技术领域
本发明涉及一种有机发光显示装置，其中薄膜晶体管和发光结构通过连接包层电极(clad electrode)连接。
背景技术：
一般来说，诸如监视器、TV、膝上型电脑和数码相机之类的电子产品包括用来实现图像的显示装置。例如，显示装置可包括液晶显示装置和有机发光显示装置。
有机发光显示装置可以是透明显示装置。例如，有机发光显示装置的每个像素区域可包括发光区域和透明区域。发光结构和用于控制发光结构的电路可设置在发光区域中。外部光可透过透明区域。
发光区域可显示用于实现图像的各种颜色。例如，用于显示蓝色的蓝色发光结构、用于显示红色的红色发光结构、用于显示绿色的绿色发光结构、以及用于显示白色的白色发光结构设置在发光区域中。每个发光结构可包括依次堆叠的下部发光电极、有机发光层和上部发光电极。
由于在形成有机发光显示装置的工艺中产生的粒子，可发生一些发光结构的缺陷。形成有机发光显示装置的工艺可包括修复工艺，以便将由于有缺陷的发光结构导致的图像质量的降低最小化。例如，有机发光显示装置的修复工艺可包括将由于粒子而与上部发光电极发生短路的下部发光电极从相应电路电断开的步骤。
将具有缺陷的发光结构的下部发光电极从相应电路电断开的步骤可包括激光切割工艺。例如，有机发光显示装置的修复工艺可包括使用激光切割下部发光电极的一部分的步骤。为了工艺方便，被修复工艺切割的下部发光电极的修复切割区域可与下基板的透明区域交叠。
然而，由于有机发光显示装置的下部发光电极包括反射层，所以由于修复切割区域，透明区域的面积可减小。此外，在有机发光显示装置中，修复切割区域可设置在下基板的发光区域中，以防止减小透明区域的面积，但发光区域的开口可减小。因而，在有机发光显示装置中，发光功效可降低，并且与修复切割区域相邻的元件可被修复工艺损坏。
技术实现要素：
因此，本发明的实施方式旨在提供一种基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的具有连接包层电极的有机发光显示装置。
本发明的一个方面是提供一种有机发光显示装置，能够防止由于修复切割区域而导致的透明区域的面积减小。
本发明的另一个方面是提供一种有机发光显示装置，可增加透明区域的透射率而不减小发光区域的开口。
附加的特征和方面将在下面的描述中阐述，这些特征和方面的一部分从下面的描述将是显而易见的，或者可通过在此提供的发明构思的实践而获知。发明构思的其它特征和方面可以通过在书面的说明书或其导出物、权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了实现发明构思的这些和其他方面，如具体化和概括描述的，一种有机发光显示装置包括下基板。所述下基板包括发光区域和透明区域。薄膜晶体管设置在所述下基板的发光区域上。发光结构设置在所述薄膜晶体管上。所述发光结构包括依次堆叠的下部发光电极、有机发光层和上部发光电极。连接包层电极连接在所述薄膜晶体管和所述发光结构之间。所述连接包层电极具有比所述下部发光电极高的透射率。所述连接包层电极包括与所述下基板的透明区域交叠的修复切割区域。
所述连接包层电极可包括诸如ITO之类的导电氧化物。
第一连接电极可设置在所述薄膜晶体管与所述连接包层电极之间。所述第一连接电极可连接至所述薄膜晶体管。所述连接包层电极可进一步包括覆盖所述第一连接电极的第一包层区域。
第二连接电极可设置在下部涂覆层与所述连接包层电极之间。所述第二连接电极可与所述第一连接电极间隔开。所述连接包层电极可进一步包括覆盖所述第二连接电极的第二包层区域。所述修复切割区域可设置在所述第一包层区域与所述第二包层区域之间。
所述第一连接电极和所述第二连接电极可沿所述连接包层电极在所述下基板的发光区域上延伸。
