本发明的一个方式涉及一种利用电致发光(el:electroluminescence)现象的发光元件。另外，本发明的一个方式涉及一种用于该发光元件的有机化合物。另外，本发明的一个方式还涉及一种使用该发光元件的发光装置、电子设备以及照明装置。
背景技术：
近年来，对利用el现象的发光元件的研究开发日益火热。这些发光元件的基本结构是在一对电极之间夹有包含发光物质的层的结构。通过对该元件施加电压，可以获得来自发光物质的发光。
因为这种发光元件为自发光型，所以具有其像素的可见度高于液晶显示器并且不需要背光等优点。由此，这种发光元件被认为适合于平板显示器元件。此外，该发光元件可被制造为是薄且轻的，这是极大的优点。而且，该发光元件还具有响应速度极快的特征。
另外，因为上述发光元件可以形成为膜状，所以可以容易得到面状发光。因此，可以形成利用面状发光的大面积元件。当使用以白炽灯泡或led为典型的点光源或以荧光灯为典型的线光源时，很难获得上述特征，因此，发光元件的作为可以应用于照明等的面光源的利用价值很高。
根据发光物质是有机化合物还是无机化合物，可以对利用上述el现象的发光元件进行大致分类，但是在将有机化合物用于发光物质时，通过对发光元件施加电压，电子和空穴从一对电极注入到包含上述有机化合物的层，以使电流流过。并且，通过这些载流子(电子及空穴)注入到包含上述有机化合物的层，该有机化合物形成激发态，当从该激发态回到基态时发光。
由于上述机理，这种发光元件被称为电流激发型发光元件。另外,作为由有机化合物形成的激发态的种类，可以举出单重激发态和三重激发态，其中由单重激发态的发光被称为荧光，而由三重激发态的发光被称为磷光。
在改善这些发光元件的元件特性的方面上，由物质导致的问题很多，从而，为了解决这些问题而进行元件结构的改良、物质的开发等(例如，参照非专利文献1)。
[非专利文献1]meng-huanho,yao-shanwuandchinh.chen,2005sidinternationalsymposiumdigestoftechnicalpapers,vol.xxxvi.p802-805
技术实现要素：
本发明的一个方式的目的之一是提供一种发光效率高的发光元件。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种低功耗的发光装置、电子设备或照明装置。
本发明的一个方式的发光元件包含具有苯基咔唑骨架的有机化合物。该有机化合物的空穴传输性高，所以通过将它用于发光元件，可以实现发光效率高的发光元件。另外，可以实现抑制驱动电压的上升的发光元件。
另外，本发明的一个方式是一种在一对电极之间具有有机化合物的发光元件，其中，该有机化合物的分子量x为450以上且1500以下，该有机化合物的吸收端为380nm以上，在对进行了利用液相色谱的分离(也称为lc分离)之后的该有机化合物进行以1ev以上且30ev以下的能量中任一能量将氩气体碰撞到该有机化合物的正模式的液相色谱-质谱联用分析(liquidchromatographymassspectrometry：lc/ms分析)时，至少在m/z＝(x-240)附近检测出子离子。
注意，在本说明书中，m/z表示质量电荷比。另外，在本说明书中，正模式表示检测出正离子的模式。此外，在本说明书中，子离子表示在lc/ms分析或利用飞行时间二次离子质谱分析仪(time-of-flightsecondaryionmassspectrometer:tof-sims)的分析中使有机化合物或该有机化合物的离子解离而产生的离子。
另外，本发明的一个方式是一种在一对电极之间具有有机化合物的发光元件，其中，该有机化合物的分子量为486，该有机化合物的吸收端为380nm以上，在对进行了lc分离之后的该有机化合物进行以1ev以上且30ev以下的能量中任一能量将氩气体碰撞到该有机化合物的正模式的lc/ms分析时，至少在m/z＝246附近检测出子离子。
另外，本发明的一个方式是一种在一对电极之间具有有机化合物的发光元件，其中，该有机化合物的分子量为562，该有机化合物的吸收端为380nm以上，在对进行了lc分离之后的该有机化合物进行以1ev以上且30ev以下的能量中任一能量将氩气体碰撞到该有机化合物的正模式的lc/ms分析时，至少在m/z＝322附近检测出子离子。
在此，例如“246附近”至少包括243.5以上且小于248.5的范围。就是说，在本说明书中，“n附近”(n为整数)包括(n-2.5)以上且小于(n+2.5)的数值。
另外，本发明的一个方式是一种在一对电极之间具有有机化合物的发光元件，其中，该有机化合物的分子量为450以上且1500以下，该有机化合物的吸收端为380nm以上，该有机化合物具有苯基咔唑骨架及n-联苯-n-苯胺骨架，在对进行了lc分离之后的该有机化合物进行以1ev以上且30ev以下的能量中任一能量将氩气体碰撞到该有机化合物的正模式的lc/ms分析时，检测出至少来源于该n-联苯-n-苯胺骨架的m/z的子离子。
另外，本发明的一个方式是一种在一对电极之间具有有机化合物的发光元件，其中，该有机化合物的分子量为450以上且1500以下，该有机化合物的吸收端为380nm以上，该有机化合物具有苯基咔唑骨架及n，n-双-联苯胺骨架，在对进行了lc分离之后的该有机化合物进行以1ev以上且30ev以下的能量中任一能量将氩气体碰撞到该有机化合物的正模式的lc/ms分析时，检测出至少来源于该n，n-双-联苯胺骨架的m/z的子离子。
在各上述结构中，当利用作为一次离子使用bi3++并一次离子的照射量为8×1010ions/cm2以上且1×1012ions/cm2以下的tof-sims测量该有机化合物的正离子的定性光谱时，可能至少在m/z＝243附近检测出子离子。
上述各结构的发光元件具有空穴注入层、空穴传输层以及发光层，空穴注入层、空穴传输层以及发光层中的至少一个优选具有该有机化合物。
另外，本发明的一个方式是一种在发光部中包括上述本发明的一个方式的发光元件的发光装置。本发明的一个方式是一种在显示部中包括该发光装置的电子设备。本发明的一个方式是一种在照明部中包括该发光装置的照明装置。
本发明的一个方式的发光元件的发光效率高，所以可以实现低功耗的发光装置。与此相同，通过使用本发明的一个方式，可以实现低功耗的电子设备及照明装置。
注意，本说明书中的发光装置包括使用发光元件的图像显示器件。此外，如下模块都包括在发光装置中：发光元件安装有连接器诸如各向异性导电薄膜或tcp(tapecarrierpackage：带载封装)的模块；在tcp的端部设置有印刷线路板的模块；通过cog(chiponglass：玻璃覆晶封装)方式在发光元件上直接安装有ic(集成电路)的模块。再者，本说明书中的发光装置还包括用于照明设备等的发光装置。
另外，本发明的一个方式是一种有机化合物，该有机化合物是如下化合物：其分子量x为450以上且1500以下，其吸收端为380nm以上，在对进行了lc分离之后的该有机化合物进行以1ev以上且30ev以下的能量中任一能量将氩气体碰撞到该有机化合物的正模式的lc/ms分析时，至少在m/z＝(x-240)附近检测出子离子。
例如，本发明的一个方式是一种有机化合物，该有机化合物是如下化合物：其分子量x为486，其吸收端为380nm以上，在对进行了lc分离之后的该有机化合物进行以1ev以上且30ev以下的能量中任一能量将氩气体碰撞到该有机化合物的正模式的lc/ms分析时，至少在m/z＝246附近检测出子离子。另外，本发明的一个方式是一种有机化合物，该有机化合物是如下化合物：其分子量x为562，其吸收端为380nm以上，在对进行了lc分离之后的该有机化合物进行以1ev以上且30ev以下的能量中任一能量将氩气体碰撞到该有机化合物的正模式的lc/ms分析时，至少在m/z＝322附近检测出子离子。
另外，本发明的一个方式是一种有机化合物，该有机化合物是如下化合物：其分子量为450以上且1500以下，其吸收端为380nm以上，其中具有苯基咔唑骨架及n-联苯-n-苯胺骨架，在对进行了lc分离之后的该有机化合物进行以1ev以上且30ev以下的能量中任一能量将氩气体碰撞到该有机化合物的正模式的lc/ms分析时，检测出至少来源于该n-联苯-n-苯胺骨架的m/z的子离子。另外，本发明的另一个方式是一种有机化合物，该有机化合物是如下化合物：其分子量为450以上且1500以下，其吸收端为380nm以上，具有苯基咔唑骨架及n，n-双-联苯胺骨架，在对进行了lc分离之后的该有机化合物进行以1ev以上且30ev以下的能量中任一能量将氩气体碰撞到该有机化合物的正模式的lc/ms分析时，检测出至少来源于该n，n-双-联苯胺骨架的m/z的子离子。
在各上述结构中，当利用作为一次离子使用bi3++并一次离子的照射量为8×1010ions/cm2以上且1×1012ions/cm2以下的tof-sims测量该有机化合物的正离子的定性光谱时，可能至少在m/z＝243附近检测出子离子。
通过使用本发明的一个方式，可以提供发光效率高的发光元件。另外，通过使用本发明的一个方式，可以实现功耗小的发光装置、电子设备或照明装置。
附图说明
图1a至图1d是示出发光元件的一个例子的图；
图2a和图2b是示出发光装置的一个例子的图；
图3a至图3c是示出发光装置的一个例子的图；
图4a至图4e是示出电子设备的一个例子的图；
图5a和图5b是示出照明装置的一个例子的图；
图6是示出实施例的发光元件的图；
图7是示出实施例1的发光元件的电压-亮度特性的图；
图8是示出实施例1的发光元件的亮度-电流效率特性的图；
图9是示出实施例1的发光元件的电压-电流特性的图；
图10是示出实施例1的发光元件的亮度-色度特性的图；
图11是示出实施例1的发光元件的发射光谱的图；
图12是示出实施例2的发光元件的电压-亮度特性的图；
图13是示出实施例2的发光元件的亮度-电流效率特性的图；
图14是示出实施例2的发光元件的电压-电流特性的图；
图15是示出实施例2的发光元件的亮度-色度特性的图；
图16是示出实施例2的发光元件的发射光谱的图；
图17是示出实施例2的发光元件的可靠性测试的结果的图；
图18是示出实施例3的发光元件的电压-亮度特性的图；
图19是示出实施例3的发光元件的亮度-电流效率特性的图；
图20是示出实施例3的发光元件的电压-电流特性的图；
图21是示出实施例3的发光元件的亮度-色度特性的图；
图22是示出实施例3的发光元件的发射光谱的图；
图23是示出实施例4的发光元件的电压-亮度特性的图；
图24是示出实施例4的发光元件的亮度-电流效率特性的图；
图25是示出实施例4的发光元件的电压-电流特性的图；
图26是示出实施例4的发光元件的亮度-色度特性的图；
图27是示出实施例4的发光元件的发射光谱的图；
图28a和图28b是由结构式(100)表示的有机化合物的1hnmr图；
图29a和图29b是由结构式(100)表示的有机化合物的紫外·可见吸收光谱及发射光谱；
图30a和图30b是示出由结构式(100)表示的有机化合物的lc/ms分析的结果的图；
图31a和图31b是示出利用tof-sims测量由结构式(100)表示的有机化合物的结果的图；
图32a和图32b是示出利用tof-sims测量由结构式(100)表示的有机化合物的结果的图；
图33a和图33b是由结构式(101)表示的有机化合物的1hnmr图；
图34a和图34b是由结构式(101)表示的有机化合物的紫外·可见吸收光谱及发射光谱；
图35a和图35b是示出由结构式(101)表示的有机化合物的lc/ms分析的结果的图；
图36a和图36b是示出利用tof-sims测量由结构式(101)表示的有机化合物的结果的图；
图37a和图37b是示出利用tof-sims测量由结构式(101)表示的有机化合物的结果的图；
图38a和图38b是示出由结构式(200)表示的有机化合物的lc/ms分析的结果的图；
图39是由结构式(100)、(101)、(200)表示的有机化合物的紫外·可见吸收光谱。
具体实施方式
参照附图对实施方式进行详细说明。但是，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。注意，在下面说明的发明结构中，在不同的附图中共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反复说明。
实施方式1
在本实施方式中，参照图1a至图1d说明本发明的一个方式的发光元件。
