一种OLED显示基板及制备方法、显示面板及显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种oled显示基板及制备方法、显示面板及显示装置。

背景技术：

amoled(activematrixorganiclight-emittingdisplay，主动式或有源式有机电致发光显示)由于其较好的显示画质在消费电子类产品市场上迅速扩张，随着用户对显示画质要求的不断提高，oled显示基板的分辨率也越来越高，同时也带来了新的问题。例如，对于oled显示基板中每个oled器件均发出白光，再与彩膜基板相对合，以进行彩色显示的发光模式，由于每个oled器件均为电致发白光的器件，对应于各像素的白光oled器件中的发光功能层是设在像素限定层上的整层结构。而对于oled显示基板中oled器件均发出红/绿/蓝或其他颜色的彩色发光模式，为了简化oled器件的制备工艺，对应于各像素的oled器件中的发光功能层中的部分结构层也是相互连接在一起的。

这样一来，当oled显示基板显示某特性像素的时候，由于各oled器件的发光功能层中相互连接在一起的结构层存在沿着层方向的横向导电问题，导致该像素进行显示时，其周边一个或者多个像素也会同时点亮，从而出现了像素间串扰(cross-talk)的问题。

尤其是当发光功能层中的有机电致发光层(electroluminescent，el)采用某些p掺杂或者n掺杂的材料时，由于p掺杂或n掺杂材料的横向导电率较高，更容易引起像素间串扰的问题。为了解决上述串扰问题，现有技术尝试通过将p掺杂或n掺杂材料替换为横向导电率较低的材料，但这样会导致发光功能层的材料选择范围大大减少，或者会存在替换的材料影响oled器件效能的弊端。

技术实现要素：

鉴于此，为解决现有技术的问题，本发明的实施例提供一种oled显示基板及制备方法、显示面板及显示装置，可提高铺设在像素限定层上的发光功能层的面积、增加其电阻，从而提高了易于发生串扰的发光功能层中的电压降(irdrop)，有效减少了相邻像素间的串扰；同时，提高了对发光功能层的材料选择范围。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面、本发明实施例提供了一种oled显示基板，包括基板，划分有多个发光区域；设置在所述基板上的像素限定层，所述像素限定层上设置有与每个发光区域相对应的开孔；所述像素限定层远离所述基板的一面上还设置有凹陷结构和/或凸起结构。

可选的，所述oled显示基板还包括，设置在所述基板上对应于每个发光区域的第一电极，所述开孔露出所述第一电极的至少部分区域；发光功能层，包括层叠设置的多层结构层；其中，至少有一层所述结构层设置在所述开孔内、所述像素限定层远离所述基板的一面上以及所述凹陷结构内和/或所述凸起结构上。

优选的，所述发光功能层中的各层结构层均设置在所述开孔内、所述像素限定层远离所述基板的一面上以及所述凹陷结构内和/或所述凸起结构上。

优选的，所述发光功能层用于发出白光。

可选的，所述开孔呈阵列排布；在至少一行所述开孔中，相邻两个所述开孔之间均设置有所述凹陷结构和/或所述凸起结构；和/或，在至少一列所述开孔中，相邻两个所述开孔之间均设置有所述凹陷结构和/或所述凸起结构。

可选的，所述凹陷结构沿垂直于所述oled显示基板方向的截面形状包括，矩形、三角形、正梯形和倒梯形中的至少一种；或者，所述凸起结构沿垂直于所述oled显示基板方向的截面形状包括，矩形、三角形、正梯形和倒梯形中的至少一种。

优选的，所述oled显示基板还包括，设置在所述发光功能层上的第二电极。

可选的，所述基板包括，衬底基板和设置在所述衬底基板上的晶体管阵列层。

第二方面、本发明实施例提供了一种oled显示基板的制备方法，所述制备方法包括，提供一基板，所述基板划分有多个发光区域；在所述基板上形成绝缘材料薄膜；对所述绝缘材料薄膜进行构图工艺处理，形成像素限定层；其中，所述像素限定层上形成有与每个发光区域相对应的开孔，所述像素限定层远离所述基板的一面上还形成有凹陷结构和/或凸起结构。