在另一个方面中，一种有机发光显示装置包括下基板。所述下基板包括发光区域和透明区域。薄膜晶体管设置在所述下基板的发光区域上。下部涂覆层设置在所述薄膜晶体管上。所述下部涂覆层包括暴露所述薄膜晶体管的一部分的下部通孔。第一连接电极设置在所述下部涂覆层上。所述第一连接电极经由所述下部通孔连接至所述薄膜晶体管。第二连接电极设置在所述下部涂覆层上。所述第二连接电极与所述第一连接电极间隔开。上部涂覆层覆盖所述第一连接电极和所述第二连接电极。所述上部涂覆层包括与所述第二连接电极交叠的上部通孔。发光结构设置在所述上部涂覆层上。所述发光结构下部发光电极，所述下部发光电极经由所述上部通孔连接至所述第二连接电极。连接包层电极连接在所述下部涂覆层与所述上部涂覆层之间。所述连接包层电极连接在所述第一连接电极与所述第二连接电极之间。所述连接包层电极包括与所述下基板的透明区域交叠的修复切割区域。
所述连接包层电极可具有比所述第一连接电极、所述第二连接电极和所述下部发光电极高的透射率。
应当理解的是，上述总体描述和下面的详细描述都是示例性的和说明性的，旨在对要求保护的发明构思提供进一步解释。
附图说明
被包括用来对本发明提供进一步理解且被并入本申请并构成本申请的一部分的附图图解了本发明的实施方式，并且与说明书一起用来解释各原理。在附图中：
图1是示意性显示根据本发明一实施方式的有机发光显示装置的布局的示图；
图2A是示意性显示根据本发明一实施方式的有机发光显示装置的剖面图；
图2B是沿图1的I-I’截取的示图；以及
图3到5分别是根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置的各个示例。
具体实施方式
下文中，通过参照示出本发明一些实施方式的附图进行的下文详细描述将清楚地理解到与本发明实施方式的上述目的、技术构造和操作效果相关的细节。在此，提供本发明的实施方式是为了将本发明的技术精神令人满意地传递给所属领域技术人员，因而本发明可以以其他形式实施，不限于下述的实施方式。
此外，在整个申请中相同或极其相似的要素可由相同的参考标记表示，并且在附图中，为了方便起见，层和区域的长度和厚度可能被放大。将理解到，当称第一要素位于第二要素“上”时，尽管第一要素可设置在第二要素上并与第二要素接触，但可在第一要素与第二要素之间插入第三要素。
在此，例如可使用诸如“第一”和“第二”之类的术语将任意一个要素与另一个要素区分开。然而，在不背离本发明的技术精神的情况下，可根据所属领域技术人员的方便任意命名第一要素和第二要素。
仅是为了描述具体实施方式而使用了本发明的说明书和权利要求书中使用的术语，其不旨在限制本发明的范围。此外，在本发明的说明书和权利要求书中，将进一步理解到，术语“包括”和“包含”指明存在提到的特征、整体、步骤、操作、要素、部件和/或其组合，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、要素、部件和/或其组合。
除非有相反定义，否则在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)都具有与示例性实施方式所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解到，诸如通用字典中定义的术语之类的术语应当解释为具有与其在相关技术的语境中的含义一致的含义，不应以理想化或过度形式化的含义去解释，除非在此有明确定义。
(实施方式)
图1是示意性显示根据本发明一实施方式的有机发光显示装置的布局的示图。图2A是示意性显示根据本发明实施方式的有机发光显示装置的剖面图。图2B是沿图1的I-I’截取的示图。
参照1、2A和2B，根据本发明实施方式的有机发光显示装置可包括下基板100、辅助电极410、发光结构500和连接包层电极650。
下基板100可支撑发光结构500。下基板100可包括绝缘材料。例如，下基板100可包括玻璃或塑料。
下基板100可包括像素区域。每个像素区域可包括发光区域EA和透明区域TA。发光区域EA可显示用于实现图像的颜色。多个发光结构500可设置在发光区域EA中。例如，用于显示蓝色的蓝色发光结构、用于显示红色的红色发光结构、用于显示绿色的绿色发光结构、以及用于显示白色的白色发光结构可设置在发光区域EA中。透明区域TA可以是透明的。