本发明的一个方式的发光元件包含具有苯基咔唑骨架的有机化合物。该有机化合物的空穴传输性高，所以通过将它用于发光元件，可以实现发光效率高的发光元件。另外，可以实现抑制了驱动电压的上升的发光元件。
本发明的一个方式是一种在一对电极之间具有有机化合物的发光元件，其中，该有机化合物的分子量x为450以上且1500以下，该有机化合物的吸收端为380nm以上，在对进行了lc分离之后的该有机化合物进行以1ev以上且30ev以下的能量中任一能量将氩气体碰撞到该有机化合物的正模式的lc/ms分析时，至少在m/z＝(x-240)附近检测出子离子。
在本说明书中，通过对发光元件所包含的有机化合物进行lc/ms分析，鉴定发光元件中的该有机化合物的骨架。在本发明的一个方式的发光元件所包含的有机化合物的分子量为x的情况下，当对进行了lc分离之后的该有机化合物进行上述条件的lc/ms分析时，至少在m/z＝(x-240)附近检测出子离子。本发明的一个方式中检测出的该子离子来源于苯基咔唑骨架从该有机化合物脱离的阳离子的质子加合物，这是表示包含该苯基咔唑骨架的该有机化合物的特有的子离子之一。
在后面说明的实施例5中，说明如下例子：当对分子量为486的有机化合物进行以6ev的能量将氩气体碰撞到该有机化合物的正模式的lc/ms分析时，在m/z＝246附近检测出子离子。另外，在实施例5中，也说明如下例子：当对分子量为562的有机化合物进行以6ev的能量将氩气体碰撞到该有机化合物的正模式的lc/ms分析时，在m/z＝322附近检测出子离子。
另外，本发明的一个方式是一种在一对电极之间具有有机化合物的发光元件，其中，该有机化合物的分子量为450以上且1500以下，该有机化合物的吸收端为380nm以上，该有机化合物具有苯基咔唑骨架及n-联苯-n-苯胺骨架，在对进行了lc分离之后的该有机化合物进行以1ev以上且30ev以下的能量中任一能量将氩气体碰撞到该有机化合物的正模式的lc/ms分析时，检测出至少来源于该n-联苯-n-苯胺骨架的m/z的子离子。
另外，本发明的一个方式是一种在一对电极之间具有有机化合物的发光元件，其中，该有机化合物的分子量为450以上且1500以下，该有机化合物的吸收端为380nm以上，该有机化合物具有苯基咔唑骨架及n，n-双-联苯胺骨架，在对进行了lc分离之后的该有机化合物进行以1ev以上且30ev以下的能量中任一能量将氩气体碰撞到该有机化合物的正模式的lc/ms分析时，检测出至少来源于该n，n-双-联苯胺骨架的m/z的子离子。
本发明的一个方式中检测出的来源于n-联苯-n-苯胺骨架、n，n-双-联苯胺骨架的子离子来源于苯基咔唑骨架从该有机化合物脱离的自由基阳离子，这是表示包含该苯基咔唑骨架以及该n-联苯-n-苯胺骨架或该n，n-双-联苯胺骨架的该有机化合物的特有的子离子之一。
在各上述结构中，当利用作为一次离子使用bi3++并一次离子的照射量为8×1010ions/cm2以上且1×1012ions/cm2以下的tof-sims测量该有机化合物的正离子的定性光谱时，可能至少在m/z＝243附近检测出子离子。
在本说明书中，通过对发光元件所包含的有机化合物进行利用tof-sims的分析，鉴定发光元件中的该有机化合物的骨架。当利用上述条件的tof-sims的分析测量的本发明的一个方式的发光元件所包含的该有机化合物的正离子的定性光谱时，至少在m/z＝243附近检测出子离子。在本发明的一个方式中，在m/z＝243附近检测出的子离子来源于苯基咔唑骨架的自由基阳离子的质子加合物，这是表示包含该苯基咔唑骨架的有机化合物的特有的子离子之一。
《发光元件的结构实例》
图1a所示的发光元件在第一电极201和第二电极205之间包含el层203。在本实施方式中，第一电极201用作阳极，而第二电极205用作阴极。
当对第一电极201和第二电极205之间施加高于发光元件的阈值电压的电压时，空穴从第一电极201一侧注入el层203，并电子从第二电极205一侧注入el层203。被注入的电子和空穴在el层203中重新结合，由此，包含在el层203中的发光物质发光。
el层203至少包括包含发光物质的发光层。作为el层203既可以使用低分子化合物，也可以使用高分子化合物，并还也可以包含无机化合物。
在el层203中，作为发光层以外的层，还可以包括包含空穴注入性高的物质、空穴传输性高的物质、电子传输性高的物质、电子注入性高的物质或双极性的物质(电子传输性及空穴传输性高的物质)等的层。
另外，通过在el层中设置多个发光层且使每个发光层的发光颜色互不相同，发光元件整体可以得到所需颜色的光。例如，在具有两个发光层的发光元件中，使第一发光层和第二发光层的发光颜色成为互补色，也可以得到发光元件整体发射白色光的发光元件。注意，“互补色”是指当颜色混合时得到非彩色的颜色关系。换言之，通过混合从发射处于互补色关系的颜色的光的物质得到的光，可以得到白色发光。另外，同样原理可以应用于具有三个以上的发光层的发光元件。
图1b所示的发光元件在第一电极201和第二电极205之间具有el层203，在该el层203中，从第一电极201一侧依次层叠有空穴注入层301、空穴传输层302、发光层303、电子传输层304以及电子注入层305。
如图1c和图1d所示的发光元件，也可以在第一电极201和第二电极205之间层叠有多个el层。在此情况下，优选在层叠的el层之间设置有中间层207。中间层207至少包含电荷产生区域。
例如，图1c所示的发光元件在第一el层203a和第二el层203b之间具有中间层207。另外，图1d所示的发光元件具有n个el层(n是2以上的自然数)，并在各el层之间设置有中间层207。
对设置在el层203(m)和el层203(m+1)之间的中间层207中的电子和空穴的行为进行说明。当对第一电极201和第二电极205之间施加高于发光元件的阈值电压的电压时，在中间层207中产生空穴和电子，空穴移动到设置在第二电极205一侧的el层203(m+1)，电子移动到设置在第一电极201一侧的el层203(m)。注入到el层203(m+1)的空穴与从第二电极205一侧注入的电子重新结合，由此包含在该el层203(m+1)中的发光物质发光。另外，注入到el层203(m)的电子与从第一电极201一侧注入的空穴重新结合，由此包含在该el层203(m)中的发光物质发光。因此，在中间层207中产生的空穴和电子分别在不同的el层中发光。
另外，当中间形成有与中间层同样的结构时，可以以不隔着中间层彼此接触的方式设置el层。例如，在el层的一个表面上形成有电荷产生区域的情况下，可以以与该表面接触的方式设置el层。
另外，通过使每个el层的发光颜色互不相同，发光元件整体可以得到所需颜色的光。例如，在具有两个el层的发光元件中，使第一el层和第二el层的发光颜色成为互补色，也可以得到发光元件整体发射白色光的发光元件。另外，同样原理可以应用于具有三个以上的el层的发光元件。
《有机化合物》
接着，详细地说明本发明的一个方式的发光元件所包含的具有苯基咔唑骨架的有机化合物。该有机化合物的空穴传输性高。在本发明的一个方式的发光元件中，该有机化合物包含在空穴注入层、空穴传输层和发光层中的至少任一。当包含在发光层时，该有机化合物可以用作发光物质(客体材料)或分散客体材料的主体材料。
作为本发明的一个方式的发光元件具有的有机化合物，可以举出由通式(g1)表示的有机化合物。
[化学式1]
在通式(g1)中，r1表示氢、碳原子数为1至6的烷基或者取代或未取代的苯基，r2至r6分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基或者取代或未取代的菲基，ar1表示氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基或者取代或未取代的菲基，ar2表示取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基或者取代或未取代的菲基。
另外，当苯基、萘基或菲基具有取代基时，作为该取代基，可以举出碳原子数为1至6的烷基。通过具有取代基，可以采用占据了更大的空间的结构，所以是优选的。
当在由通式(g1)表示的r2至r6中r4是氢以外的取代基，并其他的都是氢时(即，当具有r2至r6的亚苯基是对亚苯基时)，发光元件的驱动电压变低，所以是优选的。另外，当在由通式(g1)表示的r2至r6中r2是氢以外的取代基，并其他的都是氢时，或者，当在r2至r6中r3是氢以外的取代基，并其他的都是氢时等(即，当具有r2至r6的亚苯基是间亚苯基或邻亚苯基时)，该有机化合物的带隙变大并单重态激发能的能级(s1能级)或三重态激发能的能级(t1能级)也变高，所以是优选的。
在通式(g1)中，作为r1，除了氢以外还可以举出结构式(s-1)至(s-5)等，作为r2至r6，除了氢以外还可以举出结构式(s-1)至(s-8)等，作为ar1，除了氢以外还可以举出结构式(s-5)至(s-8)等，作为ar2，可以举出结构式(s-5)至(s-8)等。
[化学式2]
另外，当如结构式(s-1)至(s-4)那样具有烷基时，该有机化合物的非晶性提高，所以是优选的。并且，当具有烷基时，该有机溶剂中的有机化合物的溶解度变良好而容易进行精炼和溶液调整，所以是优选的。当如结构式(s-5)那样具有苯基时，该有机化合物的带隙变大并s1能级或t1能级也变高，所以是优选的。当如结构式(s-5)至(s-8)那样具有芳基时，该有机化合物的载流子传输性提高，所以是优选的。当如结构式(s-6)至(s-8)那样具有稠环时，该有机化合物的载流子传输性进一步提高，所以是优选的。
另外，作为本发明的一个方式的发光元件具有的有机化合物，可以举出由通式(g2)表示的有机化合物。
[化学式3]
在通式(g2)中，r2至r6分别独立地表示氢、碳原子数为1至6的烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基或者取代或未取代的菲基，ar1表示氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基或者取代或未取代的菲基，ar2表示取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基或者取代或未取代的菲基。
作为通式(g2)中的r2至r6、ar1及ar2的具体例子，可以举出与通式(g1)相同的例子。
另外，作为本发明的一个方式的发光元件具有的有机化合物，可以举出由通式(g3)表示的有机化合物。
[化学式4]
在通式(g3)中，ar1表示氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基或者取代或未取代的菲基，ar2表示取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基或者取代或未取代的菲基。
作为通式(g3)中的ar1及ar2的具体例子，可以举出与通式(g1)相同的例子。
另外，作为本发明的一个方式的发光元件具有的有机化合物，可以举出由通式(g4)表示的有机化合物。
[化学式5]
在通式(g4)中，ar1表示氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基或者取代或未取代的菲基，ar2表示取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基或者取代或未取代的菲基。
作为通式(g4)中的ar1及ar2的具体例子，可以举出与通式(g1)相同的例子。
此外，由通式(g1)至通式(g4)表示的有机化合物也可以与一个以上的碳原子数为1至6的烷基(甲基、乙基、叔丁基、环己基等)、苯基或联苯基还键合。
通过对由通式(g1)至通式(g4)表示的有机化合物进行lc/ms分析，有时可以鉴定发光元件中的该有机化合物的骨架。
例如，在由上述通式(g1)表示的有机化合物中，检测出来源于由通式(p1-1)至通式(p1-10)表示的结构(或者示出与该结构相等的m/z的数值的结构)中的至少任一的子离子。尤其是，可认为容易检测出来源于由通式(p1-1)表示的结构(或者示出与该结构相等的m/z的数值的结构)的子离子。
[化学式6]
