器技术领域。

背景技术：

由于CISPR(国际无线电干扰特别委员会)颁布的EMI(电磁干扰)标准CISPR 22中，打印机、复印机、PC等IT设备的电磁噪声都受到了更为严格的限制。标准规定，对这些设备进行辐射干扰测试时，上限频率将从原来的1GHz大幅提高到6GHz。对不满足新标准的产品会被拒绝进口。这对整个电子产业都会产生影响。

铝电解电容器作为电源设计重要元器件之一,其主要用于滤波、旁路、耦合，作为输入端的高压铝电解电容也会对100~200MHz的EMI有影响。因此一款EMI特性优越的高压电解电容使用在整机中该频率范围内的EMI余量就越大。

技术实现要素：

综上所述，本发明的目的在于解决针对目前电源行业在EMI设计余量不足，而提出一种EMI特性优越的高压超低阻抗铝电解电容器。

为解决本发明所提出的技术问题，采用的技术方案为：EMI特性优越的高压超低阻抗铝电解电容器，包括有铝壳，设于铝壳内部的芯子和与铝壳开口密封的胶塞；其特征在于：所述的芯子包括有卷绕结构的正极铝箔、负极铝箔及隔离正极铝箔与负极铝箔的电解纸；所述的正极铝箔和负极铝箔的中间位置分别铆接有经胶塞引出的正极导针和负极导针；所述的电解纸采用W纤维与S纤维双层双密度复合成的阻抗为0.43~0.50EG的电解纸；所述的铝壳内封装有导电率为2.5~2.9 mS/cm,闪火电压达到530V以上的电解液。

所述的电解纸密度为0.6~0.7g/cm³,厚度为40um~60um。

所述的正极铝箔厚度为100um~115um，铝含量纯度大于99.9%。

所述的负极铝箔厚度为20 um~32um，其纯度大于99.9%,耐压为1~5V。

所述的电解液为20碳3支链羧酸盐体系电解液。

本发明的有益效果为：本发明的EMI特性优越的高压超低阻抗铝电解电容器使用在电源整机中，测试电源EMI特性非常优越，其EMI余量大于12 db。与现有技术相比，本发明的EMI特性优越的高压超低阻抗铝电解电容器，具有优越的EMI特性，且能够耐大纹波电流，可靠性高，现有设备即可生产。

附图说明

图1为本发明展开状态结构示意图；

图2为本发明主视结构示意图。

图1中1为正极铝箔，2为负极铝箔，3和4为电解纸，5为导针

图2中5为导针，6为胶塞，7为芯子，8为铝壳与套管。

具体实施方式

下面将结合具体实施方式对本发明做进一步说明，目的是为了便于说明，而非对本发明技术方案的限制，凡以相同或近似的原理，对所述技术内容进行的改进，包括相应组分的增减和替换，以实现基本相同技术效果为目的，则都在本发明申请所附权利要求限定的技术方案之内。

参照图1中所示，本发明的EMI特性优越的高压超低阻抗铝电解电容器，包括有铝壳8，设于铝壳8内部的芯子7和与铝壳8开口密封的胶塞6。

参照图1和图2中所示，所述的芯子7包括有卷绕结构的正极铝箔1、负极铝箔2及隔离正极铝箔1与负极铝箔2的电解纸3和4；所述的正极铝箔1和负极铝箔2的中间位置分别铆接有经胶塞引出的正极导针和负极导针5。

所述的电解纸采用W纤维(高紧度)与S纤维(低紧度)双层双密度复合而成的阻抗为0.43~0.50EG的电解纸；所述的电解纸密度为0.6~0.7g/cm³,厚度为40um~60um。

所述的铝壳内封装有导电率为2.5~2.9 mS/cm,闪火电压达到530V以上的电解液。具体可以选用20碳3支链羧酸盐体系电解液。

所述的正极箔为硼酸、壬二酸化成耐高压铝箔,耐压达到590V，其厚度为112um，其纯度为99.9%，所述负极箔为纯度99.9%的铝箔，电压为3V，厚度为30um,所述的导针纯度为99.9%,材质为铝质，化成电压500V，所述的胶塞为丁基橡胶IIR，硬度为84 IRHD，所述的铝壳为拉伸铝质铝壳，其纯度为99.9%。

制作时，将正极铝箔1、电解纸3、负极铝箔2、电解纸4依次层叠，正、负导针5分别铆接在正、负极铝箔中间，卷绕成芯子，含浸电解液后，装入铝壳8，装配胶塞6封口，在铝壳8外套上套管，再经过老化等工序后成为铝电解电容器成品。

本发明的铝电解电容器在装入输入电压：90~264V AC,输出电压:12V DC输出电流:1A 的电源整机中可正常带载工作，测试电源整机EMI余量为18.5dB。