技术特征：
技术总结
本发明涉及一种基于短暂性构架的高电导率石墨烯薄膜的制备方法，该方法的步骤包括：(1)配制稳定的石墨烯分散液；(2)将石墨烯分散液涂覆于不同的基底上，干燥后得到含有短暂性构架的石墨烯薄膜；(3)对石墨烯薄膜进行表面处理除去薄膜中的短暂性构架，进一步提高薄膜电导率。石墨烯薄膜直接附着于需要使用石墨烯薄膜的基底上，石墨烯薄膜的厚度和尺寸易于控制，且能够省去转移石墨烯薄膜至目标基底的步骤，便于实际应用。本发明工艺简单、易于操作、安全环保、成本低廉，适用于工业化大规模生产。本发明制备的石墨烯薄膜具有优异的光电性能，特别地，能够通过简单的表面处理进一步提高石墨烯薄膜的电导率。
技术研发人员：陈国华;刘飞翔;邱欣斌;董菁;陈丹青;黄剑华
受保护的技术使用者：华侨大学
技术研发日：2017.05.05
技术公布日：2017.09.29