技术特征：
技术总结
一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部；形成初始掺杂层，初始掺杂层位于所述鳍部中，所述初始掺杂层表面具有顶尖端；去除所述顶尖端，使初始掺杂层形成掺杂层，且形成掺杂层的处理面；形成掺杂层后，形成位于处理面上的插塞，插塞与所述掺杂层电学连接。所述方法使半导体器件的性能提高。
技术研发人员：张海洋;刘盼盼;王士京
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2017.06.16
技术公布日：2019.01.04