如图1中所示，栅极线GL、数据线DL1-DL4、感测线SL、基准电压供给线Vref和电源线VDD可设置在下基板100上。栅极线GL可在一方向上延伸。数据线DL1-DL4可与栅极线GL交叉。数据线DL1-DL4可给设置在发光区域EA中的发光结构500传输数据信号。例如，根据本发明实施方式的有机发光显示装置可包括四条数据线DL1-DL4。感测线SL可与栅极线GL平行。基准电压供给线Vref和电源线VDD可与数据线DL1-DL4平行。
栅极线GL、数据线DL1-DL4、感测线SL、基准电压供给线Vref和电源线VDD可在发光区域EA中限定子发光区域。例如，每个子发光区域中可设置用于控制一个发光结构500的电路。在根据本发明实施方式的有机发光显示装置中，每个发光区域EA可包括由栅极线GL、数据线DL1-DL4、感测线SL、基准电压供给线Vref和电源线VDD分离出的四个子发光区域。例如，选择薄膜晶体管TR1、驱动薄膜晶体管TR2、感测薄膜晶体管TR3和存储电容器Cst可设置在每个子发光区域中。
选择薄膜晶体管TR1可根据由栅极线GL施加的栅极信号使驱动薄膜晶体管TR2导通/截止。驱动薄膜晶体管TR2可根据选择薄膜晶体管TR1的信号和由相应数据线DL1-DL4施加的数据信号给相应发光结构500提供驱动电流。可通过相应感测薄膜晶体管TR3检测每个驱动薄膜晶体管TR2和/或每个发光结构500的劣化程度。存储电容器Cst可将施加至驱动薄膜晶体管TR2的选择薄膜晶体管TR1的信号保持某一时间段。
选择薄膜晶体管TR1和感测薄膜晶体管TR3的结构可与驱动薄膜晶体管TR2的结构相同。例如，驱动薄膜晶体管TR2可包括半导体图案210、栅极绝缘层220、栅极电极230、层间绝缘层240、源极电极250和漏极电极260，如图2A中所示。
半导体图案210可设置在下基板100上。半导体图案210可包括半导体材料。例如，半导体图案210可包括非晶硅或多晶硅。半导体图案210可包括氧化物半导体材料。例如，半导体图案210可包括IGZO。
半导体图案210可包括源极区域、漏极区域和沟道区域。沟道区域可设置在源极区域与漏极区域之间。沟道区域的导电率可低于源极区域和漏极区域的导电率。例如，源极区域和漏极区域可包括导电杂质。
根据本发明一实施方式的有机发光显示装置被描述为每个薄膜晶体管TR1、TR2和TR3的半导体图案210与下基板100直接接触。然而，根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置可进一步包括设置在下基板100与薄膜晶体管TR1、TR2和TR3之间的缓冲层。缓冲层可延伸超过半导体图案210。例如，缓冲层可覆盖下基板100的整个表面。缓冲层可包括绝缘材料。例如，缓冲层可包括硅氧化物。
栅极绝缘层220可设置在半导体图案210上。栅极绝缘层220可包括绝缘材料。例如，栅极绝缘层220可包括硅氧化物和/或硅氮化物。栅极绝缘层220可具有多层结构。栅极绝缘层220可包括高K材料。例如，栅极绝缘层220可包括铪氧化物(HfO)或钛氧化物(TiO)。
栅极电极230可设置在栅极绝缘层220上。栅极电极230可与半导体图案210的沟道区域交叠。栅极电极230可通过栅极绝缘层220与半导体图案210绝缘。例如，栅极绝缘层220可包括与栅极电极230的侧表面垂直对齐的侧表面。栅极绝缘层220的侧表面可与栅极电极230的侧表面连续。
栅极电极230可包括导电材料。例如，栅极电极230可包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)之类的金属。栅极电极230可具有多层结构。图1中所示的栅极线GL可包括与栅极电极230相同的材料。栅极电极230可设置在与栅极线GL相同的层上。例如，栅极线GL的结构可与栅极电极230的结构相同。
层间绝缘层240可设置在半导体图案210和栅极电极230上。层间绝缘层240可延伸超过半导体图案210。例如，层间绝缘层240可与半导体图案210外部的缓冲层直接接触。层间绝缘层240可包括绝缘材料。例如，层间绝缘层240可包括硅氧化物。