例如，在由上述通式(g2)表示的有机化合物中，检测出来源于由通式(p2-1)至通式(p2-10)表示的结构(或者示出与该结构相等的m/z的数值的结构)中的至少任一的子离子。尤其是，可认为容易检测出来源于由通式(p2-1)表示的结构(或者示出与该结构相等的m/z的数值的结构)的子离子。
[化学式7]
例如，在由上述通式(g3)表示的有机化合物中，检测出来源于由通式(p3-1)至通式(p3-10)表示的结构(或者示出与该结构相等的m/z的数值的结构)中的至少任一的子离子。尤其是，可认为容易检测出来源于由通式(p3-1)表示的结构(或者示出与该结构相等的m/z的数值的结构)的子离子。
[化学式8]
例如，在由上述通式(g4)表示的有机化合物中，检测出来源于由通式(p4-1)至通式(p4-10)表示的结构(或者示出与该结构相等的m/z的数值的结构)中的至少任一的子离子。尤其是，可认为容易检测出来源于由通式(p4-1)表示的结构(或者示出与该结构相等的m/z的数值的结构)的子离子。
[化学式9]
由下述结构式(100)至(116)例示上述有机化合物的具体结构式。但是，本发明不局限于这些。
[化学式10]
[化学式11]
接着，说明由通式(g1)表示的有机化合物的合成方法的一个例子。
如合成方案(a)所示，通过将具有卤基(x1)的咔唑化合物(a1)和二芳基胺衍生物(a2)耦合，可以得到由通式(g1)表示的有机化合物。
[化学式12]
另外，作为如合成方案(a)所示的具有卤基的咔唑化合物(a1)和二芳基胺衍生物(a2)的耦合方法有各种方法，也可以使用其中任一，在此示出利用其中一个例子的哈特维希·布赫瓦尔德(hartwig-buchwald)反应的情况。
作为金属催化剂可以使用钯催化剂，作为钯催化剂可以使用钯配合物和其配体的混合物。作为钯配合物，可以举出双(二亚苄基丙酮)钯(0)、醋酸钯(ⅱ)等。此外，作为配体，可以举出三(叔丁基)膦、三(n-己基)膦、三环已基膦、1,1-双(二苯基膦基)二茂铁(简称：dppf)等。此外，作为可以用作碱的物质的例子，可以举出有机碱如叔丁醇钠以及无机碱如碳酸钾等。此外，上述反应优选在溶液中进行，并且，作为可以使用的溶剂，可以举出甲苯、二甲苯、苯等。注意，使用的催化剂及其配体、碱、溶剂不局限于这些。另外，上述反应优选在氮、氩等惰性气氛下进行。
虽然说明了合成方法的一个例子，但是也可以通过其他的任何合成方法合成本发明的一个方式的发光元件具有的上述有机化合物。
《发光元件的材料》
下面例示出可用于形成发光元件的层的材料。另外，各层不局限于单层，而也可以采用两层以上的叠层。
<阳极>
用作阳极的电极(在本实施方式中，第一电极201)可以使用具有导电性的金属、合金、导电性化合物等中的一种或多种而形成。尤其是，优选使用功函数大(4.0ev以上)的材料。例如，可以举出铟锡氧化物(ito：indiumtinoxide)、含有硅或氧化硅的铟锡氧化物、铟锌氧化物、含有氧化钨及氧化锌的氧化铟、石墨烯、金、铂、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯、钛或金属材料的氮化物(例如氮化钛)等。
另外，当阳极与电荷产生区域接触时，与功函数的大小无关，可以使用各种各样的导电材料。例如，也可以使用铝、银、包含铝的合金等。
<阴极>
用作阴极的电极(在本实施方式中，第二电极205)可以使用具有导电性的金属、合金、导电性化合物等中的一种或多种而形成。尤其是，优选使用功函数小(3.8ev以下)的材料。例如，可以使用属于元素周期表中第1族或第2族的元素(例如，锂或铯等的碱金属、钙或锶等的碱土金属、镁等)、包含上述元素的合金(例如，mg-ag或al-li)、铕或镱等的稀土金属、包含上述稀土金属的合金、铝、银等。
另外，当阴极与电荷产生区域接触时，与功函数的大小无关，可以使用各种各样的导电材料。例如，也可以使用ito、含有硅或氧化硅的铟锡氧化物等。
各个电极可以使用真空蒸镀法或溅射法形成。另外，在使用银膏等的情况下，可以使用涂敷法或喷墨法。
<发光层>
如上述那样，本实施方式的发光元件的发光层303包含发光物质(客体材料)。作为客体材料，可以使用荧光化合物、磷光化光物以及呈现热活化延迟荧光的物质等。另外，发光层303除了客体材料还可以包含其他化合物(主体材料等)。
作为可用于发光层的荧光化合物，例如可以举出如下物质：由上述通式(g1)至通式(g4)表示的有机化合物、n，n'-双[4-(9-苯基-9h-芴-9-基)苯基]-n，n'-二苯基-芘-1，6-二胺(简称：1，6flpaprn)、n，n'-双[4-(9h-咔唑-9-基)苯基]-n，n'-二苯基二苯乙烯-4，4'-二胺(简称：yga2s)、4-(9h-咔唑-9-基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称：ygapa)、4-(9h-咔唑-9-基)-4'-(9，10-二苯基-2-蒽基)三苯胺(简称：2ygappa)、n，9-二苯基-n-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑-3-胺(简称：pcapa)、二萘嵌苯、2，5，8，11-四-叔丁基二萘嵌苯(简称：tbp)、4-(10-苯基-9-蒽基)-4'-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(简称：pcbapa)、n，n”-(2-叔丁基蒽-9，10-二基二-4，1-苯撑基)双[n，n'，n'-三苯基-1，4-苯二胺](简称：dpabpa)、n，9-二苯基-n-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-9h-咔唑-3-胺(简称：2pcappa)、n-[4-(9，10-二苯基-2-蒽基)苯基]-n，n'，n'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2dpappa)、n，n，n'，n'，n”，n”，n”'，n”'-八苯基二苯并[g，p]屈(chrysene)-2，7，10，15-四胺(简称：dbc1)、香豆素30、n-(9，10-二苯基-2-蒽基)-n，9-二苯基-9h-咔唑-3-胺(简称：2pcapa)、n-[9，10-双(1，1'-联苯基-2-基)-2-蒽基]-n，9-二苯基-9h-咔唑-3-胺(简称：2pcabpha)、n-(9，10-二苯基-2-蒽基)-n，n'，n'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2dpapa)、n-[9，10-双(1，1'-联苯-2-基)-2-蒽基]-n，n'，n'-三苯基-1，4-苯二胺(简称：2dpabpha)、9，10-双(1，1'-联苯-2-基)-n-[4-(9h-咔唑-9-基)苯基]-n-苯基蒽-2-胺(简称：2ygabpha)、n，n，9-三苯基蒽-9-胺(简称：dphapha)、香豆素545t、n，n'-二苯基喹吖酮(简称：dpqd)、红荧烯、5，12-双(1，1'-联苯-4-基)-6，11-二苯基并四苯(简称：bpt)、2-(2-{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-6-甲基-4h-吡喃-4-亚基)丙烷二腈(简称：dcm1)、2-{2-甲基-6-[2-(2，3，6，7-四氢-1h，5h-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4h-吡喃-4-亚基}丙烷二腈(简称：dcm2)、n，n，n'，n'-四(4-甲基苯基)并四苯-5，11-二胺(简称：p-mphtd)、7，14-二苯基-n，n，n'，n'-四(4-甲基苯基)苊并[1，2-a]荧蒽-3，10-二胺(简称：p-mphafd)、2-{2-异丙基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1h，5h-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4h-吡喃-4-亚基}丙烷二腈(简称：dcjti)、2-{2-叔丁基-6-[2-(1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1h，5h-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4h-吡喃-4-亚基}丙烷二腈(简称：dcjtb)、2-(2，6-双{2-[4-(二甲氨基)苯基]乙烯基}-4h-吡喃-4-亚基)丙烷二腈(简称：bisdcm)、2-{2，6-双[2-(8-甲氧基-1，1，7，7-四甲基-2，3，6，7-四氢-1h，5h-苯并[ij]喹嗪-9-基)乙烯基]-4h-吡喃-4-亚基}丙烷二腈(简称：bisdcjtm)等。
再者，作为可用于发光层的磷光化合物，例如可以举出如下物质：双[2-(4'，6'-二氟苯基)吡啶-n，c2’]铱(ⅲ)四(1-吡唑基)硼酸盐(简称：fir6)、双[2-(4'，6'-二氟苯基)吡啶-n，c2']铱(ⅲ)吡啶甲酸盐(简称：firpic)、双[2-(3'，5'-双三氟甲基苯基)吡啶-n，c2']铱(ⅲ)吡啶甲酸盐(简称：[ir(cf3ppy)2(pic)])、双[2-(4'，6'-二氟苯基)吡啶-n，c2']铱(ⅲ)乙酰丙酮(简称：firacac)、三(2-苯基吡啶)铱(ⅲ)(简称：[ir(ppy)3])、双(2-苯基吡啶)铱(ⅲ)乙酰丙酮(简称：[ir(ppy)2(acac)])、双(苯并[h]喹啉)铱(ⅲ)乙酰丙酮(简称：[ir(bzq)2(acac)])、双(2，4-二苯基-1，3-噁唑-n，c2')铱(ⅲ)乙酰丙酮(简称：[ir(dpo)2(acac)])、双{2-[4'-(全氟苯基)苯基]吡啶-n，c2'}铱(ⅲ)乙酰丙酮(简称：[ir(p-pf-ph)2(acac)])、双(2-苯基苯并噻唑-n，c2')铱(ⅲ)乙酰丙酮(简称：[ir(bt)2(acac)])、双[2-(2'-苯并[4，5-α]噻吩基)吡啶-n，c3']铱(ⅲ)乙酰丙酮(简称：[ir(btp)2(acac)])、双(1-苯基异喹啉-n，c2')铱(ⅲ)乙酰丙酮(简称：[ir(piq)2(acac)])、(乙酰丙酮)双[2，3-双(4-氟苯基)喹喔啉]铱(ⅲ)(简称：[ir(fdpq)2(acac)])、(乙酰丙酮)双(2，3，5-三苯基吡嗪根合)铱(ⅲ)(简称：[ir(tppr)2(acac)])、2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21h，23h-卟啉合铂(ⅱ)(简称：ptoep)、三(乙酰丙酮)(一菲咯啉)铽(ⅲ)(简称：tb(acac)3(phen))、三(1，3-二苯基-1，3-丙二酮)(一菲咯啉)铕(ⅲ)(简称：eu(dbm)3(phen))、三[1-(2-噻吩甲酰基)-3，3，3-三氟丙酮](一菲咯啉)铕(ⅲ)(简称：eu(tta)3(phen))、双(2,3,5-三苯基吡嗪)(二新戊酰基甲烷)铱(ⅲ)(简称：[ir(tppr)2(dpm)])等。
优选将上述客体材料分散主体材料中而使用主体材料。在发光层中，通过采用将上述客体材料分散主体材料中的结构，可以抑制发光层的结晶化。此外，通过抑制由客体材料的浓度高导致的浓度猝灭，可以提高发光元件的发光效率。作为主体材料，可以使用后面说明的容易接受电子的化合物或容易接受空穴的化合物。例如，也可以将由上述通式(g1)至通式(g4)表示的有机化合物用于当客体材料是荧光化合物时或是呈现波长包含黄色且比黄色长的发光的磷光化合物时的主体材料。
另外，主体材料(或者发光层所包含的客体材料以外的材料)的t1能级优选高于客体材料的t1能级。这是因为若主体材料的t1能级低于客体材料的t1能级，则主体材料使有助于发光的客体材料的三重态激发能猝灭(quench)，而导致发光效率的降低。
在此，为了提高从主体材料到客体材料的能量转移效率，优选的是，考虑到作为分子之间的转移机理而周知的福斯特
但是，通常，难以使主体材料的荧光光谱与客体材料的最长波长(低能量)一侧的吸收带中的吸收光谱重叠。这是因为如下缘故：因为主体材料的磷光光谱位于比荧光光谱长的波长(低能量)一侧，所以如果那样做，主体材料的t1能级则低于磷光化合物的t1能级，而导致发生上述猝灭的问题。另一方面，为了避免猝灭的问题，当将主体材料的t1能级设定为高于磷光化合物的t1能级时，主体材料的荧光光谱漂移到短波长(高能量)一侧，因此该荧光光谱不与客体材料的最长波长(低能量)一侧的吸收带中的吸收光谱重叠。所以，通常，难以使主体材料的荧光光谱与客体材料的最长波长(低能量)一侧的吸收带中的吸收光谱重叠以使主体材料的由单重激发态的能量转移增加到最大限度。
