显示面板及其制造方法与流程

本发明涉及显示技术领域，更具体的说，涉及一种有机发光二极体显示面板及其制造方法。

背景技术：

主动矩阵有机发光二极体(active-matrixorganiclightemittingdiode，amoled)显示屏具有高对比度、广色域、响应速度快等特点。由于amoled具自发光的特色，不需使用背光板，因此比amlcd更能够做得更轻薄甚至柔性。amoled显示屏的主要通过特定的tft进行控制调节oled器件的开关和亮度，在调节三原色的比例之后进行画面显示。其中，控制tft往往采用金属氧化物半导体，其不仅有较高的开态电流和较低的关态电流，还有均匀性和稳定性较高的特点。

经过阳极制程后，再用像素定义层(pixeldefinitionlayer，pdl)层对像素进行定义，接着进行发光层的制程。此传统的制程道数较多，制程复杂，但若省去像素定义层会造成自发光面板显示不均或混色，影响显示效果。

技术实现要素：

本发明所要解决的技术问题是提供一种提高显示效果的显示面板。

本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：

本发明的目的之一是提供一种显示面板，所述显示面板包括：

主动开关，设置在所述基板上；

发光层，形成所述主动开关上，并电性连接于所述主动开关；以及

平坦层，形成于所述主动开关与所述发光层之间，所述平坦层具有通孔；

彩色光阻层，填充于所述平坦层的通孔内，并对位于所述发光层。

本发明的目的之一是提供一种显示面板的制造方法，包括：

提供一基板；

形成主动开关在所述基板上；

形成发光层于所述主动开关上，并电性连接于所述主动开关；以及

形成平坦层于所述主动开关与所述发光层之间，其中所述平坦层具有通孔；

填充彩色光阻层于所述平坦层的通孔内，所述彩色光阻层是对位于所述发光层。

本发明的目的之一是提供一种显示面板，所述显示面板包括：

基板；

主动开关，设置在基板上；

发光层，所述主动开关上，并电性连接于所述主动开关；以及

钝化层，形成于所述主动开关与所述发光层之间，所述钝化层具有凹部；

彩色光阻层，填充于所述钝化层的凹部内，并对位于所述发光层。

本发明的目的之一是提供一种显示面板的制造方法，包括：

提供一基板；

形成主动开关在所述基板上；

形成发光层于所述主动开关上，并电性连接于所述主动开关；以及

形成钝化层于所述主动开关与所述发光层之间，其中所述钝化层具有凹部；

填充彩色光阻层于所述钝化层的凹部内，所述彩色光阻层是对位于所述发光层。

本发明还提供一种显示面板，所述显示面板包括：

基板；

主动开关，设置在基板上；

平坦层，位于所述主动开关上，并具有一像素定义凹部；

发光层，形成于所述像素定义凹部内，并电性连接于所述主动开关。

本发明还提供一种显示面板，所述显示面板包括：

基板；

主动开关，设置在基板上；

发光层，设置在主动开关上；

所述基板和发光层之间设有遮光层，所述遮光层设有透光区域，所述透光区域与所述发光层在基板上的正投影区域相对应，所述透光区域对显示面板的像素进行定义。

其中，所述基板上覆盖设置有缓冲层和钝化层，所述缓冲层与所述钝化层之间设有层间介质层，所述钝化层与所述发光层之间设有平坦层，所述发光层包括发光器件，所述遮光层对所述发光器件的光线进行修正。这样，钝化层的设置能够非常好的对主动开关进行保护，进一步的延长了显示面板的使用寿命；遮光层遮挡了发光层边缘显示不均的部分，只发出显示均匀且与设计相符的光线，有效的防止了自发光显示面板的显示不均或混色现象，从而很好的保证了自发光显示面板的显示效果。

其中，所述发光器件为白色有机发光二极管，所述钝化层的上表面或下表面设有彩色光阻层，所述彩色光阻层与所述白色有机发光二极管相对应设置。这样，白色有机发光二极管在基板上的正投影面积大于彩色光阻层在基板上的正投影面积，而且白色有机发光二极管在基板上的正投影能够完全覆盖彩色光阻层在基板上的正投影，使得白色有机发光二极管发射的光线能够非常好的穿过彩色光阻层，从而可以非常好的提高显示面板的显示效果；同时白色有机发光二极管的技术难度和制造成本较低，易于实现显示面板的商品化。

