一种封装结构、显示装置及照明装置的制作方法

本发明涉及封装技术领域，特别涉及一种封装结构、显示装置及照明装置。

背景技术：

有源矩阵有机电致发光器件(amoled)由于具有较高的色域，能实现超薄和柔性化的显示，在显示领域有着光明的前景。但是，有机电致发光器件(oled)的阴极材料多为活泼金属，易与水氧发生反应，造成腐蚀。并且有机电致发光器件的有机发光层材料在受到水和氧气的侵蚀后也会使像素受损，影响器件寿命，导致器件失效。因此需要对器件进行封装，才能延长使用寿命。

对于大尺寸oled器件的封装结构，目前较为广泛采用的是在oled之上制备无机阻挡层及有机阻挡层，并在所述无机阻挡层及所述有机阻挡层之上进一步用基板进行压合。为了保证封装效果，所述封装结构的最外围边缘距离oled的发光区域要保持一定的距离，以延长水汽和氧气的走行路径。然而，延长此段距离却使得oled器件难以实现窄边框化。并且，由于无机阻挡层及有机阻挡层的粘结性能不好，往往在搬运、装配等过程中出现界面剥离的现象。

技术实现要素：

本发明的实施例提供一种封装结构、显示装置及照明装置，以更好实现窄边框，并有效防止无机阻挡层及有机阻挡层之间出现界面剥离的问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

本发明实施例的一方面，提供一种封装结构，包括相对设置的上基板和下基板，在所述下基板朝向所述上基板的一面设置有发光器件以及围绕所述发光器件设置的至少一个挡墙；在所述发光器件之上设置有覆盖所述发光器件及至少一个挡墙的第一阻挡层；在所述第一阻挡层之上设置有覆盖所述挡墙和第一阻挡层的第二阻挡层；所述第二阻挡层连接所述上基板和所述下基板；在所述挡墙围成的区域内设置有连接所述第一阻挡层和第二阻挡层的连接层。

可选地，包括依次远离所述发光器件设置的第一挡墙和第二挡墙，在所述第一挡墙与所述第二挡墙围成的区域内，和/或所述第一挡墙围成的区域内设置有所述连接层。

可选地，所述连接层为偶联剂层，所述偶联剂层用于连接所述第一阻挡层和第二阻挡层。

可选地，所述偶联剂层包含甲氧基、乙氧基、甲氧基乙氧基、氯基中的至少一种，以及氨基、氨基甲酸酯、异氰酸基、酸酐、羟甲基、羧基等与环氧基或仲羟基中的至少一种。

可选地，所述偶联剂层厚度为50nm至500nm。

可选地，还包括远离所述发光器件及所述第二挡墙设置的第三挡墙，在所述第二挡墙和第三挡墙围成的区域内设置有所述连接层。

可选地，还包括依次远离所述第一挡墙及所述第二挡墙设置的第四挡墙，以及设置在所述第一挡墙和所述发光器件之间的第五挡墙；在所述第二挡墙与第四挡墙之间设置的连接层，以及所述第一挡墙与第五挡墙之间设置的连接层的高度均低于所述第一挡墙和第二挡墙之间的连接层的高度。

可选地，所述第二挡墙的高度低于所述第一挡墙的高度，设置在所述第一挡墙和第二挡墙之间连接层的高度低于所述第一挡墙所围成区域内连接层的高度。

可选地，在所述第一挡墙和第二挡墙之间还间隔设置有第六挡墙，在所述第一挡墙、第二挡墙和第六挡墙之间设置有所述连接层。

可选地，所述第一阻挡层为无机层或有机与无机的叠层，所述第二阻挡层为有机层。

本发明实施例提供一种显示装置，包括上述的封装结构。

本发明实施例提供一种照明装置，包括上述的封装结构。

本发明实施例提供一种封装结构，在所述发光器件的周边设置的所述挡墙内设置有连接层，所述连接层用于连接所述第一阻挡层和所述第二阻挡层，和/或所述第二阻挡层和所述基板，防止发生剥离现象。并且由于所述连接层的存在，能使所述发光器件到边框的距离缩短，进一步实现窄边框化。进一步地，当所述第一阻挡层为无机层，所述第二阻挡层为有机层时也能较好地保证粘结效果。进一步地，通过所述挡墙的阻挡，在制备所述连接层的工艺过程中，能有效防止所述连接层材料扩散到所述挡墙外部，造成污染。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的第一种封装结构去掉上基板及第二阻挡层的俯视示意图；

图2为图1的a-a’方向的截面图；

图3为本发明实施例提供的第二种封装结构示意图；

图4为本发明实施例提供的第三种封装结构示意图；

图5为本发明实施例提供的第四种封装结构示意图；

图6为本发明实施例提供的第五种封装结构示意图；

图7为本发明实施例提供的第六种封装结构示意图；

图8为本发明实施例提供的第七种封装结构示意图；

图9为本发明实施例提供的第八种封装结构示意图；

附图标记：

01-上基板；02-第二阻挡层；03-下基板；04-第一阻挡层；05-发光器件；06-第六挡墙；07-连接层；08、08’-第一挡墙；09、09’-第二挡墙；10-第三挡墙；11-第四挡墙；12-第五挡墙。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。附图中各部件的形状和大小不反映显示装置的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

