一种具有气体检测功能半导体器件的制作方法

技术特征：

1.一种具有气体检测功能半导体器件，其特征在于，包括：

硅基底，其具有一由刻蚀形成的凹槽；

形成在所述凹槽内的绝缘层，在所述绝缘层内设置有导线，所述导线暴露在所述绝缘层的表面，用于将阵列气体传感器与外部电路连接；

阵列气体传感器，其形成在所述绝缘层的底表面，并以阵列的方式排布在所述底表面；

形成在所述阵列气体传感器上部的气隙，其是在所述阵列气体传感器上部的牺牲层去除之后形成的；

形成在所述气隙中的支撑板；和

盖层，其形成在所述支撑板的上部，且在所述盖层处具有至少一个通气孔，用于将气体引入所述气隙内，进而与所述阵列气体传感器接触。

2.根据权利要求1所述的具有气体检测功能半导体器件，其特征在于，所述绝缘层的所述底表面的厚度小于所述绝缘层的两个侧表面中任一侧表面的厚度。

3.根据权利要求2所述的具有气体检测功能半导体器件，其特征在于，所述导线从所述底表面延伸至所述侧表面，并直至暴露于所述盖层的上部，用于连接外电路。

4.根据权利要求2所述的具有气体检测功能半导体器件，其特征在于，所述导线的数量为两个。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的具有气体检测功能半导体器件，其特征在于，所述盖层设置成正好与所述凹槽的口所在平面齐平。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的具有气体检测功能半导体器件，其特征在于，所述绝缘层的材料为柔性高分子材料，所述盖层的材料为柔性高分子。

7.根据权利要求6所述的具有气体检测功能半导体器件，其特征在于，所述气隙的厚度大于或等于所述绝缘层和所述盖层的厚度之和的1-2倍。

8.根据权利要求7所述的具有气体检测功能半导体器件，其特征在于，所述阵列气体传感器为圆形阵列或方形阵列。

9.根据权利要求8所述的具有气体检测功能半导体器件，其特征在于，所述通气孔以阵列的方式排列在所述盖层处，并与所述阵列气体传感器的排列方式保持一致。

10.根据权利要求8所述的具有气体检测功能半导体器件，其特征在于，每个阵列气体传感器的传感位点上的所述盖层处设置4-6个通孔。