其中，所述发光器件为彩色有机发光二极管。这样，相对于白色有机发光二极管，彩色有机发光二极管的发光效率更好，其亮度和对比度都优于白色有机发光二极管，而且能够有效的降低显示面板的厚度，使得显示面板更加的轻薄，具有更好的市场竞争力。

其中，所述主动开关包括半导体层、源极、漏极，所述半导体层设在所述缓冲层与所述层间介质层之间，所述源极和所述漏极的一端均设在所述钝化层和所述层间介质层之间，所述源极和所述漏极的另一端穿过所述层间介质层分别连接在半导体层的两端。

其中，所述主动开关包括栅极，所述栅极设在所述层间介质层内，所述栅极和所述半导体层之间设有栅极绝缘层。这样，栅极设在源极和漏极之间的位置，也能起到很好的遮光作用。

其中，所述半导体层为铟镓锌氧化物薄膜层。这样，通过铟镓锌氧化物薄膜层的设置，能够非常有效的降低显示面板的功耗，从而更好的节省电能，非常的节约环保；而且其载流子迁移率是非晶硅的20至30倍，可以大大提高主动开关2对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得分辨率可以达到全高清乃至超高清级别程度。

其中，所述源极穿过所述缓冲层与所述遮光层相连接。这样，能够非常有效的对发光层的光线进行遮挡，有效的防止了发光层的光线在主动开关出现漏光，有效的缓解了显示不均或混色现象，使得显示面板的具有更好的显示效果，从而进一步的提高了显示面板的显示效果。

其中，所述源极和所述漏极在所述基板的正投影之间也设有所述遮光层，且所述遮光层在所述基板填充所述源极和所述漏极在所述基板的正投影之间的间隔空隙。这样，发光层的光线照射到源极和漏极上，源极和漏极对光线进行有效的遮挡，发光层的光线照射到源极和漏极之间的位置，首先栅极能够很好的对光线进行遮挡，没有被遮挡的照射到遮光层，遮光层在基板填充源极和漏极在基板的正投影之间的间隔空隙，能够非常有效的对发光层的光线进行遮挡，有效的防止了发光层的光线在主动开关出现漏光，有效的缓解了显示不均或混色现象，使得显示面板的具有更好的显示效果，从而进一步的提高了显示面板的显示效果。

根据本发明的另一个方面，本发明还公开了一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的显示面板。

本发明由于运用遮光层对自发光显示面板的像素进行定义，可减少传统自发光显示面板的一道像素定义层制程，亦能防止像素定义层制成对前面的制程造成的影响，可实现对显示面板的有效保护，使得显示面板的具有更好的显示效果，从而进一步的提高了显示面板的显示效果；而且用遮光层对自发光显示面板的像素进行定义，遮挡了发光层边缘显示不均的部分，只发出显示均匀且与设计相符的光线，有效的防止了自发光显示面板的显示不均或混色现象，从而很好的保证了自发光显示面板的显示效果；同时在减少像素定义层制程的同时，也减小了像素定义层制程中的温度对平坦层穿透率的负面影响，能够非常好的对平坦层进行非常好的保护，从而保证了显示面板的寿命和效率；优化自发光显示面板结构制程，减少像素定义层制程，能够非常好的节约生产成本，也能进一步的提高平坦层的制程适应性能。

附图说明

图1是本发明实施例的发明人设计的显示面板的剖面示意图；

图2是本发明实施例的发明人设计的显示面板的剖面示意图；

图3是本发明实施例的显示面板的剖面示意图；

图4是本发明实施例的显示面板的剖面示意图；

图5是本发明实施例的显示面板的剖面示意图；

图6是本发明实施例的显示面板的部分剖面示意图；

图7是本发明实施例的显示面板的部分剖面示意图；

图8是本发明实施例的显示面板的部分剖面示意图。

具体实施方式

这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个组件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。

下面结合附图和较佳的实施例对本发明作进一步说明。

如图1和图2所示，主动开关2阵列常用的结构有刻蚀阻挡，背沟道刻蚀，共平面自对准顶栅以及双栅机等结构。其中共平面自对准顶栅无需考虑沟道刻蚀问题，且自对准的方式能减小沟道长度，提高面板分辨率。在自发光显示面板结构中，往往会先有一道制程形成平坦层15，经过阳极制程后，再用像素定义层161(pixeldefinitionlayer，pdl)对像素进行定义，接着进行发光材料的制程。

