一种具有交叉耦合结构的介质波导滤波器的制作方法

本实用新型涉及射频器件领域，具体地，涉及一种具有交叉耦合结构的介质波导滤波器。

背景技术：

滤波器是一种选频器件，可以使信号中特定频段的频率成分通过，而极大地衰减其它频率成分。波导滤波器是通信系统中常用滤波器的一种，传统的波导滤波器为金属腔体结构，中间为空气，金属材料为边缘并起到电磁屏蔽和结构支撑的作用。采用此种方式的滤波器有较高的品质因数Q值，但是体积及重量较大，不利于安装和运输。随着通信系统的发展，要求滤波器具有低插损、高抑制、承受功率大、低成本和小型化等特点。故用高介电常数介质材料替代空气部分，起传导电磁波和结构支撑作用，同时在介质块表面被银起电磁屏蔽作用，这样能显著减小滤波器的体积和成本。

为了提高滤波器的频率选择性，对于介质波导滤波器，在现有技术中一般是在介质波导滤波器外，增加一个谐振频率在滤波器通带高端或者低端的介质单腔，通过该介质单腔与输入输出连接器耦合，可吸收滤波器在该介质单腔谐振频率周围的信号，而得到在滤波器频率响应通带高端或者低端形成陷波的波形，这种结构一般称之为零腔结构。但是此种零腔结构要实现的陷波数量必须与增加的介质单腔的数目一致，如此不仅会增加设计介质波导滤波器的难度，同时还会增加介质波导滤波器的体积，从而不利于生产和产品的小型化。

技术实现要素：

针对前述具有零腔结构的介质波导滤波器，由于设计难度较大，不利于生产和产品小型化的问题，本实用新型提供了一种具有交叉耦合结构的介质波导滤波器。

本实用新型采用的技术方案,提供了一种具有交叉耦合结构的介质波导滤波器，包括介质波导单体、第一波导接头和第二波导接头；所述介质波导单体的数目为多个，并通过在两介质波导单体之间连接主通道耦合桥，将所有的介质波导单体依次串联成波导主通道，所述第一波导接头和所述第二波导接头分别连接位于所述波导主通道两端的介质波导单体；设有连接处于所述波导主通道上且非相邻的两介质波导单体的副通道耦合桥，从而在所述波导主通道上构成有多连体级联的交叉耦合结构。

优化的，当在所述波导主通道上构成有四连体级联的交叉耦合结构时，则在该四连体级联的交叉耦合结构中，设置靠外侧的副通道耦合桥为耦合极性与波导主通道上的耦合极性相反的耦合桥结构。

优化的，在四连体级联的交叉耦合结构中，若只存在靠外侧的副通道耦合桥，则设置该副通道耦合桥为耦合极性与波导主通道上的耦合极性相同的耦合桥结构，设置处于中间位置的主通道耦合桥为耦合极性与波导主通道上的耦合极性相反的耦合桥结构。

进一步优化的，对于耦合极性与波导主通道上的耦合极性相反的耦合桥结构，在该耦合桥的上表面中心区域开有深度介于36～55mm之间的第一盲孔。

进一步优化的，对于耦合极性与波导主通道上的耦合极性相同的耦合桥结构，在该耦合桥的上表面中心区域不开孔或开有深度小于31mm的第二盲孔。

优化的，在所述介质波导单体的外表面设有金属屏蔽层。进一步优化的，所述金属屏蔽层为被银层。

优化的，所述介质波导单体为圆柱体结构、正多边形柱体结构或长方体结构。

优化的，所述介质波导单体为由陶瓷介质材料制成的实心体。

优化的，所述波导主通道为“V”字型通道、“U”字型通道或“几”字型通道。

综上，采用本实用新型所提供的一种具有交叉耦合结构的介质波导滤波器，具有如下有益效果：(1)该介质波导滤波器，通过副通道耦合桥连接处于波导主通道上且非相邻的两介质波导单体，进而在所述波导主通道上构成有多连体级联的交叉耦合结构，由此可根据交叉耦合理论或射频仿真，通过对副通道耦合桥的数目和主/副通道耦合桥的相对耦合极性进行配置，得到不同组合的、在滤波器频率响应通带高端和/或低端形成陷波波形的陷波点，从而无需设计额外的零腔结构，只需通过简单的交叉耦合组合即可得到需要的陷波点，实现介质波导滤波器的高抑制特性，利于产品的电气性能展示和小型化设计；(2)所述介质波导滤波器还具有结构简单、易于生产和制造成本低等特点，便于实际推广和应用。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本实用新型提供的具有三连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的结构示意图。

