技术特征：
技术总结
一种利用两步晶界扩散工艺制备高性能烧结钕铁硼磁体的方法，属于稀土永磁材料领域。具体工艺步骤是：在洁净的商业烧结钕铁硼磁体表面铺覆低熔点合金扩散源R1‑R2‑TM薄带，其中，R1为La、Ce、Pr、Nd中任选，R2为Dy、Tb中的至少一种，TM为Cu、Al、Ti、Zn、Co、Ni、Fe中至少一种；经过650‑800℃热处理6‑24h，使Tb/Dy沿晶界向磁体内部扩散；850‑950℃热处理1‑4h，富集在晶界相的Tb/Dy向晶粒表层扩散，形成富Tb/Dy的壳层结构；450‑550℃退火1.5‑2.5h，进一步调整边界结构；最终得到高性能烧结钕铁硼磁体。本发明的优点是：充分利用Tb/Dy强化晶粒表面过渡层，提高矫顽力；缩短高温热处理时间，节约能源；避免晶粒异常长大；适用于较厚磁体。
技术研发人员：包小倩;卢克超;陈贵贤;高学绪;李纪恒
受保护的技术使用者：北京科技大学
技术研发日：2017.06.27
技术公布日：2017.10.17