可选的，所述对所述绝缘材料薄膜进行构图工艺处理，形成像素限定层的步骤之前，所述制备方法还包括，在所述基板上形成对应于每个发光区域的第一电极；待形成的开孔露出所述第一电极的至少部分区域；在所述对所述绝缘材料薄膜进行构图工艺处理，形成像素限定层的步骤之后，所述制备方法还包括，形成发光功能层，包括层叠设置的多层结构层；其中，至少有一层所述结构层覆盖在所述开孔内、所述像素限定层远离所述基板的一面上以及所述凹陷结构内。

第三方面、本发明实施例提供了一种显示面板，包括上述所述的oled显示基板和相对于所述oled显示基板的对合基板。

可选的，所述对合基板为封装盖板、或贴附有触控电极层的触控盖板、或彩膜基板。

第四方面、本发明实施例提供了一种显示装置，包括上述所述的显示面板。

基于此，本发明实施例通过在像素限定层20上设置凹槽凹陷结构和/或凸起结构使其具有了弯路形状，相比于如图2所示的现有技术中平直的像素限定层，使得铺设在像素限定层20上的容易发生横向串扰的发光功能层的面积更大，即增加铺设在其上的漏电层的横向长度，进而增大了易于发生串扰的结构层的irdrop，从而有效减少像素间的串扰；同时，提高了对发光功能层的材料选择范围，亦不存在替换的材料影响oled器件效能的弊端问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种oled显示基板的局部剖面结构示意图一；

图2为现有技术提供的一种oled显示基板的局部剖面结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种oled显示基板的局部剖面结构示意图二；

图4为本发明实施例提供的一种oled显示基板的局部剖面结构示意图三；

图5为本发明实施例提供的一种oled显示基板的局部剖面结构示意图四；

图6为本发明实施例提供的一种oled显示基板的局部剖面结构示意图五；

图7为本发明实施例提供的一种oled显示基板的局部剖面结构示意图六；

图8为本发明实施例提供的一种oled显示基板的局部剖面结构示意图七；

图9为本发明实施例提供的一种oled显示基板的局部剖面结构示意图八；

图10为本发明实施例提供的一种oled显示基板的局部剖面结构示意图九；

图11为本发明实施例提供的一种oled显示基板的局部剖面结构示意图十。

附图标记：

10-基板；20-像素限定层；21-开孔；22-凹陷结构；23-凸起结构；31-第一电极；32-第二电极；40-发光功能层。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要指出的是，除非另有定义，本发明实施例中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员共同理解的相同含义。还应当理解，诸如在通常字典里定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义，而不应用理想化或极度形式化的意义来解释，除非这里明确地这样定义。

例如，本发明专利申请说明书以及权利要求书中所使用的术语“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，仅是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“一侧”、“另一侧”等指示的方位或位置关系的术语为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于说明本发明的技术方案的简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

如图1或图2所示，本发明实施例提供了一种oled显示基板，包括基板10，划分有多个发光区域；设置在基板上的像素限定层20，该像素限定层20上设置有与每个发光区域相对应的开孔21；该像素限定层20远离基板10的一面上还设置有凹陷结构22和/或凸起结构23。

对于上述各结构需要说明的是，第一、本领域技术人员应当理解，上述的基板10是指包括有衬底基板和设置在衬底基板上的用于控制各oled器件的由阵列排布的多个晶体管构成的晶体管阵列层的结构。

第二，参考图1或图2所示，上述oled显示基板还包括有，设置在基板10上对应于每个发光区域的第一电极31，上述的开孔露出第一电极31的至少部分区域。示例的，当上述第一电极31具体为oled器件中的阳极时，其通过覆盖晶体管阵列层的绝缘层上的过孔与晶体管的漏极实现电性连接，具体结构可沿用现有技术，本发明实施例对此不作限定。

以及，设置在第一电极31上方的发光功能层40，该发光功能层40具体可包括有空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层等层叠设置的多层结构层；其中，上述发光功能层40中至少有一层结构层是设置在上述开孔21内、上述像素限定层20远离基板的一面上以及凹陷结构22内和/或凸起结构23上，即至少有一层结构层是铺设在像素限定层20的整层上。

上述oled显示面板上还包括有，设置在发光功能层40上的第二电极32。这里，当前述的第一电极31为阳极时，相对的第二电极32即为阴极。由于各oled器件的阳极为间隔开来的、互不接触的独立电极，为简化工艺，参考图1所示，可以将第二电极32整层铺设在发光功能层40之上，即各oled器件的阴极为连接在一起的一体结构。

