技术特征：
技术总结
本发明涉及一种发光二极管，包括：Si衬底；Ge、Si叠层材料形成的叠层结构，位于所述Si衬底表面的中心位置处；正电极，设位于所述叠层结构的上表面；负电极，设位于所述Si衬底的上表面并位于叠层结构两侧的位置处，以形成所述发光二极管。本发明采用的激光再晶化工艺，具有Ge外延层晶体质量高，工艺步骤简单，工艺周期短，热预算低等优点；本发明通过连续激光辅助晶化Ge外延层，可有效降低GeSi界面的位错密度和表面粗糙度，可显著提高后续器件的质量，进而可显著提高LED发光器件的性能。
技术研发人员：刘晶晶
受保护的技术使用者：厦门科锐捷半导体科技有限公司
技术研发日：2017.05.17
技术公布日：2017.08.15