图2是本实用新型提供的两种具有三连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的频率响应仿真图。

图3是本实用新型提供的在耦合桥上盲孔深度与耦合量及耦合极性的关系示意图。

图4是本实用新型提供的在耦合桥上盲孔直径与耦合量的关系示意图。

图5是本实用新型提供的具有第一种四连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的结构示意图。

图6是本实用新型提供的四种具有第一种四连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的频率响应仿真图。

图7是本实用新型提供的具有第二种四连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的结构示意图。

图8是本实用新型提供的具有第三种四连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的结构示意图。

图9是本实用新型提供的具有五连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的结构示意图。

图10是本实用新型提供的四种具有五连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的频率响应仿真图。

图11是本实用新型提供的具有六连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的结构示意图。

上述附图中：1、介质波导单体 201、第一波导接头 202、第二波导接头 3、主通道耦合桥 4、副通道耦合桥 501、第一盲孔 502、第二盲孔。

具体实施方式

以下将参照附图，通过实施例方式详细地描述本实用新型提供的具有交叉耦合结构的介质波导滤波器。在此需要说明的是，对于这些实施例方式的说明用于帮助理解本实用新型，但并不构成对本实用新型的限定。

本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，单独存在B，同时存在A和B三种情况，本文中术语“/和”是描述另一种关联对象关系，表示可以存在两种关系，例如，A/和B，可以表示：单独存在A，单独存在A和B两种情况，另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”关系。

实施例一

图1示出了本实用新型提供的具有三连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的结构示意图，图2示出了本实用新型提供的两种具有三连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的频率响应仿真图，图3示出了本实用新型提供的在耦合桥上盲孔深度与耦合量及耦合极性的关系示意图，图4示出了本实用新型提供的在耦合桥上盲孔直径与耦合量的关系示意图。

本实施例提供的所述具有三连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器为一个五阶滤波器，包括五个介质波导单体1、第一波导接头201和第二波导接头202；五个所述介质波导单体1通过在两介质波导单体之间连接主通道耦合桥3，依次串联成波导主通道，所述第一波导接头201和所述第二波导接头202分别连接位于所述波导主通道两端的介质波导单体1；同时设有一个连接处于所述波导主通道上且非相邻的两介质波导单体的副通道耦合桥4，形成一个三连体级联的交叉耦合结构。

如图1所示，图中的虚线即为波导主通道的轨迹线，并包含有一个三连体级联的交叉耦合结构：即在波导主通道上的第二个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第二个介质波导单体)与第四个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第四个介质波导单体)通过所述副通道耦合桥4相连，实现所述第二个介质波导单体跨越第三个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第三个介质波导单体)与所述第四个介质波导单体发生耦合，由此可产生一个陷波点。如此在滤波器的设计过程中，可通过设计该副通道耦合桥4的耦合量大小来控制陷波点距离滤波通带的远近；通过设计该副通道耦合桥4的耦合极性的正负(一般默认波导主通道上的耦合极性为正耦合，与波导主通道上的耦合极性相反的耦合极性为负耦合)来控制陷波点是在滤波通带的外高频段或外低频段。

如图2所示的两种具有三连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的频率响应仿真图：图2中的(a)所示为当所述副通道耦合桥4的耦合极性为负耦合时的介质波导滤波器的频率响应仿真图，即存在一个在滤波通带BLP的外低频段上的陷波点LA；图2中的(b)所示为当所述副通道耦合桥4的耦合极性为正耦合时的介质波导滤波器的频率响应仿真图，即存在一个在滤波通带BLP的外高频段上的陷波点HA。由此无需设计额外的零腔结构，只需通过简单的交叉耦合组合即可得到需要的陷波点，实现介质波导滤波器的高抑制特性，利于产品的电气性能展示和小型化设计。

具体的，为了使所述副通道耦合桥4的耦合极性为负耦合，可以但不限于在所述副通道耦合桥4的上表面中心区域开有深度介于36～55mm之间的第一盲孔501。如图3所示，盲孔的深度会影响耦合桥的耦合极性：当盲孔的深度较浅时(即小于33mm)，其耦合极性为正耦合，但是当盲孔的深度加深到一定程度时(即超过35mm)，其耦合极性会突变为负耦合，然后随着盲孔深度的进一步加深，其负耦合的耦合特性会在越过一个峰值后逐渐向正耦合方向演变。而如图4所示，盲孔的耦合量随着直径加大而加大。由此通过调整盲孔的深度和直径大小，可得到符合要求的陷波点。