上述制程道数较多，制程复杂，但若省去像素定义层161会造成自发光面板显示不均或混色，影响显示效果。且平坦层15的穿透在后续制程受温度影响较大，平坦层15后续制程越少为佳。因此，提供一种新的技术方案，可以有效的减少后续制程，提高显示效果的显示面板。

下面参考附图描述本发明实施例的显示面板结构示意图。

如图3所示的实施例，所述显示面板包括：基板1、主动开关2和发光层16；基板1和发光层16之间设有遮光层11，遮光层11设有透光区域，透光区域与发光层16在基板上的正投影区域相对应，透光区域对显示面板的像素进行定义。

通过运用遮光层11对自发光显示面板的像素进行定义，可减少传统自发光显示面板的一道像素定义层161制程，亦能防止像素定义层161制成对前面的制程造成的影响，可实现对显示面板的有效保护，使得显示面板的具有更好的显示效果，从而进一步的提高了显示面板的显示效果；而且用遮光层11对自发光显示面板的像素进行定义，遮挡了发光层16边缘显示不均的部分，只发出显示均匀且与设计相符的光线，有效的防止了自发光显示面板的显示不均或混色现象，从而很好的保证了自发光显示面板的显示效果；同时在减少像素定义层161制程的同时，也减小了像素定义层161制程中的温度对平坦层15穿透率的负面影响，能够非常好的对平坦层15进行非常好的保护，从而保证了显示面板的寿命和效率；优化自发光显示面板结构制程，减少像素定义层161制程，能够非常好的节约生产成本，也能进一步的提高平坦层15的制程适应性能。

基板1上覆盖设置有缓冲层12和钝化层14，缓冲层12与钝化层14之间设有层间介质层13，主动开关2能够非常好的起到遮光的作用，有效的缓解了显示不均或混色现象，使得显示面板的具有更好的显示效果。

钝化层14的设置能够非常好的对主动开关2进行保护，进一步的延长了显示面板的使用寿命，钝化层14与发光层16之间设有平坦层15，发光层16包括发光器件，遮光层11对发光器件的光线进行修正，钝化层14遮挡了发光层16边缘显示不均的部分，只发出显示均匀且与设计相符的光线，有效的防止了自发光显示面板的显示不均或混色现象，从而很好的保证了自发光显示面板的显示效果；发光层16下表面设有透明阳极18，即透明阳极18设在发光层16与平坦层15之间，透明阳极有多种材料可供选择，例如可以采用石墨烯复合材料、氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化铟锡锌(itzo)、铝掺杂氧化锌(azo)、镓掺杂氧化锌(gzo)、氧化锌(zno)或聚乙撑二氧噻吩(pedot)等透明导电材料制作，发光层16上表面设有金属阴极19。

发光器件为白色有机发光二极管162，钝化层14的上表面设有彩色光阻层17，彩色光阻层17与白色有机发光二极管162相对应设置，白色有机发光二极管162在基板1上的正投影面积大于彩色光阻层17在基板1上的正投影面积，而且白色有机发光二极管162在基板1上的正投影能够完全覆盖彩色光阻层17在基板1上的正投影，使得白色有机发光二极管162发射的光线能够非常好的穿过彩色光阻层17，从而可以非常好的提高显示面板的显示效果；同时白色有机发光二极管162的技术难度和制造成本较低，易于实现显示面板的商品化。

若彩色光阻层17设在钝化层14的下表面，即彩色光阻层17设在钝化层14与层间介质层13之间，通过将钝化层14覆盖于主动开关2和彩色光阻层17上，能有效防止彩色滤光片在后续制程中彩色光阻层17的气体溢出问题的出现，使得钝化层14能够非常好的对彩色光阻层17进行非常好的保护，从而保证了显示面板的寿命和效率，而且不需要增加制程的步骤，也不需要改变目前光罩的样式，仅需改变制程光罩顺序，即可实现对显示面板的有效保护，使得显示面板的具有更好的显示效果，从而进一步的提高了显示面板的显示效果。

主动开关2包括半导体层24、源极22、漏极23，半导体层24设在缓冲层12与层间介质层13之间，源极22和漏极23的一端均设在钝化层14和层间介质层13之间，源极22和漏极23的另一端穿过层间介质层13分别连接在半导体层24的两端；主动开关2包括栅极21，栅极21设在层间介质层13内，栅极21和半导体层24之间设有栅极绝缘层25，栅极21设在源极22和漏极23之间的位置，也能起到很好的遮光作用。