源极电极250和漏极电极260可设置在层间绝缘层240上。源极电极250可电连接至半导体图案210的源极区域。漏极电极260可电连接至半导体图案210的漏极区域。例如，层间绝缘层240可包括暴露半导体图案210的源极区域的第一层间接触孔241h和暴露半导体图案210的漏极区域的第二层间接触孔242h。漏极电极260可与源极电极250间隔开。
源极电极250和漏极电极260可包括导电材料。例如源极电极250和漏极电极260可包括诸如铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)和钨(W)之类的金属。漏极电极260可包括与源极电极250相同的材料。源极电极250可具有多层结构。漏极电极260的结构可与源极电极250的结构相同。例如，漏极电极260可具有多层结构。
图1中所示的数据线DL1-DL4、基准电压供给线Vref和电源线VDD可包括与源极电极250和漏极电极260相同的材料。数据线DL1-DL4、基准电压供给线Vref和电源线VDD可设置在与源极电极250和漏极电极260相同的层上。例如，数据线DL1-DL4、基准电压供给线Vref和电源线VDD可设置在层间绝缘层240上。数据线DL1-DL4、基准电压供给线Vref和电源线VDD的结构可与源极电极250的结构和漏极电极260的结构相同。例如，数据线DL1-DL4、基准电压供给线Vref和电源线VDD可具有多层结构。
根据本发明实施方式的有机发光显示装置被描述为薄膜晶体管TR1、TR2和TR3的每一个包括位于栅极电极230与源极/漏极电极250和260之间的层间绝缘层240。然而，在根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置中，薄膜晶体管TR1、TR2和TR3的每一个可包括位于栅极电极230与源极/漏极电极250和260之间的栅极绝缘层220。
存储电容器Cst可与薄膜晶体管TR1、TR2和TR3间隔开，如图2A中所示。存储电容器Cst可电连接至薄膜晶体管TR1、TR2和TR3。例如，存储电容器Cst可包括依次堆叠的下部电容器电极310、电容器绝缘层320和上部电容器电极330。
下部电容器电极310和上部电容器电极330可包括导电材料。例如，下部电容器电极310可包括与栅极电极230相同的材料。下部电容器电极310的结构可与栅极电极230的结构相同。上部电容器电极330可包括与源极电极250和漏极电极260相同的材料。上部电容器电极330的结构可与源极电极250的结构和漏极电极260的结构相同。例如，上部电容器电极330可连接至驱动薄膜晶体管TR2的漏极电极260。上部电容器电极330可具有多层结构。
电容器绝缘层320可包括绝缘材料。例如，电容器绝缘层320可包括硅氧化物。电容器绝缘层320可包括与层间绝缘层240相同的材料。例如，电容器绝缘层320可与层间绝缘层240连续。
如图2A和2B中所示，根据本发明实施方式的有机发光显示装置可进一步包括位于下基板110与存储电容器Cst之间的下部绝缘层301。下部绝缘层301的侧表面可与下部电容器电极310的侧表面连续。例如，下部绝缘层301可包括与栅极绝缘层220相同的材料。
如图1中所示，虚拟图案WL可设置在下基板100上。例如，虚拟图案WL可沿与数据线DL1-DL4平行的方向延伸。虚拟图案WL可在发光区域EA与透明区域TA之间延伸。例如，虚拟图案WL可包括与下基板100的透明区域TA交叠的区域。
虚拟图案WL可包括导电材料。虚拟图案WL可包括与薄膜晶体管TR1、TR2和TR3的导电层之一相同的材料。例如，虚拟图案WL可包括与源极电极250和漏极电极260相同的材料。虚拟图案WL可包括与数据线DL1-DL4相同的材料。
如图2A和2B中所示，根据本发明实施方式的有机发光显示装置可进一步包括位于薄膜晶体管TR1、TR2和TR3、存储电容器Cst和虚拟图案WL上的下部钝化层130。下部钝化层130可保护薄膜晶体管TR1、TR2和TR3免受外部湿气和氧的影响。薄膜晶体管TR1、TR2和TR3、存储电容器Cst和虚拟图案WL可被下部钝化层130覆盖。下部钝化层130可包括绝缘材料。例如，下部钝化层130可包括硅氧化物和/或硅氮化物。