在对本发明的不同示例性实施方式的描述中，虽然本说明书中使用术语“上”、“下”等来描述本发明的不同示例性特征和元件，但是这些术语用于本文中仅出于方便，例如本发明实施例中所描述的上基板和下基板仅用于描述各部件之间的连接关系。本说明书中的任何内容都不应理解为需要结构的特定方向才落入本发明的范围内。

本发明实施例提供第一种封装结构，如图1和图2所示，包括相对设置的上基板01和下基板03，在下基板03朝向上基板01的一面设置有发光器件05，在发光器件05的周边，围绕发光器件05依次设置有第一挡墙08和第二挡墙09。发光器件05、第一挡墙08和第二挡墙09上覆盖有第一阻挡层04。在第一阻挡层04之上设置有覆盖第一阻挡层04的第二阻挡层02。第二阻挡层02在封装发光器件的同时也用于连接上基板01和下基板03。在第一挡墙08和第二挡墙09之间所围成的区域内(见图1中标注07的区域)，和/或在第一挡墙08所围成的区域内设置有连接第一阻挡层04和第二阻挡层02的连接层07。

具体地，第一阻挡层04可以为无机层，第二阻挡层02为有机层；或者第一阻挡层04和第二阻挡层02都为无机层或者都为有机层；或者第一阻挡层04和第二阻挡层02分别为多层有机和/或无机层的叠层；或者第一阻挡层04和第二阻挡层02都为有机材料和无机材料的混合层。

具体地，连接层07可以为偶联剂层或者具有吸水功能的粘结层，在此不做具体限制。下面以连接层07为偶联剂层进行说明。偶联剂层是一种具有特殊结构的有机硅化合物层，在它的分子中同时具有能与无机材料(如玻璃、水泥、金属等)结合的反应性基团，和与有机材料(如合成树脂等)结合的反应性基团。其中，能与无机材料结合的反应性基团可以选自甲氧基、乙氧基、甲氧基乙氧基、氯基等基团中的至少一种，这些基团遇到水汽可水解反应生成硅醇，所述硅醇可进一步与无机层反应生成硅氧烷；能与有机材料结合的反应性基团可以选自氨基、氨基甲酸酯、异氰酸基、酸酐、羟甲基、羧基等基团中的至少一种，这些基团可进一步与含有环氧基或仲羟基等有机材料反应键合。因此，所述偶联剂层在遇到外部侵入的水汽后可以同时与有机层和/或无机层粘结，从而阻挡外部的水汽侵入发光器件。此外，在制备的工艺方法上，所述偶联剂层可通过蒸镀、溶液喷涂或旋涂的方式制备所述挡墙形成的区域内。通过第一挡墙08和第二挡墙09的阻挡，在制备所述偶联剂层的工艺过程中，能有效防止偶联剂层扩散到所述挡墙外部，造成污染。

具体地，第一挡墙08和第二挡墙09可以采用有机树脂单独制备，也可以直接利用制备发光器件05时的像素界定层材料一体成型。所采用的有机树脂具体可以为感光型树脂类，通过光刻的方式形成在下基板03上。其中，第一挡墙08和第二挡墙09的高度可以相同也可以不同，只要满足在制备过程中连接层07的高度不超过第一挡墙08或第二挡墙09的高度即可。

具体地，上基板01和下基板03的材料可以相同也可以不同，例如可以选自玻璃、金属、石英、塑料等，在此不做具体限定。

本实施例通过在第一挡墙08和第二挡墙09之间所围成的区域内(见图1中标注07的区域)，和/或在第一挡墙08所围成的区域内设置有连接第一阻挡层04和第二阻挡层02的连接层07。当水汽侵入所述封装结构时，通过连接层07和水汽反应，避免水汽进入发光器件进一步引起发光器件05性质的劣化。同时，第一阻挡层04和第二阻挡层02也具有防止氧气进入的效果。进一步地，本发明通过连接层07将第一阻挡层04和第二阻挡层02连接在一起，加固了第一阻挡层04和第二阻挡层02之间的结合力，防止发生剥离。并且，由于连接层07的存在，能进一步缩短发光器件05与边框的距离，实现了窄边框的效果。

可选地，本发明实施例提供的第二种封装结构如图3所示，第一阻挡层04只覆盖发光器件05和第一挡墙08(不覆盖第二挡墙09)。在第一挡墙08与第二挡墙09围成的区域内设置有连接层07，利用连接层07封住第一阻挡层04的边缘，防止外部水汽侵入发光器件05，引起发光器件05的劣化。同时，通过设置连接层07能增强第一阻挡层04、第二阻挡层02以及下基板03之间的粘结力，防止发生剥离现象，并进一步缩短发光结构05到边框的距离，实现窄边框的效果。

