技术特征：
技术总结
提供了一种半导体装置结构及其制造方法。此半导体装置结构包括：基板；多个侧壁间隔物，位于基板上；栅极结构，位于基板上，且位于上述多个侧壁间隔物之间，其中栅极结构包括：栅极介电层，顺应性位于上述多个侧壁间隔物的侧表面上以及位于上述多个侧壁间隔物之间的基板上；功函数层，顺应性位于栅极介电层上；金属电极，位于功函数层上；及氮化物层，覆盖功函数层及/或金属电极；以及多个源极/漏极区，位于栅极结构的相对侧的基板中。
技术研发人员：黄钲谦;江宗育
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2017.06.15
技术公布日：2019.01.04