如图2A中所示，辅助电极410可设置在下部钝化层130上。辅助电极410可设置在发光区域EA中。例如，辅助电极410可设置在薄膜晶体管TR1、TR2和TR3上。辅助电极410可包括导电材料。例如，辅助电极410可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)和钨(W)之类的金属。辅助电极410可具有多层结构。例如，辅助电极410可包括下部辅助电极411和设置在下部辅助电极411上的上部辅助电极412。
如图2A中所示，根据本发明实施方式的有机发光显示装置可进一步包括位于辅助电极410上的辅助包层电极450。辅助包层电极450可防止辅助电极410被随后的工艺损坏。例如，辅助电极410可被辅助包层电极450覆盖。辅助包层电极450可包括导电材料。辅助包层电极450可包括具有低反应性的材料。辅助包层电极450可包括具有高透射率的材料。例如，辅助包层电极450可包括诸如ITO或IZO之类的导电氧化物。
如图2A和2B中所示，根据本发明实施方式的有机发光显示装置可进一步包括位于下部钝化层130与辅助电极410之间的下部涂覆层(over-coat layer)140。下部涂覆层140可消除由于薄膜晶体管TR1、TR2和TR3以及存储电容器Cst导致的厚度差。例如，下部涂覆层140的背对下基板100的上表面可以是平坦表面。下部涂覆层140的上表面可与下基板100的表面平行。下部涂覆层140可包括绝缘材料。例如，下部涂覆层140可包括有机绝缘材料。
发光结构500可产生实现具体颜色的光。发光结构500可设置在发光区域EA中。例如，发光结构500可设置在辅助电极410上。发光结构500可包括依次堆叠的下部发光电极510、有机发光层520和上部发光电极530。
根据本发明实施方式的有机发光显示装置可进一步包括位于辅助电极410与发光结构500之间的上部涂覆层150。上部涂覆层150可消除由于辅助电极410导致的厚度差。例如，上部涂覆层150的面对发光结构500的上表面可以是平坦表面。上部涂覆层150的上表面可与下部涂覆层140的上表面平行。上部涂覆层150可包括绝缘材料。例如，上部涂覆层150可包括有机绝缘材料。上部涂覆层150可包括与下部涂覆层140不同的材料。
下部发光电极510可包括导电材料。下部发光电极510可包括具有高反射率的材料。例如，下部发光电极510可包括具有诸如铝(Al)和银(Ag)之类的金属的反射层。下部发光电极510可具有多层结构。例如，下部发光电极510可具有如下结构：在包括诸如ITO之类的导电氧化物的透明电极之间设置包括具有高反射率的材料的反射层。
有机发光层520可产生具有与下部发光电极510和上部发光电极530之间的电压差对应的亮度的光。例如，有机发光层520可包括具有有机发光材料的发光材料层(EML)。有机发光层520可具有多层结构，以便增加发光功效。例如，有机发光层520可进一步包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一个。
上部发光电极530可包括导电材料。上部发光电极530可包括与下部发光电极510不同的材料。例如，上部发光电极530可以是透明电极。因而，在根据本发明实施方式的有机发光显示装置中，由有机发光层520产生的光可经由上部发光电极530发射。
如图2B中所示，连接包层电极650可将发光结构500的下部发光电极510连接至相应驱动薄膜晶体管TR2。因而，在根据本发明实施方式的有机发光显示装置中，发光结构500可被相应薄膜晶体管TR1、TR2和TR3控制。
连接包层电极650可设置在下部涂覆层140与上部涂覆层150之间。例如，下部钝化层130可包括暴露上部电容器电极330的一部分的电极接触孔131h，上部电容器电极330连接至相应驱动薄膜晶体管TR2的漏极电极260。下部涂覆层140可包括与电极接触孔131h交叠的下部接触孔141h。上部涂覆层150可包括暴露连接包层电极650的一部分的上部接触孔151h。
