本实用新型属于半导体制造技术领域,具体涉及一种晶圆载具。
背景技术:
在半导体晶圆生产过程中,特别是二三代半导体生产过程中通常需要对晶圆进行减薄处理,再进行等离子去胶工艺。进行等离子去胶工艺前,将晶圆放置在石英舟或其他常规载具上放入反应腔,反应腔抽真空时,减薄之后的晶圆受气流和等离子体的影响,会出现飘浮不稳、脱离载具的情况,极易造成晶圆的碎裂损坏。
技术实现要素:
本实用新型的目的在于提供一种在等离子去胶工艺时可以稳固晶圆的载具,尤其适用于稳固薄晶圆。
为达到上述要求,本实用新型采取的技术方案是:提供一种晶圆载具,包括圆环型的托板和圆环型的盖板,托板顶部靠近外边缘的位置设置有凸台,凸台与托板为同心圆环;托板的内径小于晶圆的直径,凸台的内径大于晶圆的直径,这样才能将晶圆放置在托板上;盖板的外径大于凸台的内径,这样才能将盖板盖设在凸台上;盖板的内径小于晶圆的直径且大于晶圆直径的2/3,这样既能避免薄晶圆脱离载具,又不会因遮住太多晶圆而影响工艺。
凸台上设置有至少两个竖直的定位柱,盖板的一个端面开设有与定位柱一一对应的定位孔。实际使用时,使定位孔对准定位柱将盖板盖设在凸台上,这样盖板能一次盖设到位,操作方便。
盖板沿圆周均匀开设有若干竖直通孔。由于盖板为圆环型结构,并且圆环上均匀分布通孔,等离子体可以充分与晶圆表面光刻胶反应,不会对工艺造成影响。
盖板的外径等于凸台的外径,这样盖板盖设在凸台上时外壁齐平,更美观。
凸台和托板一体成型,这样载具的整体性更强。
凸台、托板及盖板采用石英制成。
与现有技术相比,本实用新型具有以下优点:在工艺过程中,该载具可以很好地稳固薄晶圆,防止薄晶圆脱离载具,避免晶圆受损,同时该载具不会对工艺效果造成影响;另外,托板和盖板相互独立,盖板的定位孔对准托板上的定位柱即可快速稳固薄晶圆,方便晶圆取放。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1(a)为本实用新型托板的俯视图,图1(b)为本实用新型盖板的俯视图;
图2为本实用新型的剖视图。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,以下结合附图及具体实施例,对本申请作进一步地详细说明。为简单起见,以下描述中省略了本领域技术人员公知的某些技术特征。
如图1-2所示,提供一种晶圆载具,包括圆环型的托板3和圆环型的盖板5,托板3顶部靠近外边缘的位置设置有凸台2,凸台2与托板3为同心圆环。托板3的内径小于晶圆4的直径,凸台2的内径大于晶圆4的直径;盖板5的外径大于凸台2的内径;盖板5的内径小于晶圆4的直径且大于晶圆4直径的2/3。
凸台2上焊接有两个竖直的定位柱1,两个定位柱1位于同一条直径上;盖板5的一个端面开设有与定位柱1一一对应的定位孔7。
盖板5沿圆周均匀开设有若干竖直通孔6,通孔6离盖板5内边缘最近的点距盖板5内边缘3mm,通孔6孔径为10mm,通孔6间距为5mm。
凸台2和托板3一体成型,这样载具的整体性更强。
凸台2、托板3及盖板5采用石英制成。
以装载6英寸(直径150mm)的薄晶圆为例,进行工艺生产时,先将减薄后的晶圆放置在直径为156mm的蓝宝石衬底上,将晶圆连同衬底一起放置在托板3上,对准定位柱1将盖板5盖在托板3上;然后将载具和晶圆一起放入反应腔内对应位置,开始工艺生产。工艺生产中,托板3起到支撑托起衬底和晶圆4的作用,盖板5起到固定和防止晶圆4飘浮脱离载具的作用。工艺完成后,拿开盖板5,取出衬底及晶圆4完成生产。该实施例中,托板3的内径为130mm,外径170mm,厚度为3mm,凸台2的内径为157mm,外径为170mm,厚度为4mm,凸台2的高度视使用的衬底和减薄后晶圆的厚度而定;盖板5的内径为135mm,外径为170mm,厚度为2mm。
以上实施例仅表示本实用新型的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能理解为对本实用新型范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本实用新型保护范围。因此本实用新型的保护范围应该以权利要求为准。