一种刮涂GPP芯片的制作方法

本实用新型属于GPP芯片领域，尤其涉及一种刮涂GPP芯片。

背景技术：

目前刮涂制程做GPP二极管芯片，普遍采用单层钝化，一般使用玻璃做钝化保护层，这种硅-玻璃结构存在两个问题：第一，在靠近与硅衬底界面处的玻璃中有固定正电荷。这种正电荷将造成N型硅的电子积累和P型硅的反型，从而难于制造出高压器件。第二，用玻璃钝化的器件不能防止钝化层的电荷积累或离子沾污，这些在玻璃里面的电荷会像电容器那样在半导体衬底表面区附近感应出极性相反的电荷，从而使器件电参数变坏。

技术实现要素：

本实用新型针对上述的问题，提供了一种刮涂GPP芯片。

为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案为，本实用新型提供一种刮涂GPP芯片，包括芯片主体，所述芯片主体包括P基层以及设置在P基层下部的N基层，所述P基层的两端均设置有圆滑缺口，所述圆滑缺口的外侧设置有半绝缘多晶硅保护层，所述半绝缘多晶硅保护层的外侧设置有通过刮涂方式涂制的玻璃保护层。

作为优选，所述半绝缘多晶硅保护层的厚度为10-3000埃。

作为优选，所述玻璃保护层的厚度为20-100um。

与现有技术相比，本实用新型的优点和积极效果在于，

本实用新型中圆滑缺口、半绝缘多晶硅保护层以及玻璃保护层的整体设计，其即使存在有离子沾污或外加电场的情况下，也能使器件保持高度的可靠性和稳定性。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为实施例1提供的刮涂GPP芯片的剖面图；

图2为实施例1提供的刮涂GPP芯片的俯视图；

以上各图中，A：芯片主体；1、P基层；2、N基层；3、PN结；4、半绝缘多晶硅保护层；5、玻璃保护层。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点，下面结合附图和实施例对本实用新型做进一步说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本实用新型，但是，本实用新型还可以采用不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本实用新型并不限于下面公开说明书的具体实施例的限制。

实施例1，如图1、图2所示，本实用新型提供了一种刮涂GPP芯片，包括芯片主体，该芯片主体则是刮涂制程二极管芯片，从图中可以看出，其整体的结构为台面结构，如果将芯片主体细分的话，其芯片主体包括P基层以及设置在P基层下部的N基层两部分，其P基层的两端均设置了圆滑缺口，该圆滑缺口是通过腐蚀的手段做出来的，即暴露PN结；从图中可以看出，其圆滑缺口的外侧设置了半绝缘多晶硅保护层，在半绝缘多晶硅保护层的外侧设置了通过刮涂方式涂制的玻璃保护层，半绝缘多晶硅保护层即是钝化保护层，保证器件可靠性和稳定性的钝化层，玻璃保护层用于保护半绝缘多晶硅⑵，增强钝化层的抗外应力能力；对于半绝缘多晶硅保护层和玻璃保护层都是平稳过渡设置的。即本实用新型能解决刮涂法制程玻璃钝化电性不稳定问题的一种钝化保护方式，在即使存在有离子沾污或外加电场的情况下，也能使器件保持高度的可靠性和稳定性。

半绝缘多晶硅保护层的厚度为10-3000埃。

玻璃保护层的厚度为20-100um。

以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非是对本实用新型作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例应用于其它领域，但是凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本实用新型技术方案的保护范围。