上部接触孔151h可与下部接触孔141h间隔开。例如，连接包层电极650可包括：第一包层区域651，第一包层区域651包括与下部接触孔141h交叠的部分；第二包层区域652，第二包层区域652包括与上部接触孔151h交叠的部分；以及位于第一包层区域651与第二包层区域652之间的修复切割区域653，如图2B中所示。修复切割区域653可与下基板100的透明区域TA交叠。例如，修复切割区域653可设置在用于在修复工艺中照射激光的激光切割区域中。
连接包层电极650可包括导电材料。连接包层电极650的透射率可高于下部发光电极510的透射率。例如，连接包层电极650可包括导电氧化物。连接包层电极650可包括与辅助包层电极450相同的材料。例如，连接包层电极650可包括ITO或IZO。
在根据本发明实施方式的有机发光显示装置中，将下部发光电极510连接至相应驱动薄膜晶体管TR2的连接包层电极650可包括修复切割区域653。因而，在根据本发明实施方式的有机发光显示装置中，发光结构500的发光功效可不受修复切割区域653的透射率影响。就是说，在根据本发明实施方式的有机发光显示装置中，由于包括修复切割区域653的连接包层电极650具有比下部发光电极510高的透射率，所以可在不损失发光功效的条件下防止由于修复切割区域653而导致的透明区域TA的面积减小。
如图2B中所示，根据本发明实施方式的有机发光显示装置可进一步包括第一连接电极610，第一连接电极610将连接包层电极650电连接至相应驱动薄膜晶体管TR2的漏极电极260。第一连接电极610可设置在下部涂覆层140与上部涂覆层150之间。例如，连接包层电极650可延伸到第一连接电极610上。第一连接电极610可被连接包层电极650的第一包层区域651覆盖。
第一连接电极610可沿电极接触孔131h和下部接触孔141h延伸。例如，第一连接电极610可通过电极接触孔131h和下部接触孔141h连接至上部电容器电极330。
第一连接电极610可包括导电材料。第一连接电极610的导电率可高于连接包层电极650的导电率。例如，第一连接电极610可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)和钨(W)之类的金属。第一连接电极610的透射率可低于连接包层电极650的透射率。第一连接电极610的结构可与辅助电极410的结构相同。例如，第一连接电极610可具有多层结构。第一连接电极610可包括第一下部连接电极611和设置在第一下部连接电极611上的第一上部连接电极612。例如，第一下部连接电极611可包括与下部辅助电极411相同的材料。例如，第一上部连接电极612可包括与上部辅助电极412相同的材料。
第一连接电极610可设置在下基板100的发光区域EA上。例如，第一连接电极610可沿连接包层电极650在下基板100的发光区域EA上延伸。因而，在根据本发明实施方式的有机发光显示装置中，可减小通过连接包层电极650进行电连接的发光结构500与相应驱动薄膜晶体管TR2之间的电阻。
如图2B中所示，根据本发明实施方式的有机发光显示装置可进一步包括位于下部涂覆层140与连接包层电极650的第二包层区域652之间的第二连接电极620。例如，第二连接电极620可包括与上部涂覆层150的上部接触孔151h交叠的部分。连接包层电极650的第二包层区域652可覆盖第二连接电极620。
第二连接电极620可包括导电材料。第二连接电极620的导电率可高于连接包层电极650的导电率。例如，第二连接电极620可包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)、铝(Al)和钨(W)之类的金属。第二连接电极620的导电率可与第一连接电极610的导电率相同。第二连接电极620的透射率可低于连接包层电极650的透射率。例如，第二连接电极620的透射率可与第一连接电极610的透射率相同。第二连接电极620的结构可与第一连接电极610的结构相同。例如，第二连接电极620可具有多层结构。第二连接电极620的结构可与辅助电极410的结构相同。第二连接电极620可包括第二下部连接电极621和设置在第二下部连接电极621上的第二上部连接电极622。例如，第二下部连接电极621可包括与第一下部连接电极611相同的材料。例如，第二上部连接电极622可包括与第一上部连接电极612相同的材料。