于是，在将磷光化合物用作客体材料的本发明的一个方式的发光元件中，发光层除了磷光化合物、主体材料(将它们分别看作发光层所包含的第一物质、第二物质)以外还包括第三物质，其中，主体材料和第三物质的组合优选是形成激基复合物(也称为“exciplex”)的组合。此时，当在发光层中载流子(电子及空穴)重新结合时，主体材料和第三物质形成激基复合物。由此，在发光层中，主体材料的荧光光谱和第三物质的荧光光谱被转换为位于更长波长一侧的激基复合物的发射光谱。另外，如果以激基复合物的发射光谱与客体材料的吸收光谱的重叠变大的方式选择主体材料及第三物质，就可以使由单重激发态的能量转移效率增加到最大限度。另外，关于三重激发态，也可以认为产生来自激基复合物的能量转移，而不产生来自主体材料的能量转移。在使用上述结构的本发明的一个方式中，发光元件能够由于利用激基复合物的发射光谱与磷光化合物的吸收光谱的重叠的能量转移而提高能量转移效率，所以可以实现外部量子效率高的发光元件。
作为客体材料，可以使用上述磷光化合物等。作为主体材料和第三物质的组合，只要是形成激基复合物的组合即可，但是，优选组合容易接受电子的化合物(电子俘获化合物)和容易接受空穴的化合物(空穴俘获化合物)。
作为可用于主体材料或第三物质的容易接受空穴的化合物，例如可以举出由上述通式(g1)至通式(g4)表示的有机化合物、富π电子型杂芳族化合物(例如，咔唑衍生物或吲哚衍生物)、芳香胺化合物。
具体地，4-苯基-4’-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(简称：pcba1bp)、4，4’-二(1-萘基)-4”-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)三苯胺(简称：pcbnbb)、3-[n-(1-萘基)-n-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczpcn1)、4，4’，4”-三[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]三苯胺(简称：1’-tnata)、2，7-双[n-(4-二苯基氨基苯基)-n-苯基氨基]-螺环-9，9’-联芴(简称：dpa2sf)、n，n’-双(9-苯基咔唑-3-基)-n，n’-二苯基苯-1，3-二胺(简称：pca2b)、n-(9，9-二甲基-2-二苯基氨基-9h-芴-7-基)二苯基胺(简称：dpnf)、n，n’，n”-三苯基-n，n’，n”-三(9-苯基咔唑-3-基)苯-1，3，5-三胺(简称：pca3b)、2-[n-(9-苯基咔唑-3-基)-n-苯基氨基]螺环-9，9’-联芴(简称：pcasf)、2-[n-(4-二苯基氨基苯基)-n-苯基氨基]螺环-9，9’-联芴(简称：dpasf)、n，n’-双[4-(咔唑-9-基)苯基]-n，n’-二苯基-9，9-二甲基芴-2，7-二胺(简称：yga2f)、n,n’-双(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(简称：tpd)、4，4’-双[n-(4-二苯基氨基苯基)-n-苯基氨基]联苯(简称：dpab)、n-(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)-n-{9，9-二甲基-2-[n’-苯基-n’-(9，9-二甲基-9h-芴-2-基)氨基]-9h-芴-7-基}苯基胺(简称：dfladfl)、3-[n-(9-苯基咔唑-3-基)-n-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczpca1)、3，6-双[n-(9-苯基咔唑-3-基)-n-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczpca2)、3-[n-(4-二苯基氨基苯基)-n-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczdpa1)、3，6-双[n-(4-二苯基氨基苯基)-n-苯基氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczdpa2)、4,4'-双(n-{4-[n'-(3-甲基苯基)-n'-苯基氨基]苯基}-n-苯基氨基)联苯(简称：dntpd)、3，6-双[n-(4-二苯基氨基苯基)-n-(1-萘基)氨基]-9-苯基咔唑(简称：pcztpn2)等。
再者，可以举出4,4’-双[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯(简称：npb或α-npd)、4，4’，4”-三(n,n-二苯基氨基)三苯胺(简称：tdata)、4，4’，4”-三[n-(3-甲基苯基)-n-苯基氨基]三苯胺(简称：mtdata)、4,4'-双[n-(螺环-9,9'-联芴-2-基)-n-苯基氨基]联苯(简称：bspb)、4,4',4”-三(咔唑基-9-基)三苯基胺(简称：tcta)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯胺(简称：bpaflp)以及4，4'-双[n-(9，9-二甲基芴-2-基)-n-苯基氨基]联苯(简称：dfldpbi)等芳香胺化合物，4,4’-二(n-咔唑基)联苯(简称：cbp)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑(简称：czpa)、9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑(简称：pczpa)等咔唑衍生物。另外，也可以举出聚(n-乙烯基咔唑)(简称：pvk)、聚(4-乙烯基三苯胺)(简称：pvtpa)、聚[n-(4-{n'-[4-(4-二苯基氨基)苯基]苯基-n'-苯基氨基}苯基)甲基丙烯酰胺](简称：ptpdma)、聚[n，n'-双(4-丁基苯基)-n，n'-双(苯基)联苯胺](简称：poly-tpd)等高分子化合物。
作为可用于主体材料或第三物质的容易接受电子的化合物，例如，可以举出缺π电子型杂芳族化合物诸如含氮杂芳族化合物、具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属配合物以及具有噁唑基配体或噻唑基配体的金属配合物等。
具体地，例如可以举出：双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(ⅱ)(简称：bebq2)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚)铝(ⅲ)(简称：balq)、双(8-羟基喹啉)锌(ⅱ)(简称：znq)、双[2-(2-羟基苯基)苯并恶唑]锌(ⅱ)(简称：zn(box)2)、双[2-(2-羟基苯基)苯并噻唑]锌(ⅱ)(简称：zn(btz)2)等的金属配合物；2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(简称：pbd)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1,2,4-三唑(简称：taz)、1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(简称：oxd-7)、9-[4-(5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基)苯基]-9h-咔唑(简称：co11)、2,2',2”-(1,3,5-苯三基)三(1-苯基-1h-苯并咪唑)(简称：tpbi)、2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]-1-苯基-1h-苯并咪唑(简称：mdbtbim-ⅱ)等的具有多唑骨架(polyazoleskeleton)的杂环化合物；2-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称：2mdbtpdbq-ⅱ)、2-[3’-(二苯并噻吩-4-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mdbtbpdbq-ⅱ)、2-[4-(3，6-二苯基-9h-咔唑-9-基)苯基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2czpdbq-ⅲ)、7-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称：7mdbtpdbq-ⅱ)、6-[3-(二苯并噻吩-4-基)苯基]二苯并[f,h]喹喔啉(简称：6mdbtpdbq-ⅱ)、2-[3’-(9h-咔唑-9-基)联苯-3-基]二苯并[f，h]喹喔啉(简称：2mczbpdbq)等具有喹喔啉骨架或二苯并喹喔啉骨架的杂环化合物；4,6-双[3-(菲-9-基)苯基]嘧啶(简称：4,6mpnp2pm)、4，6-双[3-(9h-咔唑-9-基)苯基]嘧啶(简称：4,6mczp2pm)、4,6-双[3-(4-二苯并噻吩基)苯基]嘧啶(简称：4,6mdbtp2pm-ⅱ)等的具有二嗪骨架(嘧啶骨架或吡嗪骨架)的杂环化合物；以及3,5-双[3-(9h-咔唑-9-基)苯基]吡啶(简称：35dczppy)、1,3,5-三[3-(3-吡啶)苯基]苯(简称：tmpypb)、3,3’,5,5’-四[(间吡啶)-phen-3-基]联苯(简称：bp4mpy)等的具有吡啶骨架的杂环化合物。在上述物质中，具有喹喔啉骨架或二苯并喹喔啉骨架的杂环化合物、具有二嗪骨架的杂环化合物、具有吡啶骨架的杂环化合物具有良好可靠性，所以是优选的。
再者，可以举出三(8-羟基喹啉)铝(ⅲ)(简称：alq)、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(简称：almq3)等具有喹啉骨架或苯并喹啉骨架的金属配合物以及红菲绕啉(简称：bphen)、浴铜灵(简称：bcp)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(简称：p-ettaz)、4,4’-双(5-甲基苯并噁唑-2-基)二苯乙烯(简称：bzos)等杂芳族化合物。另外，可以举出聚(2,5-吡啶二基)(简称：ppy)、聚[(9,9-二己基芴-2,7-二基)-共-(吡啶-3,5-二基)](简称：pf-py)、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(2,2’-联吡啶-6,6’-二基)](简称：pf-bpy)等高分子化合物。
可用于主体材料或第三物质的材料不局限于上述材料，只要是可以形成激基复合物的组合，激基复合物的发射光谱与客体材料的吸收光谱重叠，并且该激基复合物的发射光谱的峰值与客体材料的吸收光谱的峰值位于长波长一侧，即可。
另外，在使用容易接受电子的化合物和容易接受空穴的化合物构成主体材料和第三物质的情况下，可以通过调节两者的混合比来控制载流子平衡。具体而言，优选在于主体材料:第三物质＝1:9至9:1的范围。
此外，激基复合物也可以形成在两层之间的界面。例如，当层叠包含容易接受电子的化合物的层和包含容易接受空穴的化合物的层时，在其界面附近形成激基复合物，也可以将该两层用作本发明的一个方式的发光元件中的发光层。此时，磷光化合物添加到该界面附近即可。此外，磷光化合物添加到两层中的至少一方或双方即可。
<空穴传输层>
空穴传输层302是包含空穴传输性高的物质的层。
作为空穴传输性高的物质，只要是空穴传输性高于电子传输性的物质，即可，尤其是，优选使用空穴迁移率为10-6cm2/vs以上的物质。
作为空穴传输层302，例如可以使用由上述通式(g1)至通式(g4)表示的有机化合物等的作为可用于发光层303的物质例示出的容易接受空穴的化合物。