半导体层24为氧化物薄膜层，氧化物薄膜层可以采用的材料有zno，zn-sn-o，in-zn-o，mgzno，in-ga-o，in2o3等，这些材料的制备可以采用磁控溅射，脉冲激光沉积，电子束蒸发等方法制备，相对于传统的非晶硅存在着载流子迁移率较低，光敏性强的问题，氧化物薄膜层薄膜层具有较高的载流子迁移率特性，而且在均匀性和稳定性等方面都具有明显的优势，显示出了巨大的应用前景；采用氧化物薄膜层的主动开关2具有较高的开关电流花比和较高的场效应迁移率，响应速度快，能够实现较大的驱动电流，可以制备大面积的显示面板；而且采用氧化物薄膜层的主动开关2可在室温下制备，低的制备温度就可以使用柔性衬底，从而导致柔性显示的出现，柔性显示技术与现有的显示技术相比具有更便携，更轻，更耐摔等，而采用氧化物半导体是最适合用于柔性显示的半导体材料。

可选的，氧化物薄膜层采用铟镓锌氧化物薄膜层，通过铟镓锌氧化物薄膜层的设置，能够非常有效的降低显示面板的功耗，从而更好的节省电能，非常的节约环保；而且其载流子迁移率是非晶硅的20至30倍，可以大大提高主动开关2对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得分辨率可以达到全高清(fullhd)乃至超高清(ultradefinition)级别程度；另外，由于晶体管数量减少和提高了每个像素的透光率，使得显示面板具有更高的能效水平，而且效率更高；同时，利用现有的非晶硅生产线生产，只需稍加改动，因此在成本方面比低温多晶硅更有竞争力。

源极22穿过缓冲层12与遮光层11相连接，能够非常有效的对发光层16的光线进行遮挡，有效的防止了发光层16的光线在主动开关2出现漏光，有效的缓解了显示不均或混色现象，使得显示面板的具有更好的显示效果，从而进一步的提高了显示面板的显示效果。

源极22和漏极23在基板1的正投影之间也设有遮光层11，且遮光层11在基板1填充源极22和漏极23在基板1的正投影之间的间隔空隙，发光层16的光线照射到源极22和漏极23上，源极22和漏极23对光线进行有效的遮挡，发光层16的光线照射到源极22和漏极23之间的位置，首先栅极21能够很好的对光线进行遮挡，没有被遮挡的照射到遮光层11，遮光层11在基板1填充源极22和漏极23在基板1的正投影之间的间隔空隙，能够非常有效的对发光层16的光线进行遮挡，有效的防止了发光层16的光线在主动开关2出现漏光，有效的缓解了显示不均或混色现象，使得显示面板的具有更好的显示效果，从而进一步的提高了显示面板的显示效果；当然也可以在栅极21在基板1上的正投影处不设置遮光层11，这样能够非常有效的节省耗材，能够非常好的降低显示面板的生产成本，而且能够有效的降低显示面板的质量，使得显示面板更加的方便移动。

图4所示的实施方式公开的显示面板包括：基板1、主动开关2和发光层16；基板1和发光层16之间设有遮光层11，遮光层11设有透光区域，透光区域与发光层16在基板上的正投影区域相对应，透光区域对显示面板的像素进行定义。

通过运用遮光层11对自发光显示面板的像素进行定义，可减少传统自发光显示面板的一道像素定义层161制程，亦能防止像素定义层161制成对前面的制程造成的影响，可实现对显示面板的有效保护，使得显示面板的具有更好的显示效果，从而进一步的提高了显示面板的显示效果；而且用遮光层11对自发光显示面板的像素进行定义，遮挡了发光层16边缘显示不均的部分，只发出显示均匀且与设计相符的光线，有效的防止了自发光显示面板的显示不均或混色现象，从而很好的保证了自发光显示面板的显示效果；同时在减少像素定义层161制程的同时，也减小了像素定义层161制程中的温度对平坦层15穿透率的负面影响，能够非常好的对平坦层15进行非常好的保护，从而保证了显示面板的寿命和效率；优化自发光显示面板结构制程，减少像素定义层161制程，能够非常好的节约生产成本，也能进一步的提高平坦层15的制程适应性能。

基板1上覆盖设置有缓冲层12和钝化层14，缓冲层12与钝化层14之间设有层间介质层13，主动开关2能够非常好的起到遮光的作用，有效的缓解了显示不均或混色现象，使得显示面板的具有更好的显示效果。