第二连接电极620可设置在下基板100的发光区域EA中。例如，第二连接电极620可沿连接包层电极650在下基板100的发光区域EA上延伸。因而，在根据本发明实施方式的有机发光显示装置中，可减小通过连接包层电极650进行电连接的发光结构500与相应驱动薄膜晶体管TR2之间的电阻。
如图2A和2B中所示，根据本发明实施方式的有机发光显示装置可进一步包括堤绝缘层160，以便隔离相邻的发光结构500。例如，堤绝缘层160可覆盖每个发光结构500的下部发光电极510的边缘。有机发光层520和上部发光电极530可堆叠在下部发光电极510的被堤绝缘层160暴露的部分上。堤绝缘层160可包括绝缘材料。例如，堤绝缘层160可包括有机绝缘材料，比如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺或光学亚克力(photo-acryl)。下部涂覆层140和上部涂覆层150可包括与堤绝缘层160不同的材料。
有机发光层520和上部发光电极530可延伸到堤绝缘层160上。上部发光电极530可连接至辅助电极410，如图2A中所示。因而，在根据本发明实施方式的有机发光显示装置中，可防止由于上部发光电极530的压降导致的亮度不均匀。
如图2A中所示，根据本发明实施方式的有机发光显示装置可进一步包括分隔部700，以便提供用于将上部发光电极530电连接至辅助电极410的空间。例如，有机发光层520的一部分可通过分隔部700与有机发光层520的另一部分分离。上部发光电极530可经由被分隔部700分离的有机发光层520的分离部分之间的空间电连接至辅助电极410。分隔部700的垂直距离可大于堤绝缘层160的垂直厚度。例如，分隔部700可包括下部分隔部710和设置在下部分隔部710上的上部分隔部720。下部分隔部710和上部分隔部720可包括绝缘材料。例如，下部分隔部710可包括与堤绝缘层160相同的材料。上部分隔部720可包括与下部分隔部710不同的材料。例如，上部分隔部720可包括硅氧化物和/或硅氮化物。
如图2A中所示，根据本发明实施方式的有机发光显示装置可进一步包括位于辅助电极410与堤绝缘层160之间的中间电极550。中间电极550可连接至辅助电极410。例如，上部涂覆层150可包括暴露辅助电极410的一部分的通孔152h。分隔部700可与中间电极550交叠。例如，有机发光层520可通过分隔部700暴露中间电极550的一部分。堤绝缘层160可覆盖中间电极550的边缘。分隔部700可设置在堤绝缘层160的开口中。上部发光电极530可与由于分隔部700而未被有机发光层520覆盖的中间电极550的部分接触。上部发光电极530可经由中间电极550电连接至辅助电极410。
中间电极550可包括导电材料。例如，中间电极550可包括与下部发光电极510相同的材料。中间电极550可具有多层结构。例如，中间电极550的结构可与下部发光电极510的结构相同。
根据本发明实施方式的有机发光显示装置可进一步包括与下基板100相对的上基板800。上基板800可与下基板100的发光区域EA和透明区域TA交叠。例如，上基板800可设置在发光结构500上。上基板800可包括绝缘材料。上基板800可包括透明材料。例如，上基板800可包括玻璃或塑料。
在根据本发明实施方式的有机发光显示装置中，每个子发光区域的发光结构500可显示相同的颜色。例如，每个子发光区域的发光结构500可包括白色有机发光层520。根据本发明实施方式的有机发光显示装置可进一步包括位于上基板800上的黑矩阵810和滤色器820。因而，在根据本发明实施方式的有机发光显示装置中，其中设置有实现相同颜色的发光结构500的子发光区域可显示不同的颜色。