可选地，本发明实施例提供的第三种封装结构如图4所示，在第一挡墙08与第二挡墙09之间所围成的区域内间隔设置有多个第六挡墙06，第一挡墙08、第二挡墙09和多个第六挡墙06可以围成多个区域，并在所述区域内设置有多个连接层07。由此，使连接层07间隔分块设置。增强第一阻挡层04、第二阻挡层02之间的粘结力，防止发生剥离现象，并进一步缩短发光结构05到边框的距离，实现窄边框的效果。

可选地，本发明实施例提供的第四种封装结构如图5所示，使第二挡墙09的高度高于第一挡墙08’及发光器件05。并在在第二挡墙09所围成的区域内，使连接层07覆盖发光器件05和第一挡墙08’。第二阻挡层02覆盖在连接层07和第一阻挡层04之上。由此，第二阻挡层02在封装发光器件05的同时也用于连接上基板01和下基板03。需要说明的是，本实施例将连接层07设置在第一挡墙08’之上，由于第一挡墙08’的存在，因此造成连接层7的底面为非平面结构，进一步增强了第一阻挡层04之间的粘结力，防止发生剥离现象，并进一步缩短发光结构05到边框的距离，实现窄边框的效果。

可选地，本发明实施例提供的第五种封装结构如图6所示，第一挡墙08的高度高于第二挡墙09’和发光器件05。在第一挡墙08围成的区域内，以及第一挡墙08与第二挡墙09’之间围成的区域内，分别设置有连接层07。上述两个区域内的连接层高度不等。能进一步增强与第一阻挡层04、第二阻挡层02之间的粘结力，防止发生剥离现象，并进一步缩短发光结构05到边框的距离，实现窄边框的效果。

可选地，本发明实施例提供的第六种封装结构如图7所示，包括相对设置的上基板01和下基板03，在下基板03朝向上基板01的一面设置有发光器件05，在发光器件05的周边围绕发光器件05设置有第一挡墙08。在第一挡墙08所围成的区域内，设置有连接第一阻挡层04和第二阻挡层02的连接层07。第二阻挡层02整体覆盖连接层07及第一阻挡层04，同时也用于连接上基板01和下基板03。本实施例通过在第一挡墙08围成的区域内(发光器件05之上)设置连接层07，在水汽侵入所述封装结构时，通过连接层07和水汽反应，避免水汽进入发光器件05，进一步引起发光器件05性质的劣化。同时通过连接层07将第一阻挡层04和第二阻挡层02连接在一起，增强了粘结力，防止发生剥离，并实现窄边框的效果。

可选地，本发明的实施例提供的第七种封装结构如图8所示，包括相对设置的上基板01和下基板03，在下基板03朝向上基板01的一面设置有发光器件05，围绕发光器件05的周边，远离发光器件05依次设置有第一挡墙08、第二挡墙09和第三挡墙10。在发光器件05、第一挡墙08、第二挡墙09和第三挡墙10之上，设置有第一阻挡层04。在第一挡墙08、第二挡墙09之间所围成的区域内，以及第二挡墙09和第三挡墙10之间所围成的区域内，同时设置有连接层07。能进一步加强第一阻挡层04和第二阻挡层02之间的粘结力。此外，也可以在第一挡墙08围成的区域内进一步设置连接层7(图中未示出)。在第一阻挡层04之上整体覆盖有第二阻挡层02。第二阻挡层02在封装发光器件的同时也用于连接上基板01和下基板03。通过连接层07，增强了第一阻挡层04、第二阻挡层02之间的粘结力，防止发生剥离，并实现窄边框的效果。

可选地，本发明的实施例提供的第八种封装结构如图9所示，包括相对设置的上基板01和下基板03，在下基板03朝向上基板01的一面设置有发光器件05，围绕发光器件05的周边，远离发光器件05依次设置有第五挡墙12、第一挡墙08、第二挡墙09和第四挡墙11。在发光器件05、第五挡墙12、第一挡墙08、第二挡墙09和第四挡墙11之上，设置有第一阻挡层04。此时，在第五挡墙12和第一挡墙08之间所围成的区域内，第一挡墙08和第二挡墙09之间所围成的区域内，以及第二挡墙09和第四挡墙11之间所围成的区域内分别设置有连接层07。并且各区域的连接层高度可以相同或不同。能进一步加强所述连接层与第一阻挡层04和第二阻挡层02之间的粘结力。此外，也可以同时在第一挡墙08围成的区域内进一步设置连接层07(图中未示出)。在第一阻挡层04之上整体覆盖有第二阻挡层02。第二阻挡层02在封装发光器件05的同时也用于连接上基板01和下基板03。

综上所述，本实施例通过在所述封装结构的挡墙内设置连接层，用于连接所述第一阻挡层和第二阻挡层，和/或者连接所述第二阻挡层和所述下基板，加强了结合力，防止发生剥离。并且由于连接层07的存在，能使所述发光器件到边框的距离缩短，进一步实现窄边框化。

本发明所述封装结构具体可以应用到有机电致发光器件(oled)、量子点发光二级管(qled)或其他照明器件，在此不做具体限制。

在此需要说明的是，本发明所述发光器件具体是指整个显示面板的发光区域，而所述发光器件的周边为周边区域，所述挡墙位于所述周边区域内。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。