此外，还可以使用2-叔丁基-9,10-二(2-萘基)蒽(简称：t-budna)、9,10-二(2-萘基)蒽(简称：dna)、9,10-二苯基蒽(简称：dpanth)等芳香烃化合物。
<电子传输层>
电子传输层304是包含电子传输性高的物质的层。
作为电子传输性高的物质，只要是电子传输性高于空穴传输性的有机化合物，即可，尤其是，优选使用电子迁移率为10-6cm2/vs以上的物质。
作为电子传输层304，例如可以使用作为可用于发光层303的物质例示出的容易接受电子的化合物。
<空穴注入层>
空穴注入层301是包含空穴注入性高的物质的层。
作为空穴注入性高的物质，例如可以使用金属氧化物，诸如钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物和锰氧化物等。
作为空穴注入性高的物质，也可使用酞菁类化合物，例如酞菁(简称：h2pc)或酞菁铜(ⅱ)(简称：cupc)等。
另外，也可以使用低分子有机化合物的tdata、mtdata、dpab、dntpd、1,3,5-三[n-(4-二苯基氨基苯基)-n-苯基氨基]苯(简称：dpa3b)、pczpca1、pczpca2、pczpcn1等的芳香胺化合物。
另外，也可以使用pvk、pvtpa、ptpdma、poly-tpd等的高分子化合物，添加有聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚(苯乙烯磺酸)(简称：pedot/pss)、聚苯胺/聚(苯乙烯磺酸)(简称：pani/pss)等的酸的高分子化合物。
另外，也可以将空穴注入层301用作电荷产生区域。当将接触于阳极的空穴注入层301用作电荷产生区域时，与功函数无关，可以将各种导电材料用于该阳极。对于构成电荷产生区域的材料，在后面进行说明。
<电子注入层>
电子注入层305是包含电子注入性高的物质的层。
作为电子注入性高的物质，例如可以使用锂、铯、钙、氧化锂、碳酸锂、碳酸铯、氟化锂、氟化铯、氟化钙或者氟化铒等碱金属、碱土金属、稀土金属或它们的化合物(氧化物、碳酸盐、卤化物等)。
另外，也可以将电子注入层305用作电荷产生区域。当将接触于阴极的电子注入层305用作电荷产生区域时，与功函数无关，可以将各种导电材料用于该阴极。对于构成电荷产生区域的材料，在后面进行说明。
<电荷产生区域>
电荷产生区域既可以具有对空穴传输性高的有机化合物添加有电子受体(受体)的结构，又可以具有对电子传输性高的有机化合物添加有电子给体(供体)的结构。或者，也可以层叠有这两种结构。
作为空穴传输性高的有机化合物，例如可以举出由上述通式(g1)至通式(g4)表示的有机化合物等的可用于上述空穴传输层的材料，作为电子传输性高的有机化合物，例如可以举出可用于上述电子传输层的材料。
此外，作为电子受体，可给出7,7,8,8-四氰基-2,3,5,6-四氟醌二甲烷(简称：f4-tcnq)、氯醌等。另外，还可以举出过渡金属氧化物。另外，可以举出属于元素周期表中第4族至第8族的金属的氧化物。具体而言，优选使用氧化钒、氧化铌、氧化钽、氧化铬、氧化钼、氧化钨、氧化锰和氧化铼，这是因为它们具有高电子接受性。尤其，优选使用氧化钼，因为氧化钼在大气中稳定且其吸湿性低，所以容易进行处理。
另外，作为电子给体，可以使用碱金属、碱土金属、稀土金属或属于元素周期表中第2、第13族的金属及它们的氧化物或碳酸盐。具体地，优选使用锂、铯、镁、钙、镱、铟、氧化锂、碳酸铯等。也可以将有机化合物诸如四硫并四苯(tetrathianaphthacene)用作电子给体。
此外，构成上述el层203及中间层207的层分别通过蒸镀法(包括真空蒸镀法)、转印法、印刷法、喷墨法、涂敷法等的方法形成。
可以使用本实施方式所示的发光元件来制造被动矩阵型发光装置或由晶体管控制发光元件的驱动的主动矩阵型发光装置。此外，可以将该发光装置应用于电子设备或照明装置等。
如上所述，本发明的一个方式的发光元件包含具有苯基咔唑骨架的有机化合物。该有机化合物的空穴传输性高，所以可以实现发光元件的低电压驱动及高效率化。另外，通过对本发明的一个方式的发光元件所包含的有机化合物进行lc/ms分析或利用tof-sims的分析，可以鉴定该有机化合物的骨架。具体地，通过对该有机化合物进行lc/ms分析或利用tof-sims的分析，可以检测出表示包含苯基咔唑骨架的有机化合物的特有的子离子。
本实施方式可以与其他实施方式自由组合。
(实施方式2)
在本实施方式中，参照图2a至图3c说明本发明的一个方式的发光元件。本实施方式的发光装置包括本发明的一个方式的发光元件。该发光元件的发光效率高，所以可以实现低功耗的发光装置。
图2a是示出本发明的一个方式的发光装置的平面图，图2b是沿着图2a中的锁链线a-b切断的截面图。
本实施方式的发光装置包括由支撑衬底401、密封衬底405、密封剂407包围的空间415中的发光元件403。发光元件403是底部发射结构的发光元件，具体而言，在支撑衬底401上设置有使可见光透过的第一电极421，在第一电极421上设置有el层423，并且在el层423上设置有反射可见光的第二电极425。发光元件403是使用实施方式1所示的本发明的一个方式的发光元件。
第一端子409a与辅助布线417及第一电极421电连接。在第一电极421上的与辅助布线417重叠的区域中设置有绝缘层419。第一端子409a与第二电极425由绝缘层419电绝缘。第二端子409b与第二电极425电连接。另外，在本实施方式中，虽然示出在辅助布线417上形成有第一电极421的结构，但是也可以在第一电极421上形成辅助布线417。
优选在支撑衬底401与大气的界面设置光提取结构411a。通过在大气与支撑衬底401的界面设置光提取结构411a，可以减少因全反射而不能提取到大气中的光，由此可以提高发光装置的光提取效率。
另外，优选在发光元件403与支撑衬底401的界面设置光提取结构411b。当光提取结构411b具有凹凸时，优选在光提取结构411b和第一电极421之间设置平坦化层413。由此，可以将第一电极421形成为平坦的膜，并且可以抑制因第一电极421的凹凸而在el层423中产生的泄漏电流。此外，因为在平坦化层413与支撑衬底401的界面设置有光提取结构411b，所以可以减少因全反射而不能提取到大气中的光，由此可以提高发光装置的光提取效率。
作为光提取结构411a及光提取结构411b的材料，例如，可以使用树脂。另外，作为光提取结构411a及光提取结构411b，也可以使用半球透镜、微透镜阵列、具有凹凸结构的薄膜或光扩散薄膜等。例如，通过在支撑衬底401上使用其折射率与支撑衬底401、该透镜或该薄膜相同程度的粘合剂等粘合该透镜或该薄膜，可以形成光提取结构411a及光提取结构411b。
平坦化层413的与第一电极421接触的面比平坦化层413的与光提取结构411b接触的面平坦。作为平坦化层413的材料，可以使用具有透光性且高折射率的玻璃、液体或树脂等。
图3a是示出本发明的一个方式的发光装置的平面图，图3b是沿着图3a中的锁链线c-d切断的截面图，图3c是示出发光部的变形例子的截面图。
根据本实施方式的主动矩阵型发光装置在支撑衬底501上设置有发光部551(其截面是图3b的发光部551a或图3c的发光部551b)、驱动电路部552(栅极侧驱动电路部)、驱动电路部553(源极侧驱动电路部)以及密封剂507。在由支撑衬底501、密封衬底505以及密封剂507形成的空间515中密封有发光部551、驱动电路部552及驱动电路部553。
本发明的一个方式的发光元件可以采用分别涂布方式、滤色片方式和颜色转换方式中的任何方式。图3b示出采用滤色片方式制造时的发光部551a，图3c示出采用分别涂布方式制造时的发光部551b。
发光部551a及发光部551b都包括多个发光单元，该多个发光单元的每一个包括开关晶体管541a、电流控制晶体管541b以及与晶体管541b的布线(源电极或漏电极)电连接的第二电极525。
发光部551a所包括的发光元件503具有底部发射结构，并由使可见光透过的第一电极521、el层523以及第二电极525构成。另外，覆盖第一电极521的端部地形成有分隔壁519。
发光部551b所包括的发光元件504具有顶部发射结构，并由第一电极561、el层563以及使可见光透过的第二电极565构成。另外，覆盖第一电极561的端部地形成有分隔壁519。在el层563中，至少由根据发光元件不同的材料构成的层(例如，发光层)被分别涂布。
在支撑衬底501上设置有用来连接外部输入端子的引线517，通过该外部输入端子，将来自外部的信号(例如，视频信号、时钟信号、启动信号或复位信号等)或电位传输至驱动电路部552和驱动电路部553。在此，示出作为外部输入端子设置fpc(flexibleprintedcircuit：柔性印刷电路)509的例子。
驱动电路部552和驱动电路部553包含多个晶体管。在图3b中示出驱动电路部552所包含的晶体管中的两个晶体管(晶体管542及晶体管543)。
为了防止工序数的增加，引线517和用于发光部或驱动电路部的电极或布线优选以同一材料、同一工序制造。在本实施方式中，示出引线517和包括在发光部551及驱动电路部552中的晶体管的源电极和漏电极以同一材料、同一工序制造的例子。
在图3b中，密封剂507与引线517上的第一绝缘层511接触。有时，密封剂507与金属的密接性低。因此，密封剂507优选与设置在引线517上的无机绝缘膜接触。通过采用这种结构，可以实现密封性及密接性高且可靠性高的发光装置。作为无机绝缘膜，可以举出金属或半导体的氧化物膜、金属或半导体的氮化物膜、金属或半导体的氧氮化物膜，具体而言，可以举出氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜、氧化钛膜等。
另外，第一绝缘层511具有抑制杂质扩散到构成晶体管的半导体的效果。此外，为了减少起因于晶体管的表面的凹凸，优选作为第二绝缘层513选择具有平坦化功能的绝缘膜。
对用于本发明的一个方式的发光装置的晶体管的结构及材料没有特别的限制，既可以使用顶栅型晶体管，又可以使用反交错型等底栅型晶体管。另外，既可以使用沟道蚀刻型晶体管，又可以使用沟道保护型晶体管。此外，也可以使用n沟道型晶体管或p沟道型晶体管。
半导体层可以使用硅或in-ga-zn类金属氧化物等的氧化物半导体形成。
在图3b所示的密封衬底505的与发光元件503(其中的发光区域)重叠的位置上设置有作为着色层的滤色片533，在重叠于分隔壁519的位置上设置有黑矩阵531。另外，还设置有覆盖滤色片533及黑矩阵531的保护层535。此外，在图3c所示的密封衬底505上设置有干燥剂506。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
(实施方式3)
在本实施方式中，使用图4a至图5b说明使用本发明的一个方式的发光装置的电子设备及照明装置的一个例子。
本实施方式中的电子设备在其显示部中具有本发明的一个方式的发光装置。此外，本实施方式中的照明装置在其发光部(照明部)中具有本发明的一个方式的发光装置。通过应用本发明的一个方式的发光装置，可以提供低功耗的电子设备及照明装置。
作为应用发光装置的电子设备，例如可以举出电视装置(也称为电视或电视接收机)、用于计算机等的显示器、数码相机、数码摄像机、数码相框、移动电话机(也称为移动电话、移动电话装置)、便携式游戏机、便携式信息终端、声音再现装置、弹珠机等大型游戏机等。图4a至图5b示出这些电子设备及照明装置的具体例子。
图4a示出电视装置的一个例子。在电视装置7100中，框体7101组装有显示部7102。在显示部7102上可以显示图像。可以将应用有本发明的一个方式的发光装置用于显示部7102。另外，在此示出利用支架7103支撑框体7101的结构。
可以通过利用框体7101所具有的操作开关、另外提供的遥控操作机7111进行电视装置7100的操作。通过利用遥控操作机7111所具有的操作键，可以进行频道及音量的操作，并可以对显示在显示部7102上的图像进行操作。另外，也可以采用在遥控操作机7111中设置显示从该遥控操作机7111输出的信息的显示部的结构。
另外，电视装置7100采用具有接收机及调制解调器等的结构。可以通过利用接收机接收一般的电视广播。再者，也可以通过调制解调器连接到有线或无线方式的通信网络来进行单向(从发送者到接收者)或双向(发送者和接收者之间或接收者之间等)的信息通信。