第三、上述像素限定层(pixeldefininglayer，pdl)20远离基板10的一面上设置有凹陷结构22和/或凸起结构23，即指凹陷结构22的凹陷开口方向是朝向远离基板10的一侧、凸起结构23的凸起面朝向远离基板10的一侧。本发明实施例对凹陷结构22和/或凸起结构23的具体形状、数量及排列不作限定，像素限定层20远离基板10的一面上只要设置有凹陷结构22和/或凸起结构23增大其有效面积即可。

其中，凹陷结构22具体可为凹槽或将像素限定层20直接打通的孔状结构。

在背景技术中提出的前述现有技术的问题中，像素间信号串扰的问题是由于oled器件中发光功能层材料的横向电阻较小而导致的横向漏电所导致的。这里所指的“横向”，是相对于oled器件的发光方向而言，由于oled器件的发光方向为垂直于发光功能层的层面方向，即从一个oled器件中的一个电极指向相对的另一个电极的方向为纵向，相对的，平行于发光功能层的层面方向即为横向。由于oled器件的发出的光是垂直于发光功能层的层面方向(即沿纵向)射出的，横向漏电对于oled器件的发光效率的提升是无效的。

下面为了简要起见，将平铺在像素限定层20上的容易发生横向漏电串扰的发光功能层(可以为其中一层或多层)称为漏电层。由以下电阻的公式可得出，对于发光功能层给定的材料而言，其电阻率ρ是固定的，截面面积也是固定的(截面面积由发光功能层的厚度决定，厚度太小不利于oled器件的制备)，故只能通过增大漏电层的横向长度来增大其电阻，从而增大这一层的irdrop(电压降，即电阻两端的电位差)，从而达到了减少相邻像素间的串扰的问题。

其中，r表示电阻，ρ表示电阻率，s表示界面面积，l表示电阻的长度。

基于此，本发明实施例通过在像素限定层20上设置凹陷结构和/或凸起结构使其具有了弯路形状，相比于如图2所示的现有技术中平直的像素限定层，使得铺设在像素限定层20上的容易发生横向串扰的发光功能层的面积更大，即增加铺设在其上的漏电层的横向长度，进而增大了易于发生串扰的结构层的irdrop，从而有效减少像素间的串扰；同时，提高了对发光功能层的材料选择范围，亦不存在替换的材料影响oled器件效能的弊端问题。

上述弯路的形状，即凹陷结构22沿垂直于oled显示面板方向的截面形状可以包括但不限于，如图4所示的矩形、如图5所示的三角形、如图6所示的正梯形以及如图7所示的倒梯形中的至少一种。其中，凹陷结构22的具体结构可通过光刻工艺来实现某特定形状的像素限定层pdl，工艺简单，易于实现。

或者，上述弯路的形状，即凸起结构23沿垂直于oled显示面板方向的截面形状可以包括但不限于，如图8所示的矩形、如图9所示的三角形、如图10所示的正梯形以及如图11所示的倒梯形中的至少一种。其中，凸起结构23的具体结构可通过光刻工艺来实现某特定形状的像素限定层pdl，工艺简单，易于实现。考虑到由于白光oled器件各像素单元均发出白光，发光功能层40中的各层结构均是平铺在像素限定层20上的，其发生横向漏电的问题较为严重，因此本发明实施例进一步优选的，上述发光功能层40中的各层结构均设置在开孔21内、像素限定层20远离基板10的一面上以及凹陷结构22内和/或凸起结构23上。

其中，发光功能层40中的发光层可以由依次发出红光、绿光和蓝光的发光材料层叠设置而成，各颜色的光混合在一起显示为白光；或者，发光功能层40也可以为一层材料，其中掺杂有发出红光、绿光和蓝光的发光材料，从而可显著降低白光oled显示基板中相邻像素间串扰的问题。

进一步的，像素限定层20上的开孔21呈阵列排布(即各像素单元呈阵列排列)；在至少一行开孔21中，相邻两个开孔21之间均设置有上述凹陷结构22(一个或多个)和/或上述凸起结构23；(一个或多个)；和/或，在至少一列开孔21中，相邻两个开孔21之间均设置有上述凹陷结构22(一个或多个)和/或上述凸起结构23；(一个或多个)。

