1.一种沟槽二极管，其特征在于：包括N型SiC层、设于N型SiC层的多个沟槽以及设于N型SiC层上表面的阳极金属层；N型SiC层的下表面连接有阴极金属层；多个沟槽均为阶梯形，沟槽内填充有绝缘层，所述N型SiC层包括重掺杂层及轻掺杂层，所述轻掺杂层位于重掺杂层的上端，所述重掺杂层位于阴极金属层的上端，所述多个沟槽位于轻掺杂层内。
2.根据权利要求1所述的一种沟槽二极管，其特征在于：所述轻掺杂层的掺杂浓度为1.5×1019/cm3，厚度为3-5um。
3.根据权利要求2所述的一种沟槽二极管，其特征在于：所述轻掺杂层的厚度为4.5um。
4.根据权利要求1所述的一种沟槽二极管，其特征在于：多个沟槽的深度为1.5-2um。
5.根据权利要求4所述的一种沟槽二极管，其特征在于：所述多个沟槽的深度为1.7um。
6.根据权利要求1所述的一种沟槽二极管，其特征在于：所述阳极金属层及阴极金属层均为Ni或Ti，厚度为1-1.5um。
7.根据权利要求1所述的一种沟槽二极管，其特征在于：相邻两个沟槽的间距为0.5-1um。
8.根据权利要求1所述的一种沟槽二极管，其特征在于：所述绝缘层的宽度为0.5-3um。
9.根据权利要求1所述的一种沟槽二极管，其特征在于：所述绝缘层为SiO2层或聚对二苯层。