图4b示出计算机的一个例子。该计算机7200包括主体7201、框体7202、显示部7203、键盘7204、外部连接端口7205、指向装置7206等。另外，该计算机是通过将本发明的一个方式的发光装置用于其显示部7203来制造的。
图4c示出便携式游戏机的一个例子。便携式游戏机7300由框体7301a和框体7301b的两个框体构成，并且通过连接部7302可以开闭地连接。框体7301a具有显示部7303a，而框体7301b组装有显示部7303b。另外，图4c所示的便携式游戏机还具备扬声器部7304、记录介质插入部7305、操作键7306、连接端子7307、传感器7308(包括测量如下因素的功能：力量、位移、位置、速度、加速度、角速度、转动数、距离、光、液、磁、温度、化学物质、声音、时间、硬度、电场、电流、电压、电力、辐射线、流量、湿度、斜率、振动、气味或红外线)、led灯、麦克风等。当然，便携式游戏机的结构不局限于上述结构，只要在显示部7303a和显示部7303b中的双方或一方中使用本发明的一个方式的发光装置即可，而可以采用适当地设置有其他附属设备的结构。图4c所示的便携式游戏机具有如下功能：读出储存在记录介质中的程序或数据并将其显示在显示部上；通过与其他便携式游戏机进行无线通信而实现信息共享。注意，图4c所示的便携式游戏机所具有的功能不局限于此，而可以具有各种功能。
图4d示出移动电话机的一个例子。移动电话机7400除了组装在框体7401中的显示部7402之外还具有操作按钮7403、外部连接端口7404、扬声器7405、麦克风7406等。另外，将本发明的一个方式的发光装置用于显示部7402来制造移动电话机7400。
在图4d所示的移动电话机7400中，可以用手指等触摸显示部7402来输入信息。另外，可以用手指等触摸显示部7402来进行打电话或编写电子邮件等的操作。
显示部7402主要有三种屏面模式。第一模式是主要用于显示图像的显示模式。第二模式是主要用于输入文字等信息的输入模式。第三模式是混合显示模式和输入模式这两种模式的显示和输入模式。
例如，在打电话或编写电子邮件的情况下，将显示部7402设定为以输入为主的文字输入模式，并进行显示在屏面上的文字的输入操作，即可。
另外，通过在移动电话机7400内部设置具有陀螺仪传感器和加速度传感器等检测倾斜度的传感器的检测装置来判断移动电话机7400的方向(纵向或横向)，从而可以对显示部7402的屏面显示进行自动切换。
另外，通过触摸显示部7402或对框体7401的操作按钮7403进行操作来切换屏面模式。此外，也可以根据显示在显示部7402上的图像的种类而切换屏面模式。例如，当显示在显示部上的图像信号为动态图像的数据时，将屏面模式切换成显示模式，而当显示在显示部上的图像信号为文字数据时，将屏面模式切换成输入模式。
另外，当在输入模式下通过检测出显示部7402的光传感器所检测的信号而得知在一定期间内没有显示部7402的触摸操作输入时，也可以控制为将屏面模式从输入模式切换成显示模式。
还可以将显示部7402用作图像传感器。例如，通过用手掌或手指触摸显示部7402，来拍摄掌纹、指纹等，从而可以进行身份识别。另外，通过将发射近红外光的背光灯或发射近红外光的传感用光源用于显示部，还可以拍摄手指静脉、手掌静脉等。
图4e示出能够折叠的平板终端(打开状态)的一个例子。平板终端7500包括框体7501a、框体7501b、显示部7502a、显示部7502b。框体7501a和框体7501b由轴部7503彼此连接，并且可以以该轴部7503为轴而进行开闭动作。此外，框体7501a包括电源开关7504、操作键7505、扬声器7506等。另外，将本发明的一个方式的发光装置用于显示部7502a和显示部7502b中的双方或一方来制造该平板终端7500。
在显示部7502a及显示部7502b中，可以将其至少一部分用作触摸屏的区域，并且可以通过按触所显示的操作键来输入数据。例如，可以使显示部7502a的整个面显示键盘按钮来将其用作触摸屏，并且将显示部7502b用作显示画面。
图5a所示的室内照明装置7601、卷动型(roll-type)照明装置7602、台式照明装置7603以及面状照明装置7604都是使用本发明的一个方式的发光装置的照明装置的一个例子。本发明的一个方式的发光装置也可以实现大面积化，所以可以用作大面积的照明装置。另外，其厚度薄，所以可以将它安装在墙上而使用。
图5b所示的台式照明装置包括照明部7701、支柱7703、支撑台7705等。在照明部7701中使用本发明的一个方式的发光装置。在本发明的一个方式中，可以实现发光部具有曲面的照明装置或包括具有柔性的照明部的照明装置。如上所述，通过将具有柔性的发光装置用于照明装置，不但提高照明装置的设计的自由度，而且可以将照明装置设置在例如汽车的天花板上和仪表板上等具有曲面的地方。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
实施例1
在本实施例中参照图6说明本发明的一个方式的发光元件。下面示出在本实施例中使用的材料的化学式。
[化学式13]
下面，示出本实施例的发光元件1的制造方法。
(发光元件1)
在玻璃衬底1100上通过溅射法形成包含硅的铟锡氧化物(itso)膜，由此形成用作阳极的第一电极1101。另外，将其厚度设定为110nm，且将其电极面积设定为2mm×2mm。
接着，作为用来在玻璃衬底1100上形成发光元件的预处理，在用水洗涤玻璃衬底1100表面并在200℃下进行焙烧1小时之后，对该玻璃衬底1100进行uv臭氧处理370秒。
然后，将玻璃衬底1100放进到真空蒸镀装置中，其内部被减压到10-4pa左右。在真空蒸镀装置内的加热室中，在170℃下进行30分钟的真空焙烧，然后使玻璃衬底1100冷却30分钟左右。
接着，以使形成有第一电极1101的面朝下的方式将形成有第一电极1101的玻璃衬底1100固定在设置在真空蒸镀装置内的衬底支架上，并将压力降低到10-4pa左右，然后在第一电极1101上将4,4’-双[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯(简称：npb)和氧化钼(ⅵ)共蒸镀，从而形成空穴注入层1111。将空穴注入层1111的厚度设定为50nm，将npb与氧化钼的重量比调节为4:1(＝npb:氧化钼)。注意，共蒸镀法是指在一个处理室中从多个蒸发源同时进行蒸镀的蒸镀法。
接着，在空穴注入层1111上形成厚度为10nm的n-苯基-n-(4-苯基苯基)-n-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)胺(简称：pca1bp)的膜，来形成空穴传输层1112。
而且，将9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑(简称：czpa)和n，n'-双[4-(9h-咔唑-9-基)苯基]-n，n'-二苯基二苯乙烯-4，4'-二胺(简称：yga2s)共蒸镀，在空穴传输层1112上形成发光层1113。在此，将czpa和yga2s的重量比调节为1:0.04(＝czpa:yga2s)。此外，将发光层1113的厚度设定为30nm。
接着，通过在发光层1113上形成厚度为20nm的三(8-羟基喹啉)铝(ⅲ)(简称：alq)的膜，形成电子传输层1114。
然后，在电子传输层1114上形成厚度为10nm的红菲绕啉(简称：bphen)的膜并蒸镀厚度为1nm的氟化锂(lif)的膜,来形成电子注入层1115。
最后，作为用作阴极的第二电极1103以200nm的厚度蒸镀铝的膜，来制造本实施例的发光元件1。
此外，作为上述蒸镀过程中的蒸镀，都采用电阻加热法。
表1示出通过上述步骤得到的本实施例中的发光元件的元件结构。
[表1]
在氮气氛的手套箱中密封所制造的发光元件1，以使其不暴露于大气(将密封材料涂敷在元件的周围，并且在密封时以80℃进行1小时的热处理)。然后，测定该发光元件1的工作特性。另外，在室温(保持为25℃的气氛)下进行测量。
图7示出发光元件1的电压-亮度特性，图8示出发光元件1的亮度-电流效率特性，图9示出发光元件1的电压-电流特性，图10示出发光元件1的亮度-色度特性。
从图7及图8可知，发光元件1是高效率且低功耗的元件。从图9可知，发光元件1是低电压驱动的元件。从图10可知，发光元件1是各亮度上的载流子平衡良好的元件。
此外，表2示出亮度为1000cd/m2时的发光元件1的主要初期特性值。
[表2]
从上述结果可知，发光元件1是高亮度且高电流效率的发光元件。并且可知，关于色纯度，呈现高纯度的蓝色发光。
此外，图11示出以25ma/cm2的电流密度使电流流到发光元件1时的发射光谱。如图11所示，发光元件1的发射光谱在445nm和476nm附近具有两个峰值，由此可知，该两个峰值分别来源于发光层1113所包含的yga2s的发光。
从本实施例的结果可知，pca1bp可以适当地用于呈现在可见光区发射荧光的发光元件的空穴传输层。
实施例2
在本实施例中参照图6说明本发明的一个方式的发光元件。下面示出在本实施例中使用的材料的化学式。注意，省略已示出的材料。
[化学式14]
下面，示出本实施例的发光元件2的制造方法。
(发光元件2)
以与发光元件1同样的条件在玻璃衬底1100上形成第一电极1101、空穴注入层1111以及空穴传输层1112。注意，将空穴注入层1111中的npb与氧化钼的重量比调节为4:2(＝npb:氧化钼)。
接着，将3-苯基-9-[4-(5-苯基-1,3,4-噁二唑-2-基)苯基]-9h-咔唑(简称：co11ⅱ)、pca1bp以及双-{2-(4-氟苯基)-3,5-二甲基吡啶(dimethylpyrazinato)}(吡啶甲酸甲酯)铱(ⅲ)(简称：[ir(dmfppr)2(pic)])共蒸镀，在空穴传输层1112上形成发光层1113。在此，将co11ⅱ、pca1bp以及[ir(dmfppr)2(pic)]的重量比调节为1:0.15:0.1(＝co11ⅱ：pca1bp:[ir(dmfppr)2(pic)])。此外，将发光层1113的厚度设定为40nm。
接着，通过在发光层1113上形成厚度为10nm的alq膜，形成电子传输层1114。
然后，在电子传输层1114上形成厚度为20nm的bphen膜并蒸镀厚度为1nm的lif膜,来形成电子注入层1115。
最后，作为用作阴极的第二电极1103以200nm的厚度蒸镀铝膜，来制造本实施例的发光元件2。
此外，作为上述蒸镀过程中的蒸镀，都采用电阻加热法。
表3示出通过上述步骤得到的本实施例中的发光元件的元件结构。
[表3]
在氮气氛的手套箱中密封所制造的发光元件2，以使其不暴露于大气(将密封材料涂敷在元件的周围，并且在密封时以80℃进行1小时的热处理)。然后，测定该发光元件2的工作特性。另外，在室温(保持为25℃的气氛)下进行测量。
图12示出发光元件2的电压-亮度特性，图13示出发光元件2的亮度-电流效率特性，图14示出发光元件2的电压-电流特性，图15示出发光元件2的亮度-色度特性。
从图12及图13可知，发光元件2是高效率且低功耗的元件。从图14可知，发光元件2是低电压驱动的元件。从图15可知，发光元件2是各亮度上的载流子平衡良好的元件。
此外，表4示出亮度为大约1000cd/m2时的发光元件2的主要初期特性值。
[表4]
从上述结果可知，发光元件2是高亮度且高电流效率的发光元件。并且可知，关于色纯度，呈现高纯度的黄色发光。
此外，图16示出以25ma/cm2的电流密度使电流流到发光元件2时的发射光谱。如图16所示，发光元件2的发射光谱在550nm附近具有峰值，由此可知，该发射光谱的峰值来源于发光层1113所包含的[ir(dmfppr)2(pic)]的发光。
另外，图17示出发光元件2的可靠性测试的结果。此外，在可靠性测试中，将初始亮度设定为1000cd/m2，并且在电流密度恒定的条件下驱动发光元件2。其结果是，发光元件2的100小时之后的亮度保持初始亮度的86％左右。由此可知，发光元件2呈现高可靠性。
从本实施例的结果可知，可以将pca1bp用于发射其波长长于或等于黄色光的波长的磷光的发光元件的空穴传输层或发光层的主体材料。
实施例3
在本实施例中参照图6说明本发明的一个方式的发光元件。下面示出在本实施例中使用的材料的化学式。注意，省略已示出的材料。
[化学式15]
下面，示出本实施例的发光元件3的制造方法。
(发光元件3)
