技术特征：
技术总结
本发明公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的u‑GaN层、n型层、发光层和NiO空穴传输层，发光层包括HC(NH2)2PbBr3层，通过在外延片的n型层上依次层叠设置发光层和NiO空穴传输层，电子和空穴在发光层中复合发光，由于发光层包括HC(NH2)2PbBr3层，HC(NH2)2PbBr3层替代多量子阱结构作为发光层应用于GaN基LED中，可避免Efficiency droop效应，提高LED器件的发光效率，此外，采用HC(NH2)2PbBr3层发光，相比现有的发光层还具有色域广、色纯度高、功耗低、成本低和易于加工等特点。
技术研发人员：丁涛;周飚;胡加辉;李鹏
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2017.05.23
技术公布日：2017.09.15