优化的，在所述介质波导单体1的外表面设有金属屏蔽层。设置该层结构的方式可以但不限于为贴金工艺或镀金工艺等。考虑金属银的导电效果比金属金更好，因此在本实施例中，所述金属屏蔽层为被银层(即采用贴金工艺被上的金属银层)。

优化的，所述介质波导单体1可以但不限于为圆柱体结构、正多边形柱体结构或长方体结构等柱体结构。如图1所示，作为举例的，在本实施例中，所述介质单体1为长方体结构。

优化的，所述介质波导单体1为由陶瓷介质材料制成的实心体。陶瓷介质材料是一种硬质介质材料，具有很高的介电常数和较低的介质损耗，同时能够提供有效的结构支撑。通过这种介质材料设计出的介质滤波器等射频器件具有小型化、高稳定性、低损耗、重量轻和成本低等多种优点，能很好的满足未来滤波器的小型化和高性能的要求。此外，将所述介质单体1设计为实心体结构，可以方便加工制造。

优化的，所述波导主通道为“V”字型通道、“U”字型通道或“几”字型通道等轨迹形状的通道。如图1所示，作为举例的，在本实施例中，所述主通道为“V”字型通道。

综上，本实施例所提供的具有三连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器，具有如下有益效果：(1)该介质波导滤波器，通过形成一个三连体级联的交叉耦合结构，并通过对副通道耦合桥的相对耦合极性进行配置，可以分别得到在滤波器频率响应通带高端或低端形成陷波波形的陷波点，从而无需设计额外的零腔结构，只需通过简单的交叉耦合组合即可得到需要的陷波点，实现介质波导滤波器的高抑制特性，利于产品的电气性能展示和小型化设计；(2)所述介质波导滤波器还具有结构简单、易于生产和制造成本低等特点，便于实际推广和应用。

实施例二

图5示出了本实用新型提供的具有第一种四连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的结构示意图，图6示出了本实用新型提供的四种具有第一种四连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的频率响应仿真图。

本实施例提供的所述具有第一种四连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器为一个六阶滤波器，包括六个介质波导单体1、第一波导接头201和第二波导接头202；六个所述介质波导单体1通过在两介质波导单体之间连接主通道耦合桥3，依次串联成波导主通道，所述第一波导接头201和所述第二波导接头202分别连接位于所述波导主通道两端的介质波导单体1；同时设有两个连接处于所述波导主通道上且非相邻的两介质波导单体的副通道耦合桥4，形成一个四连体级联的交叉耦合结构。

如图5所示，图中的虚线即为波导主通道的轨迹线，所述介质波导单体1采用圆柱体结构，所述主通道为“U”字型通道，并包含有一个四连体级联的交叉耦合结构：即在波导主通道上的第二个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第二个介质波导单体)分别与第四个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第四个介质波导单体)和第五个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第五个介质波导单体)通过所述副通道耦合桥4相连，实现所述第二个介质波导单体跨越第三个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第三个介质波导单体)与所述第四个介质波导单体发生耦合，以及实现所述第二个介质波导单体跨越第三个介质波导单体及第四个介质波导单体与所述第五个介质波导单体发生耦合，由此可产生两个陷波点。如此在滤波器的设计过程中，同样可通过设计两副通道耦合桥4的耦合量大小来分别控制对应陷波点距离滤波通带的远近；通过设计两副通道耦合桥4的耦合极性的正负来分别控制对应陷波点是在滤波通带的外高频段或外低频段。