以与发光元件1同样的条件在玻璃衬底1100上形成第一电极1101及空穴注入层1111。
接着，在空穴注入层1111上形成厚度为10nm的n,n-二(联苯-4-基)-n-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)胺(简称：pczbba1)的膜，来形成空穴传输层1112。
接着，将czpa和4-(9h-咔唑-9-基)-4'-(10-苯基-9-蒽基)三苯胺(简称：ygapa)共蒸镀，在空穴传输层1112上形成发光层1113。在此，将czpa和ygapa的重量比调节为1:0.04(＝czpa:ygapa)。此外，将发光层1113的厚度设定为30nm。
接着，通过在发光层1113上形成厚度为30nm的alq膜，形成电子传输层1114。
然后，在电子传输层1114上蒸镀厚度为1nm的lif膜来形成电子注入层1115。
最后，作为用作阴极的第二电极1103以200nm的厚度蒸镀铝膜，来制造本实施例的发光元件3。
此外，作为上述蒸镀过程中的蒸镀，都采用电阻加热法。
表5示出通过上述步骤得到的本实施例中的发光元件的元件结构。
[表5]
在氮气氛的手套箱中密封所制造的发光元件3，以使其不暴露于大气(将密封材料涂敷在元件的周围，并且在密封时以80℃进行1小时的热处理)。然后，测定该发光元件3的工作特性。另外，在室温(保持为25℃的气氛)下进行测量。
图18示出发光元件3的电压-亮度特性，图19示出发光元件3的亮度-电流效率特性，图20示出发光元件3的电压-电流特性，图21示出发光元件3的亮度-色度特性。
从图18及图19可知，发光元件3是高效率且低功耗的元件。从图20可知，发光元件3是低电压驱动的元件。从图21可知，发光元件3是各亮度上的载流子平衡良好的元件。
此外，表6示出亮度为1000cd/m2时的发光元件3的主要初期特性值。
[表6]
从上述结果可知，发光元件3是高亮度且高电流效率的发光元件。并且可知，关于色纯度，呈现高纯度的蓝色发光。
此外，图22示出以25ma/cm2的电流密度使电流流到发光元件3时的发射光谱。如图22所示，发光元件3的发射光谱在453nm附近具有峰值，由此可知，该峰值来源于发光层1113所包含的ygapa的发光。
从本实施例的结果可知，pczbba1可以适当地用于呈现在可见光区发射荧光的发光元件的空穴传输层。
实施例4
在本实施例中参照图6说明本发明的一个方式的发光元件。下面示出在本实施例中使用的材料的化学式。注意，省略已示出的材料。
[化学式16]
下面，示出本实施例的发光元件4的制造方法。
(发光元件4)
以与发光元件1同样的条件在玻璃衬底1100上形成第一电极1101及空穴注入层1111。
接着，在空穴注入层1111上形成厚度为10nm的pczbba1膜，来形成空穴传输层1112。
接着，将alq和香豆素6共蒸镀，在空穴传输层1112上形成发光层1113。在此，将alq和香豆素6的重量比调节为1:0.01(＝alq:香豆素6)。此外，将发光层1113的厚度设定为40nm。
接着，通过在发光层1113上形成厚度为30nm的alq膜，形成电子传输层1114。
然后，在电子传输层1114上蒸镀厚度为1nm的lif膜来形成电子注入层1115。
最后，作为用作阴极的第二电极1103以200nm的厚度蒸镀铝膜，来制造本实施例的发光元件4。
此外，作为上述蒸镀过程中的蒸镀，都采用电阻加热法。
表7示出通过上述步骤得到的本实施例中的发光元件的元件结构。
[表7]
在氮气氛的手套箱中密封所制造的发光元件4，以使其不暴露于大气(将密封材料涂敷在元件的周围，并且在密封时以80℃进行1小时的热处理)。然后，测定该发光元件4的工作特性。另外，在室温(保持为25℃的气氛)下进行测量。
图23示出发光元件4的电压-亮度特性，图24示出发光元件4的亮度-电流效率特性，图25示出发光元件4的电压-电流特性，图26示出发光元件4的亮度-色度特性。
从图23及图24可知，发光元件4是高效率且低功耗的元件。从图25可知，发光元件4是低电压驱动的元件。从图26可知，发光元件4是各亮度上的载流子平衡良好的元件。
此外，表8示出亮度为1000cd/m2时的发光元件4的主要初期特性值。
[表8]
从上述结果可知，发光元件4是高亮度且高电流效率的发光元件。并且可知，关于色纯度，呈现高纯度的绿色发光。
此外，图27示出以25ma/cm2的电流密度使电流流到发光元件4时的发射光谱。如图27所示，发光元件4的发射光谱在517nm附近具有峰值，由此可知，该峰值来源于发光层1113所包含的香豆素6的发光。
从本实施例的结果可知，pczbba1可以适当地用于呈现在可见光区发射的荧光的发光元件的空穴传输层。
实施例5
在本实施例中说明本发明的一个方式的发光元件具有的有机化合物的合成方法及其特性的测定结果。
(合成例1)
说明由下述结构式(100)表示的n-苯基-n-(4-苯基苯基)-n-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)胺(简称：pca1bp)的合成方法。
[化学式17]
将3.2g(10mmol)的3-溴-9-苯基-9h-咔唑、2.5g(10mmol)的4-苯基-二苯胺、1.5g(15mmol)的叔丁醇钠以及0.1g(0.2mmol)的双(二亚苄基丙酮)钯(0)放入200ml三口烧瓶中，并用氮气置换烧瓶中的气氛。对该混合物添加20ml的脱水二甲苯。在减压下搅拌同时对混合物进行脱气之后，在该混合物中添加1.2ml(0.6mmol)的三(叔丁基)膦(10wt％己烷溶液)。在氮气氛下以110℃对该混合物进行6.5小时的加热搅拌，进行反应。
在反应之后，在该反应混合液中添加400ml的甲苯，并通过硅酸镁(日本和光纯药工业株式会社，目录号码：540-00135)、矾土和硅藻土(日本和光纯药工业株式会社，目录号码：531-16855)过滤所产生的悬浮液。浓缩所得到的滤液，添加甲醇并对该混合物辐射超声波，然后使该混合物再结晶，以91％的收率得到了目的物的4.4g的淡黄色粉末。下面示出合成方案(a)。
[化学式18]
目的物的rf值为0.65，3-溴-9-苯基-9h-咔唑的rf值为0.73，而4-苯基-二苯胺的rf值为0.54，这些测量值是通过硅胶薄层层析(tlc)得到的(展开溶剂为乙酸乙酯：己烷＝1:5)。
通过核磁共振法(nmr)，确认到上述化合物是目的物的pca1bp。
以下示出所得到的化合物的1hnmr数据。1hnmr(dmso-d6,300mhz):δ(ppm)＝7.00-7.11(m,5h),7.21-7.44(m,10h),7.54-7.71(m,9h),8.06(d,j＝1.8hz,1h),8.17(d,j＝7.2hz,1h)。
另外，图28a和图28b示出1hnmr图。另外，图28b是示出放大图28a中的6.00ppm至9.00ppm的范围的图。
另外，图29a示出pca1bp的甲苯溶液(0.120mmol/l)的吸收光谱及发射光谱。此外，图29b示出pca1bp薄膜的吸收光谱及发射光谱。使用紫外可见分光光度计(由日本分光株式会社制造，v550型)来进行吸收光谱的测量。将溶液放在石英皿中，并将薄膜蒸镀在石英衬底上以制造样品而进行测量。通过从溶液及石英的吸收光谱减去甲苯和石英的吸收光谱，获得该溶液的吸收光谱。通过从石英衬底及薄膜的吸收光谱减去石英衬底的吸收光谱，获得该薄膜的吸收光谱。在测定甲苯溶液的情况下，在321nm附近观察到吸收峰值，在415nm(激发波长为325nm)观察到最大发光波长。在测定薄膜的情况下，在323nm附近观察到吸收峰值，在421nm(激发波长为312nm)观察到最大发光波长。
通过循环伏安法(cv)，测定pca1bp的homo能级及lumo能级。将电化学分析仪(bas株式会社(basinc.)制造，als型号600a或600c)用于该cv测定。
另外，关于用于cv测定的溶液，作为溶剂使用脱水的二甲基甲酰胺(dmf，西格玛-奥尔德里奇公司(sigma-aldrichinc.)制造，99.8％，目录号码：22705-6)，高氯酸四正丁基铵(n-bu4nclo4，东京化成工业株式会社，目录号码：t0836)是支持电解质(supportingelectrolyte)，溶解于溶剂使高氯酸四正丁基铵的浓度为100mmol/l。此外，将需测量的目标物溶解于溶剂中，使其浓度为2mmol/l。另外，作为工作电极使用铂电极(bas株式会社(basinc.)制造，pte铂电极)，作为辅助电极使用铂电极(bas株式会社(basinc.)制造，vc-3用pt对电极(5cm))，作为参考电极使用ag/ag+电极(bas株式会社(basinc.)制造，re7非水溶剂型参考电极)。另外，在室温下(20℃至25℃)进行cv测定，将cv测定时的扫描速度统一为0.1v/sec。另外，在本实施例中，将参考电极相对于真空能级的势能设定为-4.94ev。
通过cv测定得到的氧化峰电位epa和还原峰电位epc的中间的电位(半波电位)相当于homo能级，所以可以算出pca1bp的homo能级为-5.31ev，还可以算出pca1bp的lumo能级为-2.12ev。由此可知，pca1bp的带隙(δe)为3.19ev。
另外，100个循环之后也氧化峰的值成为相同。由此可知，pca1bp具有能有效抵抗氧化态和中性态之间氧化还原反应的循环的良好性质。
另外，通过lc/ms分析对pca1bp进行质谱(ms)分析。
在lc/ms分析中，使用waters(沃特世)corporation制造的acquityuplc及waterscorporation制造的xevog2tofms。在ms分析中，通过电喷雾电离法(electrosprayionization，简称：esi)进行离子化。此时，将毛细管电压设定为3.0kv，将样品锥孔电压设定为30v，并且以正模式进行检测。将以上述条件被离子化了的成分在碰撞室(collisioncell)内碰撞到氩气体来使其离解为子离子。将氩碰撞时的能量(碰撞能量)设定为6ev、30ev及50ev。另外，进行测定的质量范围是m/z＝100至1200。图30a示出碰撞能量为6ev时的测定结果，图30b示出碰撞能量为50ev时的测定结果。
由图30a的结果可知，当碰撞能量为6ev时，由于氢离子的有无或同位素的存在，主要在m/z＝487附近检测出多个来源于pca1bp的前体离子的峰值。另外，由于氢离子的有无或同位素的存在，主要在m/z＝246附近、m/z＝262附近检测出多个来源于pca1bp的子离子的峰值。注意，虽然未图示，但是当碰撞能量为30ev时，由于氢离子的有无或同位素的存在，也在m/z＝246附近检测出多个来源于pca1bp的子离子的峰值。
可认为在m/z＝246附近检测出的子离子来源于苯基咔唑从pca1bp脱离的阳离子的质子加合物，这是表示包含该苯基咔唑的有机化合物的特有的子离子之一。
可认为在m/z＝246附近检测出的该子离子来源于n-联苯-n-苯胺的自由基阳离子，这是表示包含该苯基咔唑及该n-联苯-n-苯胺的有机化合物的特有的子离子之一。
另外，由图30b的结果可知，当碰撞能量为50ev时，由于氢离子的有无或同位素的存在，主要在m/z＝487附近检测出多个来源于pca1bp的前体离子的峰值。另外，由于氢离子的有无或同位素的存在，主要在m/z＝169附近、m/z＝243附近、m/z＝257、m/z＝334附近、m/z＝410附近分别检测出多个来源于pca1bp的子离子的峰值。
可认为在m/z＝243附近检测出的子离子来源于苯基咔唑的三位的自由基阳离子的质子加合物，这是表示包含该苯基咔唑的有机化合物的特有的子离子之一。
另外，图30a和图30b所示的结果示出来源于pca1bp的特征，由此可以说是为了鉴定发光元件所包含的pca1bp而重要的数据。
图31a至图32b示出通过tof-sims测定的pca1bp的定性光谱(正离子及负离子)。图31a和图31b示出测定正离子的情况，图32a和图32b示出测定负离子的情况。在图31a和图32a中，横轴表示位于0至450的范围的m/z，纵轴表示强度(任意单位)。在图31b和图32b中，横轴表示位于450至1200的范围的m/z，纵轴表示强度(任意单位)。
作为装置使用tof-sims5(ion-tof公司制造)，作为一次离子使用bi3++。以脉冲宽度为7ns至12ns的脉冲状的方式照射一次离子，其照射量为8.2×1010至6.7×1011ions/cm2(1×1012ions/cm2以下)，加速电压为25ev，电流值为0.2pa。另外，作为样品使用pca1bp的粉末进行测定。