钝化层14的设置能够非常好的对主动开关2进行保护，进一步的延长了显示面板的使用寿命，钝化层14与发光层16之间设有平坦层15，发光层16包括发光器件，遮光层11对发光器件的光线进行修正；钝化层14遮挡了发光层16边缘显示不均的部分，只发出显示均匀且与设计相符的光线，有效的防止了自发光显示面板的显示不均或混色现象，从而很好的保证了自发光显示面板的显示效果；发光层16下表面设有透明阳极18，即透明阳极18设在发光层16与平坦层15之间，发光层16上表面设有金属阴极19。

发光器件可为彩色有机发光二极管163，相对于白色有机发光二极管162，彩色有机发光二极管163的发光效率更好，其亮度和对比度都优于白色有机发光二极管162，而且能够有效的降低显示面板的厚度，使得显示面板更加的轻薄，具有更好的市场竞争力。

主动开关2包括半导体层24、源极22、漏极23，半导体层24设在缓冲层12与层间介质层13之间，源极22和漏极23的一端均设在钝化层14和层间介质层13之间，源极22和漏极23的另一端穿过层间介质层13分别连接在半导体层24的两端；主动开关2包括栅极21，栅极21设在层间介质层13内，栅极21和半导体层24之间设有栅极绝缘层25，栅极21设在源极22和漏极23之间的位置，也能起到很好的遮光作用。

半导体层24为氧化物薄膜层，氧化物薄膜层可以采用的材料有zno，zn-sn-o，in-zn-o，mgzno，in-ga-o，in2o3等，这些材料的制备可以采用磁控溅射，脉冲激光沉积，电子束蒸发等方法制备，相对于传统的非晶硅存在着载流子迁移率较低，光敏性强的问题，氧化物薄膜层薄膜层具有较高的载流子迁移率特性，而且在均匀性和稳定性等方面都具有明显的优势，显示出了巨大的应用前景；采用氧化物薄膜层的主动开关2具有较高的开关电流花比和较高的场效应迁移率，响应速度快，能够实现较大的驱动电流，可以制备大面积的显示面板；而且采用氧化物薄膜层的主动开关2可在室温下制备，低的制备温度就可以使用柔性衬底，从而导致柔性显示的出现，柔性显示技术与现有的显示技术相比具有更便携，更轻，更耐摔等，而采用氧化物半导体是最适合用于柔性显示的半导体材料。

可选的，氧化物薄膜层采用铟镓锌氧化物薄膜层，通过铟镓锌氧化物薄膜层的设置，能够非常有效的降低显示面板的功耗，从而更好的节省电能，非常的节约环保；而且其载流子迁移率是非晶硅的20至30倍，可以大大提高主动开关2对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率，使得分辨率可以达到全高清乃至超高清级别程度；另外，由于晶体管数量减少和提高了每个像素的透光率，使得显示面板具有更高的能效水平，而且效率更高；同时，利用现有的非晶硅生产线生产，只需稍加改动，因此在成本方面比低温多晶硅更有竞争力。

源极22穿过缓冲层12与遮光层11相连接，能够非常有效的对发光层16的光线进行遮挡，有效的防止了发光层16的光线在主动开关2出现漏光，有效的缓解了显示不均或混色现象，使得显示面板的具有更好的显示效果，从而进一步的提高了显示面板的显示效果。

源极22和漏极23在基板1的正投影之间也设有遮光层11，且遮光层11在基板1填充源极22和漏极23在基板1的正投影之间的间隔空隙，发光层16的光线照射到源极22和漏极23上，源极22和漏极23对光线进行有效的遮挡，发光层16的光线照射到源极22和漏极23之间的位置，首先栅极21能够很好的对光线进行遮挡，没有被遮挡的照射到遮光层11，遮光层11在基板1填充源极22和漏极23在基板1的正投影之间的间隔空隙，能够非常有效的对发光层16的光线进行遮挡，有效的防止了发光层16的光线在主动开关2出现漏光，有效的缓解了显示不均或混色现象，使得显示面板的具有更好的显示效果，从而进一步的提高了显示面板的显示效果；当然也可以在栅极21在基板1上的正投影处不设置遮光层11，这样能够非常有效的节省耗材，能够非常好的降低显示面板的生产成本，而且能够有效的降低显示面板的质量，使得显示面板更加的方便运输或搬运。