根据本发明实施方式的有机发光显示装置可进一步包括填充下基板100与上基板800之间的空间的填充部900。填充部900可防止发光结构500被外部冲击损坏。例如，填充部900可在发光结构500与滤色器820之间以及上部发光电极530与黑矩阵810之间延伸。
根据本发明实施方式的有机发光显示装置被描述为发光结构500与填充部900直接接触。然而，根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置可进一步包括位于发光结构500与填充部900之间的上部钝化层。上部钝化层可防止外部湿气渗透到发光结构500中。上部钝化层可具有多层结构。例如，上部钝化层可具有其中包括无机材料的无机层和包括有机材料的有机层进行堆叠的结构。
因此，在根据本发明实施方式的有机发光显示装置中，不影响结构的发光效率的连接包层电极650可包括与下基板100的透明区域TA交叠的修复切割区域653，并且连接包层电极650可具有比下部发光电极510高的透射率，使得可与发光区域EA的面积和发光结构500的发光效率无关地防止由于修复切割区域653导致的透明区域TA的面积减小。因而，在根据本发明实施方式的有机发光显示装置中，可提高透明区域TA的透明度而不损失发光区域EA的开口率和发光效率。
根据本发明实施方式的有机发光显示装置被描述为第一连接电极610和第二连接电极620沿连接包层电极650在发光区域EA上延伸。然而，在根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置中，从连接包层电极650的与透明区域TA交叠的修复切割区域653延伸到发光区域EA上的第一包层区域651和第二包层区域652可不与第一连接电极610或第二连接电极620交叠，如图3中所示。因而，在根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置中，可有效防止由于修复切割区域653导致的透明区域TA的面积减小。
根据本发明实施方式的有机发光显示装置被描述为每个子发光区域的连接包层电极650连接至相邻子发光区域的下部发光电极510下方的相应存储电容器Cst。然而，在根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置中，连接包层电极650可以以各种方式布置。例如，在根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置中，其中同一方向上的包括修复切割区域653的连接包层电极650与存储电容器Cst连接的点可彼此相邻设置，如图4中所示。因而，在根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置中，可提高信号线和/或电压供给线的布置的自由度。
根据本发明实施方式的有机发光显示装置被描述为设置在单个发光区域中的四个子发光区域的电路与数据线DL1-DL4并排布置。然而，在根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置中，子发光区域的电路可以以各种方式布置。例如，在根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置中，每个子发光区域的电路可以以四方型(quad type)布置，如图5所示。因而，在根据本发明另一实施方式的有机发光显示装置中，发光区域的开口率和透明区域的面积可被最大化。
结果，根据本发明实施方式的有机发光显示装置可包括修复切割区域，修复切割区域由具有比下部发光电极高的透射率的导电层构成。因而，在根据本发明实施方式的有机发光显示装置中，可防止由于修复切割区域导致的透明区域的面积减小。由此，在根据本发明实施方式的有机发光显示装置中，可增加透明区域的透明度而不损失发光区域的开口率。
对于所属领域技术人员显而易见的是，在不背离本发明的技术精神或范围的情况下，可在本发明的显示装置中进行各种修改和变化。因此，本发明旨在覆盖落入所附权利要求书范围及其等同范围内的对本发明的修改和变化。