阵列基板的制作方法及显示装置的制作方法与流程

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种阵列基板的制作方法及显示装置的制作方法。

背景技术：

有机发光二极管(organiclight-emittingdiode，oled)显示技术广泛的运用于手机、数码摄像机、dvd机、个人数字助理(pda)、笔记本电脑、汽车音响和电视等等。目前oled产品主要通过9个掩膜(mask)步骤来实现。

现有的柔性oled的结构主要包括基板以及依次设置在该基板上的导向膜层、过渡层、有源层、两个栅极、连接层、源极和漏极、平坦层、电极层、隔离层和隔离柱。其中，上述柔性oled的制造方法主要通过9个掩膜的光刻工艺，分别为有源层、两个栅极、连接层、源极和漏极、平坦层、电极层、隔离层和隔离柱。

上述柔性oled的制造方法的生产周期较长，从而造成生产成本的提高。而且，在制作隔离层和隔离柱时，由于需要进行两次光刻工艺，二次曝光的能量过大，导致tft因受到大面积的紫外线照射而产生的阈值电压漂移(vthshift)。

技术实现要素：

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种阵列基板的制作方法及显示装置的制作方法，其不仅可以缩短生产周期，降低生产成本，而且可以避免tft因受到大面积的紫外线照射而产生的阈值电压漂移。

为实现本发明的目的而提供一种阵列基板的制作方法，包括：

在制作隔离层的同时制作隔离柱；

所述在制作隔离层的同时制作隔离柱，包括以下步骤：

s1，形成所述隔离层的薄膜，所述隔离层的薄膜采用有机材料制作；

s2，对所述隔离层的薄膜进行图案化，以形成所述隔离层所需图形以及隔离部；

s3，对所述隔离部进行高温处理，使之厚度增大，形成所述隔离柱。

其中，在所述步骤s2中，所述隔离层所需图形在所述隔离部所在位置形成凹槽，所述隔离部独立地位于所述凹槽内。

其中，在所述步骤s2中，所述隔离部的长度在4～15um；所述隔离部的宽度在4～15um。

其中，在所述步骤s3中，所述高温处理所采用的温度为230℃。

其中，所述高温处理的时间为60min。

其中，所述隔离柱的厚度增大1um以上。

其中，在所述在制作隔离层的同时制作隔离柱之前，还包括：

提供一基板；

在所述基板上依次形成导向膜层、过渡层、有源层、栅极、连接层、源极和漏极、平坦层和电极层。

其中，所述栅极包括依次形成的第一栅绝缘层、第一栅极、第二栅绝缘层和第二栅极；所述第一栅极和所述第二栅极分别对应不同的像素。

作为另一个技术方案，本发明还提供一种显示装置的制作方法，包括本发明提供的上述阵列基板的制作方法。

其中，所述显示装置为柔性oled。

本发明具有以下有益效果：

本发明提供的阵列基板的制作方法，其在制作隔离层的同时制作隔离柱，该方法是在对隔离层的薄膜进行图案化时，形成隔离部，然后通过对隔离部进行高温处理，使之厚度增大，形成隔离柱。由此，可以减少一次光刻工艺，从而可以缩短生产周期，降低生产成本，而且可以避免tft因受到大面积的紫外线照射而产生的阈值电压漂移。

本发明提供的显示装置的制作方法，其通过采用本发明提供的上述阵列基板的制作方法，不仅可以缩短生产周期，降低生产成本，而且可以避免tft因受到大面积的紫外线照射而产生的阈值电压漂移。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的阵列基板的制作方法的流程框图；

图2a为本发明第一实施例中步骤s1的过程图；

图2b为本发明第一实施例中步骤s2的过程图；

图2c为本发明第一实施例中步骤s3的过程图；

图3a为本发明第二实施例中有源层的制作过程图；

图3b为本发明第二实施例中第一栅极的制作过程图；

图3c为本发明第二实施例中第二栅极的制作过程图；

图3d为本发明第二实施例中连接层的制作过程图；

图3e为本发明第二实施例中源极和漏极的制作过程图；

图3f为本发明第二实施例中平坦层的制作过程图；

图3g为本发明第二实施例中电极层的制作过程图；

图3h为本发明第二实施例中隔离层和隔离柱的制作过程图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图来对本发明提供的阵列基板的制作方法及显示装置的制作方法进行详细描述。