这里，更进一步优选为，在每行和/或每列开孔21的间隔处均设置有上述的凹陷结构22和/或凸起结构23，即像素限定层20上的弯路设计是均匀分布在整个像素限定层20上，从而可以减小沿行方向和/或沿列方向的像素间的由横向漏电而导致的串扰问题。

上述像素限定层pdl远离基板的一面上也可以同时设置有上述凹陷结构22和上述凸起结构23，但是考虑到简化制备工艺，本发明实施例优选为上述像素限定层pdl仅设置凹陷结构22或凸起结构23的一种弯路设计，以增加像素限定层pdl的表面积。

并且，考虑到当上述像素限定层pdl设置凸起结构23时，由于其表面不平整会增加对上述oled显示基板进行封装和/或贴合的难度，故本发明实施例进一步优选为上述像素限定层pdl通过设置凹陷结构22来增加表面积。

下面本发明实施例提供一个具体实施例，用于详细描述上述的oled显示基板的结构。

具体实施例

参考前述图1、图4-图7所示，提供一种oled显示基板，包括：

基板10，划分有多个发光区域；包括衬底基板和晶体管阵列层，其中衬底基板具体可以为如玻璃等刚性衬底或者如pi(polyimide，聚酰亚胺)等柔性衬底。

设置在基板10上对应于每个发光区域的第一电极31，其材料可以为透明的tco(transparentconductiveoxide，导电金属氧化物)或者不透明的ito/ag/ito、alnd等材料。

设置在基板10上的像素限定层20，该像素限定层20上设置有与每个发光区域相对应的开孔21；该像素限定层20远离基板10的一面上还设置有凹陷结构22；上述的开孔露出第一电极31的至少部分区域。像素限定层20可以是有机或者无机的绝缘材料。

设置在第一电极31上方的发光功能层40，该发光功能层40具体可包括有空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层等多种结构层；其中，上述发光功能层40中至少有一层结构层是设置在上述开孔21内、上述像素限定层20远离基板的一面上以及凹陷结构22内，即铺设在像素限定层20的整层上。

设置在发光功能层40上的第二电极32，其材料可以是不透明的金属(如al、mgag)或者透明的薄mgag、tco材料等。

其中，为了使得从发光功能层40中激发出的光可以透射出，第一电极31和第二电极中至少由一者为透明材料。

上述具体实施例是以凹陷结构22为例进行说明，对于凸起结构23的情况同样适用，本发明实施例对此不再赘述。

进一步的，本发明实施例还提供了一种oled显示基板的制备方法，包括，

步骤s01、提供一基板10，该基板10划分有多个发光区域；在基板10上形成绝缘材料薄膜；

步骤s02、对上述的绝缘材料薄膜进行构图工艺处理，以形成像素限定层20；其中，像素限定层20上形成有与每个发光区域相对应的开孔21，像素限定层20远离基板10的一面上还形成有凹陷结构22和/或凸起结构23。

这里，典型的构图工艺是应用一次掩模板，通过对光刻胶曝光、显影、刻蚀膜层、去除光刻胶的工艺。其中，掩模板可以是普通掩模板、或半色调掩模板、或灰色调掩模板，应根据具体构图工艺灵活调整。当上述像素限定层20由光刻胶材料构成时，可以通过曝光、显影即可形成所需的特定弯路设计。

进一步的，在上述步骤s02之前，上述制备方法还包括，在基板10上形成对应于每个发光区域的第一电极31，待形成的像素限定层20上的开孔21露出第一电极31的至少部分区域；

在上述步骤s02之后，上述制备方法还包括，

步骤s03、形成发光功能层40，包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；其中，上述发光功能层40中至少有一层结构层覆盖在上述开孔21内、像素限定层20远离基板的一面上以及上述凹陷结构22内和/或凸起结构23上。

进一步的，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括有上述的oled显示基板和相对于该oled显示基板的对合基板。

其中，上述的对合基板可以为对oled显示基板进行封装后的封装盖板、或贴附有触控电极层的触控盖板、或彩膜基板等，具体可沿用现有技术，本发明实施例对此不作限定。

进一步的，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括有上述的显示面板。上述显示装置具体可以是oled显示器、oled电视、数码相框、手机、平板电脑、数码相框、导航仪等具有任何显示功能的产品或者部件。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。