如图6所示的四种具有第一种四连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的频率响应仿真图：图6中的(a)所示为当靠外侧的副通道耦合桥4(即连接第二个介质波导单体与第五个介质波导单体的副通道耦合桥)的耦合极性为正耦合且靠内侧的副通道耦合桥4(即连接第二个介质波导单体与第四个介质波导单体的副通道耦合桥)的耦合极性也为正耦合时的介质波导滤波器的频率响应仿真图，即存在两个在滤波通带BLP的外高频段上的陷波点HA1和HA2；图6中的(b)所示为当靠外侧的副通道耦合桥4的耦合极性为正耦合且靠内侧的副通道耦合桥4的耦合极性为负耦合时的介质波导滤波器的频率响应仿真图，即存在两个在滤波通带BLP的外低频段上的陷波点LA1和LA2；图6中的(c)所示为当靠外侧的副通道耦合桥4的耦合极性为负耦合且靠内侧的副通道耦合桥4的耦合极性为正耦合时的介质波导滤波器的频率响应仿真图，即存在两个分别在滤波通带BLP的外低频段上和外高频段上的陷波点LA1和HA1，其中，陷波点HA1距离滤波通带更近；图6中的(d)所示为当靠外侧的副通道耦合桥4的耦合极性为负耦合且靠内侧的副通道耦合桥4的耦合极性为负耦合时的介质波导滤波器的频率响应仿真图，即同样存在两个分别在滤波通带BLP的外低频段上和外高频段上的陷波点LA1和HA1，其中，同样是陷波点HA1距离滤波通带更近。作为优化的，为了同时在滤波通带的两侧分别取得较理想的带外抑制，仅需设计如下：在四连体级联的交叉耦合结构中，设置靠外侧的副通道耦合桥4为耦合极性与波导主通道上的耦合极性相反的耦合桥结构。由此同样无需设计额外的零腔结构，只需通过简单的交叉耦合组合即可得到需要的陷波点，实现介质波导滤波器的高抑制特性，利于产品的电气性能展示和小型化设计。

进一步优化的，对于耦合极性与波导主通道上的耦合极性相反的耦合桥结构，同样可以但不限于在该耦合桥的上表面中心区域开有深度介于36～55mm之间的第一盲孔501。

本实施例提供的所述具有第一种四连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器，其技术效果可以参照实施例一的技术效果毫不费力地推导得出，于此不再赘述。

实施例三

图7示出了本实用新型提供的具有第二种四连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的结构示意图。

本实施例作为实施例二所描述的具有第一种四连体级联的交叉耦合结构的进一步优化方案，其不同之处在于：所述介质波导单体1为长方体结构，所述主通道为“几”字型通道，且仅在波导主通道上的第二个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第二个介质波导单体)分别与第五个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第五个介质波导单体)通过所述副通道耦合桥4相连，虽然仅实现有所述第二个介质波导单体跨越第三个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第三个介质波导单体)及第四个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第四个介质波导单体)与所述第五个介质波导单体发生耦合，当也可产生两个陷波点，且使两个陷波点关于滤波通带对称分布。

本实施例提供的所述具有第二种四连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器，相比较于实施例二还具有如下技术效果：(1)可在减少副通道耦合桥数目的同时，在滤波通带的两侧分别取得较理想的带外抑制，进一步利于产品的电气性能展示和小型化设计。

实施例四

图8示出了本实用新型提供的具有第三种四连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的结构示意图。

本实施例作为实施例三所描述的具有第二种四连体级联的交叉耦合结构的进一步优化方案，其不同之处在于：在四连体级联的交叉耦合结构中，设置副通道耦合桥4为耦合极性与波导主通道上的耦合极性相同的耦合桥结构，设置处于中间位置的主通道耦合桥3为耦合极性与波导主通道上的耦合极性相反的耦合桥结构。与实施例三的滤波器相比，本实施例滤波器的频率响应特性不会发生变化，即也可产生两个陷波点，且使这两个陷波点关于滤波通带对称分布。在介质波导滤波器的实际设计及生产中，由于副通道耦合桥4的耦合量往往比主通道耦合桥3的耦合量小，如仍采用实施例三的交叉耦合结构，需要耦合量很小且盲孔很深的耦合桥结构，但是耦合桥结构不利于产品的加工和生产，而采用本实施例的交叉耦合结构，由于副通道耦合桥4的耦合特性为正耦合且耦合量需求小，而主通道耦合桥3的耦合特性为负耦合且耦合量需求大，这样可使设计结构更加合理，产品强度更好，更有利于产品的加工和生产。

进一步优化的，对于耦合极性与波导主通道上的耦合极性相同的耦合桥结构，可以但不限于在该耦合桥的上表面中心区域不开孔或开有深度小于31mm的第二盲孔502。

本实施例提供的所述具有第三种四连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器，相比较于实施例三还具有如下技术效果：(1)可使设计结构更加合理，产品强度更好，更有利于产品的加工和生产。

实施例五

图9示出了本实用新型提供的具有五连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的结构示意图，图10示出了本实用新型提供的四种具有五连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的频率响应仿真图。

