技术特征：
技术总结
一种沟槽式功率半导体元件的制造方法，以形成沟槽内具有遮蔽电极以及栅极电极的沟槽式功率半导体元件。沟槽式功率半导体元件的制造方法中至少包括形成沟槽栅极结构于外延层的沟槽内。沟槽栅极结构具有遮蔽电极、位于遮蔽电极上方的栅极以及一位于遮蔽电极与栅极之间的极间介电层，且形成沟槽栅极结构的步骤至少包括：形成一覆盖所述沟槽的内壁面的绝缘层；以及在形成极间介电层的步骤之前，形成初始间隔层，其中，初始间隔层具有分别覆盖绝缘层的两个内侧壁面的第一侧壁部以及第二侧壁部，第一侧壁部的底端与第二侧壁部的底端彼此分离，且第一侧壁部以及第二侧壁部都具有凸出于所述外延层的延伸部。
技术研发人员：许修文;叶俊莹;倪君伟;李元铭
受保护的技术使用者：帅群微电子股份有限公司
技术研发日：2017.06.30
技术公布日：2019.01.15