技术特征：
技术总结
本发明公开了一种CdZnTe平面探测器表面处理方法，用于解决现有平面探测器表面处理方法处理后的平面探测器能量分辨率差的技术问题。技术方案是在CdZnTe晶片腐蚀之后，用(NH4)2S溶液对CdZnTe晶片表面进行钝化，钝化后用去离子水清洗，最后用真空蒸镀机将晶片两面镀上Au电极。此钝化方法去除了富Te层，形成CdS层沉积在晶体表面，化学计量配比得到改善，减少了电子在晶体表面的散射，腐蚀后形成的悬挂键被中和，有效降低了CdZnTe晶片表面的漏电流，提高了能量分辨率，提升了CdZnTe平面探测器的探测效率。经测试，CZT平面探测器的能量分辨率由之前大于6.5％提高到小于4.5％。
技术研发人员：介万奇;侯文欣;王涛;查钢强;徐凌燕
受保护的技术使用者：西北工业大学
技术研发日：2017.04.25
技术公布日：2017.09.01