技术总结
本实用新型公开了一种内部埋置无源元件的微波组件基板结构，包括低温共烧玻璃陶瓷基层、Ag‑Pd系厚膜导体层、BaTiO3系厚膜电容、RuO2系厚膜电阻和Ag‑Pd系厚膜导体电感，所述低温共烧玻璃陶瓷基层嵌入两所述Ag‑Pd系厚膜导体层之间，所述低温共烧玻璃陶瓷基层至少为三层，同层的所述低温共烧玻璃陶瓷基层之间存在间隔，所述间隔处通过设置Ag‑Pd系厚膜导体层将上下层级的Ag‑Pd系厚膜导体层联通，所述BaTiO3系厚膜电容、RuO2系厚膜电阻和Ag‑Pd系厚膜导体电感分别嵌入所述Ag‑Pd系厚膜导体层内。通过实验发现可有效抑制辐射损耗，在13GHz以下损耗均小于1dB，可以满足微波组件的应用要求。
技术研发人员：何涛
受保护的技术使用者：成都杰联祺业电子有限责任公司
文档号码：201720104629
技术研发日：2017.01.24
技术公布日：2017.08.15