由图31a和图31b的结果可知，在pca1bp中，由于氢离子的有无或同位素的存在，主要在m/z＝486附近检测出多个来源于前体离子的峰值，在m/z＝243附近检测出多个来源于子离子的峰值，在m/z＝499附近检测出多个来源于加合物的峰值。由图32a和图32b的结果可知，在pca1bp中，由于氢离子的有无或同位素的存在，主要在m/z＝485附近检测出多个来源于前体离子的峰值，在m/z＝26附近、m/z＝409附近、m/z＝473附近检测出多个来源于子离子的峰值，在m/z＝497附近检测出多个来源于加合物的峰值。另外，通过tof-sims测定的结果也可以说是为了鉴定发光元件所包含的pca1bp而重要的数据。
如上所述，从通过tof-sims测定的结果也可以确认到表示包含该苯基咔唑的有机化合物的特有的子离子之一的峰值，即在m/z＝243附近检测出的子离子的峰值。
(合成例2)
说明由下述结构式(101)表示的n,n-二(联苯-4-基)-n-(9-苯基-9h-咔唑-3-基)胺(简称：pczbba1)的合成方法。
[化学式19]
将3.7g(10mmol)的3-碘-9-苯基-9h-咔唑、3.2g(10mmol)的4,4'-二苯基联苯胺、1.5g(15mmol)的叔丁醇钠以及0.1g(0.2mmol)的双(二亚苄基丙酮)钯(0)放入200ml三口烧瓶中，并用氮气置换烧瓶中的气氛。对该混合物添加25ml的脱水二甲苯。在减压下搅拌同时对混合物进行脱气之后，在该混合物中添加1.2ml(0.6mmol)的三(叔丁基)膦(10wt％己烷溶液)。在氮气氛下以110℃对该混合物进行4.5小时的加热搅拌，进行反应。
在反应之后，在该反应混合液中添加200ml的甲苯，并通过硅酸镁、矾土和硅藻土过滤所产生的悬浮液。浓缩所得到的滤液进行再结晶，以66％的收率得到了目的物的3.7g的淡黄色粉末。下面示出合成方案(b)。
[化学式20]
目的物的rf值为0.43，3-溴-9-苯基-9h-咔唑的rf值为0.59，而4-4'-苯基-二苯胺的rf值为0.19，这些测量值是通过硅胶薄层层析(tlc)得到的(展开溶剂为乙酸乙酯：己烷＝1:10)。
通过核磁共振法(nmr)，确认到上述化合物是目的物的pczbba1。
以下示出所得到的化合物的1hnmr数据。1hnmr(dmso-d6,300mhz):δ(ppm)＝7.14(d,j＝8.1hz,4h),7.22-7.46(m,11h),7.53-7.73(m,13h),8.15(s,1h),8.23(d,j＝7.8hz,1h)。
另外，图33a和图33b示出1hnmr图。另外，图33b是示出放大图33a中的6.00ppm至9.00ppm的范围的图。
另外，图34a示出pczbba1的甲苯溶液(0.120mmol/l)的吸收光谱及发射光谱。此外，图34b示出pczbba1薄膜的吸收光谱及发射光谱。采用与合成例1相同的条件和方法进行测量。在测定甲苯溶液的情况下，在330nm附近观察到吸收峰值，在415nm(激发波长为330nm)观察到最大发光波长。在测定薄膜的情况下，在335nm附近观察到吸收峰值，在441nm(激发波长为335nm)观察到最大发光波长。
通过循环伏安法(cv)，测定pczbba1的homo能级及lumo能级。当采用与合成例1相同的条件和方法进行测量时，可以算出pczbba1的homo能级为-5.28ev，还可以算出pczbba1的lumo能级为-2.30ev。由此可知，pczbba1的带隙(δe)为2.98ev。另外，100个循环之后也氧化峰的值成为相同。由此可知，pczbba1具有能有效抵抗氧化态和中性态之间氧化还原反应的循环的良好性质。
另外，通过lc/ms分析对pczbba1进行质谱(ms)分析。
采用与测定pca1bp时相同的装置、方法和条件进行lc/ms分析。图35a示出碰撞能量为6ev时的测定结果，图35b示出碰撞能量为50ev时的测定结果。
由图35a的结果可知，当碰撞能量为6ev时，由于氢离子的有无或同位素的存在，主要在m/z＝563附近检测出多个来源于pczbba1的前体离子的峰值。另外，由于氢离子的有无或同位素的存在，在m/z＝322附近、m/z＝338附近检测出多个来源于pczbba1的子离子。
可认为在m/z＝322附近检测出的子离子来源于苯基咔唑从pczbba1脱离的阳离子的质子加合物，这是表示包含该苯基咔唑的有机化合物的特有的子离子之一。
也可认为在m/z＝322附近检测出的该子离子来源于n，n-双-联苯胺的自由基阳离子，这是表示包含该苯基咔唑及该n，n-双-联苯胺的有机化合物的特有的子离子之一。
另外，由图35b的结果可知，当碰撞能量为50ev时，由于氢离子的有无或同位素的存在，主要在m/z＝563附近检测出多个来源于pczbba1的前体离子的峰值。另外，由于氢离子的有无或同位素的存在，主要在m/z＝169附近、m/z＝332附近、m/z＝410、m/z＝485附近检测出多个来源于pczbba1的子离子。另外，图35a和图35b所示的结果示出来源于pczbba1的特征，由此可以说是为了鉴定发光元件所包含的pczbba1而重要的数据。
另外，图36a至图37b示出通过tof-sims测定的pczbba1的定性光谱(正离子及负离子)。采用与测定pca1bp时相同的装置、方法和条件进行tof-sims测定。
另外，图36a和图36b示出正离子的测定的情况，图37a和图37b示出负离子的测定的情况。在图36a和图37a中，横轴表示位于0至450的范围的m/z，纵轴表示强度(任意单位)。在图36b和图37b中，横轴表示位于450至1200的范围的m/z，纵轴表示强度(任意单位)。
由图36a和图36b的结果可知，在pczbba1中，由于氢离子的有无或同位素的存在，主要在m/z＝562附近检测出多个前体离子的峰值，在m/z＝152附近、m/z＝243附近、m/z＝320附近、m/z＝408附近检测出多个来源于子离子的峰值，在m/z＝575附近检测出多个来源于加合物的峰值。由图37a和图37b的结果可知，在pczbba1中，由于氢离子的有无或同位素的存在，主要在m/z＝561附近检测出多个前体离子的峰值，在m/z＝26附近、m/z＝485附近、m/z＝549附近检测出多个来源于子离子的峰值，在m/z＝573附近检测出多个来源于加合物的峰值。另外，通过tof-sims测定的结果也可以说是为了鉴定发光元件所包含的pczbba1而重要的数据。
可认为在m/z＝243附近检测出的子离子来源于苯基咔唑的三位的自由基阳离子的质子加合物，这是表示包含该苯基咔唑的有机化合物的特有的子离子之一。
(比较例)
通过lc/ms分析对由下述结构式(200)表示的n-[4-(9h-咔唑-9-基)苯基]-n-(4-苯基)苯基苯胺(简称：yga1bp)进行ms分析。yga1bp是合成例1所示的pca1bp的异构体。
[化学式21]
采用与测定pca1bp时相同的装置、方法和条件进行lc/ms分析。图38a示出碰撞能量为6ev时的测定结果，图38b示出碰撞能量为50ev时的测定结果。
由图38a的结果可知，当碰撞能量为6ev时，由于氢离子的有无或同位素的存在，主要在m/z＝487附近检测出多个来源于yga1bp的前体离子的峰值。另外，由于氢离子的有无或同位素的存在，在m/z＝246附近检测出来源于yga1bp的子离子的峰值。
由图38b的结果可知，当碰撞能量为50ev时，由于氢离子的有无或同位素的存在，主要在m/z＝487附近检测出多个来源于yga1bp的前体离子的峰值。另外，由于氢离子的有无或同位素的存在，主要在m/z＝166附近、m/z＝243附近、m/z＝319附近、m/z＝334附近、m/z＝410附近检测出多个yga1bp的子离子。另外，图38a和图38b所示的结果示出来源于yga1bp的特征，由此可以说是为了鉴定发光元件所包含的yga1bp而重要的数据。
通过对本比较例的结果(图38a和图38b)和合成例1(图30a和图30b)的结果进行比较，可知yga1bp是pca1bp的异构体，它示出与pca1bp不同的强度比，该pca1bp的取代基与yga1bp的取代基(咔唑及n-苯基-n苯基胺)相同。
尤其是，当碰撞能量为50ev时，yga1bp的m/z＝243附近检测出的子离子的峰值强度比pca1bp高，即来源于前体离子的峰值强度的四分之一以上。另一方面，在pca1bp及合成例2(图35a和图35b)所示的pczbba1中，在m/z＝243附近几乎没有检测出峰值。从此可知，可认为在m/z＝243附近检测出的子离子的峰值来源于yga1bp所包含的(9h-咔唑-9-基)苯基。由此，可认为当想要区别咔唑骨架的取代位置不同的同素异形体时lc/ms分析是很有用的。
图39示出测定合成例1、合成例2及比较例所示的pca1bp、pczbba1及yga1bp的吸收光谱中的吸收端的结果。在此，使用waters(沃特世)corporation制造的acquityuplc进行lc(液相色谱)分离。在lc分离中使用的色谱柱为acquityuplcbehc8(2.1×100mm，1.7μm)，色谱柱温度为40℃。作为流动相a使用乙腈，作为流动相b使用0.1％甲酸水溶液。另外，以任意浓度将pca1bp、pczbba1或yga1bp溶解于甲苯中并利用乙腈稀释来调节样品，注入量为5.0μl。
在lc分离中利用改变流动相的组成的梯度法，检测刚开始之后的比为流动相a：流动相b＝65：25，然后以检测开始后10分钟的比为流动相a:流动相b＝95：5的方式改变组成。线性地改变组成。
由图39可知，pca1bp及pczbba1的吸收端比起yga1b位于长波长一侧。具体地，可知pca1bp及pczbba1的吸收端是380nm以上(3.3ev以下)。可以说这是咔唑-3-胺骨架的特征之一。由此可知，pca1bp及pczbba1比起yga1bp其homo-lumo之间的带隙窄，并且其激发能量低。因此，可以说pca1bp及pczbba1是在从呈现380nm至420nm附近的波长的发光的发光物质向pca1bp或pczbba1的的能量转移的方面上优势。另外，也可知各吸收光谱的最长波长一侧的峰值是300nm以上。
符号说明
201第一电极
203el层
203a第一el层
203b第二el层
205第二电极
207中间层
301空穴注入层
302空穴传输层
303发光层
304电子传输层
305电子注入层
401支撑衬底
403发光元件
405密封衬底
407密封剂
409a第一端子
409b第二端子
411a光提取结构
411b光提取结构
413平坦化层
415空间
417辅助布线
419绝缘层
421第一电极
423el层
425第二电极
501支撑衬底
503发光元件
504发光元件
505密封衬底
506干燥剂
507密封剂
509fpc
511第一绝缘层
513第二绝缘层
515空间
517布线
519分隔壁
521第一电极
523el层
525第二电极
531黑矩阵
533滤色片
535保护层
541a晶体管
541b晶体管
542晶体管
543晶体管
551发光部
551a发光部
551b发光部
552驱动电路部
553驱动电路部
561第一电极
563el层
565第二电极
1100玻璃衬底
1101第一电极
1103第二电极
1111空穴注入层
1112空穴传输层
1113发光层
1114电子传输层
1115电子注入层
7100电视装置
7101框体
7102显示部
7103支架
7111遥控操作机
7200计算机
7201主体
7202框体
7203显示部
7204键盘
7205外部连接端口
7206指向装置
7300便携式游戏机
7301a框体
7301b框体
7302连接部
7303a显示部
7303b显示部
7304扬声器部
7305记录介质插入部
7306操作键
7307连接端子
7308传感器
7400移动电话机
7401框体
7402显示部
7403操作按钮
7404外部连接端口
7405扬声器
7406麦克风
7500平板终端
7501a框体
7501b框体
7502a显示部
7502b显示部
7503轴部
7504电源
7505操作键
7506扬声器
7601照明装置
7602照明装置
7603台式照明装置
7604面状照明装置
7701照明部
7703支柱
7705支撑台