如图5所示，本实施例对钝化层进行改进，将钝化层两层，钝化层设在平坦层15和层间介质层13之间，彩色光阻层17设在两层钝化层之间，源极22和漏极23为金属材料制成，源极22和漏极23的侧边从微结构来看都有金属毛刺的现象，通过设置两层钝化层，能够更好的对金属层上的金属毛刺进行覆盖，非常有效的防止金属毛刺裸露在保护层外，使得保护层能够更好的对金属层进行保护，有效的避免后续的制程对源极22和漏极23的影响，从而非常好的提高显示面板的良品率；而且将彩色光阻层17设在两层钝化层之间，能够非常好的对彩色光阻层17进行保护，有效的防止后续制程使彩色光阻层17的有机材料释放出一些有害杂质气体，从而实现对显示面板的有效保护，增加其效率及寿命。

如图6所示，在一实施例中，所述显示面板可包括：基板1；主动开关2，设置在基板1上；平坦层151，位于所述主动开关2上，并具有一像素定义凹部152；发光层16，可形成于所述像素定义凹部152内，并电性连接于所述主动开关2。

因此，如图6所示，通过平坦层151的像素定义凹部152，可直接定义发光层16的像素区域，而不需利用像素定义层。

如图7所示，在一实施例中，所述显示面板可包括：基板1；主动开关2(未显示于图7中)，设置在基板1上；发光层16，形成所述主动开关2上，并通过透明电极18(透明阳极)来电性连接于所述主动开关2；钝化层，形成于所述主动开关2与所述发光层16之间，所述钝化层141具有凹部142；以及彩色光阻层17，填充于所述钝化层141的凹部142内，并对位于所述发光层16。

具体地，如图7所示，钝化层141可形成于层间介质层13上。

上述显示面板的制造方法可包括：

提供一基板1；

形成主动开关2在所述基板1上；

形成发光层16于所述主动开关2上，并电性连接于所述主动开关2；以及

形成钝化层141于所述主动开关2与所述发光层16之间，其中所述钝化层141具有凹部142；

填充彩色光阻层17于所述钝化层141的凹部142内，所述彩色光阻层17是对位于所述发光层16。

因此，如图7所示，通过钝化层141的凹部142，可直接填充彩色光阻层17于凹部142内，而不需再图案化彩色光阻层17，或者可直接省略平坦层15的设置。

如图8所示，在一实施例中，所述显示面板可包括：基板1；主动开关2，设置在所述基板1上；发光层16，形成所述主动开关2上，并通过透明电极18(透明阳极)来电性连接于所述主动开关2；以及平坦层153，形成于所述主动开关2与所述发光层16之间，所述平坦层153可具有通孔154；彩色光阻层17，填充于所述平坦层153的通孔154内，并对位于所述发光层16。

上述显示面板的制造方法可包括：

提供一基板1；

形成主动开关2在所述基板1上；

形成发光层16于所述主动开关2上，并电性连接于所述主动开关2；以及

形成平坦层153于所述主动开关2与所述发光层16之间，其中所述平坦层153具有通孔154；

填充彩色光阻层17于所述平坦层153的通孔154内，所述彩色光阻层17是对位于所述发光层16。

具体地，在形成平坦层153于钝化层14上之后，可先蚀刻形成通孔154，接着填充彩色光阻层17于所述平坦层153的通孔154内。接着，蚀刻形成通孔155，接着形成透明电极18于平坦层153上。

因此，如图8所示，通过平坦层153的通孔154，可直接填充彩色光阻层17于凹部142内，而不需再图案化彩色光阻层17。

在各实施例中，显示面板例如包括，然不限于此，有机发光二极管(oled)、白光有机发光二极管(whiteorganiclightemittingdiode，w-oled)、主动矩阵有机发光二极管(active-matrixorganiclightemittingdiodes，amoled)、被动矩阵有机发光二极管(passive-matrixorganiclightemittingdiodes，pmoled)、可挠性有机发光二极管(flexibleorganiclightemittingdiodes，foled)、堆栈式有机发光二极管(stackedorganiclightemittingdiodes，soled)、串联式(tandemorganiclightemittingdiode)、透明有机发光二极管(transparentorganiclightemittingdiodes，toled)、顶发光式有机发光二极管(topemittingorganiclightemittingdiode)、底发光式有机发光二极管(bottomemittingorganiclightemittingdiode)、荧光掺杂有机发光二极管(fluorescencedopedorganiclightemittingdiode，f-oled)及磷光有机发光二极管(phosphorescentorganiclightemittingdiode，pholed)。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本发明的保护范围。