图1为本发明第一实施例提供的阵列基板的制作方法的流程框图。请参阅图1，阵列基板的制作方法包括：

在制作隔离层的同时制作隔离柱，具体包括以下步骤：

s1，形成隔离层的薄膜13，该隔离层的薄膜13采用有机材料制作，如图2a所示。

s2，对隔离层的薄膜13进行图案化，以形成隔离层所需图形13a以及隔离部13b，如图2b所示。

s3，对隔离部13b进行高温处理，使之厚度增大，形成隔离柱13c，如图2c所示。

在上述步骤s2中，上述隔离部13b为有机材料，该有机材料在高温条件下会发生“龟岛效应”，即，上述隔离部13b相对于隔离层所需图形13a独立形成“龟岛”结构，该龟岛结构的边缘部分会在受到高温作用下向中间收缩，从而导致隔离部13b的厚度逐渐增大，形成隔离柱13c。该隔离柱13c高于隔离层所需图形13a的厚度，从而可以起到隔离柱的作用，即，在封装时起到支撑作用。隔离部13b的厚度与隔离柱13c的厚度有关，隔离部13b的厚度越大，隔离柱13c的厚度越大。优选的，隔离柱13c的厚度增大1um以上，以能够起到隔离柱的作用。

通过采用上述方法同时制作隔离层和隔离柱，可以减少一次光刻工艺，从而可以缩短生产周期，降低生产成本，而且可以避免tft因受到大面积的紫外线照射而产生的阈值电压漂移。

另外，为了使上述隔离部13b形成相对于隔离层所需图形13a独立的“龟岛”结构，在上述步骤s2中，隔离层所需图形13a在隔离部13b所在位置形成凹槽，隔离部13b独立地位于该凹槽内，如图2c所示。

为了使隔离柱13c的厚度满足工艺要求，在步骤s2中，隔离部13b的长度在4～15um；隔离部13b的宽度在4～15um。

在上述步骤s3中，高温处理所采用的温度为230℃。优选的，高温处理的时间为60min。

请参阅图3g，本发明第二实施例提供的阵列基板的制作方法，其是在上述第一实施例的基础上，提供了柔性oled的阵列基板的制作方法的一个具体实施例。

具体地，在制作隔离层的同时制作隔离柱之前，还包括：

提供一基板1；

在该基板1上依次形成导向膜层2、过渡层3、有源层4、栅极、连接层9、源极和漏极10、平坦层11和电极层12。

在本实施例中，上述栅极包括依次形成的第一栅绝缘层5、第一栅极6、第二栅绝缘层7和第二栅极8；第一栅极6和第二栅极8分别对应不同的像素。

请一并参阅图3a～图3h，下面对上述各个膜层的制作过程进行详细描述。具体地，如图3a所示，在基板1上依次形成导向膜层2、过渡层3和有源层4。其中，导向膜层2可以为两层，总厚度为20μm。在制作有源层4的过程中，首先在过渡层3上形成非晶硅材料，再对非晶硅材料进行准分子激光退火工艺(ela工艺)，使之转变为多晶硅材料；然后，对多晶硅材料进行光刻工艺，干法刻蚀，剥离工艺以及能够改善阀值电压的离子注入工艺，最终形成有源层4。

如图3b所示，依次制作第一栅绝缘层5和第一栅极6，二者的膜厚分别为1200a和2700a，然后进行第一栅极6的光刻工艺，干法刻蚀，剥离工艺以及能够改善阀值电压的离子注入工艺，最终形成第一栅极6。

如图3c所示，依次制作第二栅绝缘层7和第二栅极8，二者的膜厚分别为1300a和2700a，然后进行第二栅极8的光刻工艺，干法刻蚀以及剥离工艺，最终形成第二栅极8。

如图3d所示，制作连接层9。其中，首先形成连接层9的薄膜，其膜厚为5000a；然后，对连接层9的薄膜进行高温退火工艺，光刻工艺，干法刻蚀，剥离工艺以及氢化处理，最终形成连接层9。

如图3e所示，制作源极和漏极10。首先利用缓冲氧化物刻蚀液进行清洗工艺(boe清洗)，然后依次形成第一ti金属层、al金属层和第二ti金属层，三者的膜厚分别为500a、6500a和500a。之后，进行光刻工艺，干法刻蚀，剥离工艺以及退火处理，最终形成源极和漏极10。

如图3f所示，制作平坦层11，首先形成平坦层11的薄膜，然后对平坦层11进行光刻工艺和高温处理，最终形成平坦层11。

如图3g所示，制作电极层12。首先依次形成第一ito金属层、ag金属层和第二ito金属层，三者的膜厚分别为80a、1000a和80a。之后，进行光刻工艺，湿法刻蚀和剥离工艺，最终形成电极层12。该电极层12可根据不同需要用作公共电极或者像素电极。

如图3h，同时制作隔离层13a和隔离柱13c。该方法在上述第一实施例中已有了详细描述，在此不再赘述。

需要说明的是，在实际应用中，阵列基板并不局限于本实施例采用的上述结构，可以根据具体需要增减膜层。

作为另一个技术方案，本发明实施例还提供一种显示装置的制作方法，其包括本发明上述各个实施例提供的阵列基板的制作方法。

上述显示装置可以为柔性oled。

本发明实施例提供的显示装置的制作方法，其通过采用本发明上述各个实施例提供的上述阵列基板的制作方法，不仅可以缩短生产周期，降低生产成本，而且可以避免tft因受到大面积的紫外线照射而产生的阈值电压漂移。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。