技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有若干个间隔的虚拟栅极结构，在相邻的虚拟栅极结构之间存在间隙，在虚拟栅极结构的表面以及间隙的底部和侧壁上形成有接触孔蚀刻停止层；形成填充部分间隙的第一层间介电层；对接触孔蚀刻停止层进行修剪，以去除位于虚拟栅极结构的侧壁顶部的部分接触孔蚀刻停止层；在间隙中形成第二层间介电层，第二层间介电层的顶面高于所述虚拟栅极结构的顶面；依次去除所述接触孔蚀刻停止层和所述虚拟栅极结构，以形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽中形成金属栅极结构，所述第二层间介电层的顶面与所述金属栅极结构的顶面齐平。
技术研发人员：王彦;常荣耀
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.10.30
技术公布日：2019.05.07