本实施例提供的所述具有五连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器为一个七阶滤波器，包括七个介质波导单体1、第一波导接头201和第二波导接头202；七个所述介质波导单体1通过在两介质波导单体之间连接主通道耦合桥3，依次串联成波导主通道，所述第一波导接头201和所述第二波导接头202分别连接位于所述波导主通道两端的介质波导单体1；同时设有三个连接处于所述波导主通道上且非相邻的两介质波导单体的副通道耦合桥4，形成一个五连体级联的交叉耦合结构。

如图9所示，图中的虚线即为波导主通道的轨迹线，所述介质波导单体1采用圆柱体结构，所述主通道为“U”字型通道，并包含有一个五连体级联的交叉耦合结构：即在波导主通道上的第三个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第三个介质波导单体)分别与第五个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第五个介质波导单体)和第六个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第六个介质波导单体)通过所述副通道耦合桥4相连，在波导主通道上的第二个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第二个介质波导单体)与所述第六个介质波导单体通过所述副通道耦合桥4相连，由此实现所述第三个介质波导单体跨越第四个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第四个介质波导单体)与所述第五个介质波导单体发生耦合，实现所述第三个介质波导单体跨越第四个介质波导单体及第五个介质波导单体与所述第六个介质波导单体发生耦合，实现所述第二个介质波导单体跨越第三个介质波导单体、第四个介质波导单体和第五个介质波导单体与所述第六个介质波导单体发生耦合，由此可产生三个陷波点。

本实施例中五连体级联的交叉耦合结构可理解为一个三连体级联的交叉耦合结构与一个五连体级联的交叉耦合结构的组合，通过不同交叉耦合极性及耦合量的组合，可以但不限于得到如图10所示的四种具有五连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的频率响应仿真图。

本实施例提供的所述具有五连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器，其技术效果可以参照实施例一和实施例二的技术效果毫不费力地推导得出，于此不再赘述。

实施例六

图11示出了本实用新型提供的具有六连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器的结构示意图。

本实施例提供的所述具有六连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器为一个六阶滤波器，包括六个介质波导单体1、第一波导接头201和第二波导接头202；七个所述介质波导单体1通过在两介质波导单体之间连接主通道耦合桥3，依次串联成波导主通道，所述第一波导接头201和所述第二波导接头202分别连接位于所述波导主通道两端的介质波导单体1；同时设有两个连接处于所述波导主通道上且非相邻的两介质波导单体的副通道耦合桥4，形成一个六连体级联的交叉耦合结构。

如图11所示，图中的虚线即为波导主通道的轨迹线，所述介质波导单体1采用正四边形柱体结构，所述主通道为“U”字型通道，并包含有一个六连体级联的交叉耦合结构：即在波导主通道上的第二个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第二个介质波导单体)与第五个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第五个介质波导单体)通过所述副通道耦合桥4相连，在波导主通道上的第一个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第一个介质波导单体)与第六个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第六个介质波导单体)通过所述副通道耦合桥4相连，由此实现所述第二个介质波导单体跨越第三个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第三个介质波导单体)和第四个介质波导单体(即沿第一波导接头201至第二波导接头202方向顺数的第四个介质波导单体)与所述第五个介质波导单体发生耦合，实现所述第一个介质波导单体跨越第二个介质波导单体、第三个介质波导单体、第四个介质波导单体和第五个介质波导单体与所述第六个介质波导单体发生耦合，由此可产生四个陷波点。

如图11所示，本实施例中六连体级联的交叉耦合结构可理解为两个如实施例四所述的第三种四连体级联的交叉耦合结构的组合，且在每个四连体级联的交叉耦合结构中，设置副通道耦合桥4为耦合极性与波导主通道上的耦合极性相同的耦合桥结构，设置处于中间位置的主通道耦合桥3为耦合极性与波导主通道上的耦合极性相反的耦合桥结构。由此可存在两个陷波点位于滤波通带的带外低频段，两个陷波点位于滤波通带的带外高频段，并使一高一低两个陷波点关于滤波通带对称。

本实施例提供的所述具有六连体级联的交叉耦合结构的介质波导滤波器，其技术效果可以参照实施例四的技术效果毫不费力地推导得出，于此不再赘述。

如上所述，可较好地实现本实用新型。对于本领域的技术人员而言，根据本实用新型的教导，设计出不同形式的具有交叉耦合结构的介质波导滤波器并不需要创造性的劳动。在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下对这些实施例进行变化、修改、替换、整合和变型仍落入本实用新型的保护范围内。