一种均恒压的开关电源VCC绕组的制作方法

文档序号:14621293发布日期:2018-06-06 00:55阅读:673来源:国知局
一种均恒压的开关电源VCC绕组的制作方法

本实用新型涉及开关电源技术领域,尤其涉及一种均恒压的开关电源VCC绕组。



背景技术:

现有的开关电源VCC绕组是变压器磁芯中柱开气隙,开关电源VCC绕组有以下几种情况:

1、参见图1,VCC绕组2绕在靠近原边绕组1(也就是离磁芯中柱较近的位置);

2、参见图2和图3,原边绕组11、12分两段串绕,把VCC绕组2包在中间;

3、参见图4,VCC绕组2绕在远离磁芯中柱与原边绕组11、12的位置。

上述几种情况存在如下问题:

1、磁芯中心柱开气隙,边缘磁通效应,VCC绕组绕在开气隙位置近的地方,受到边缘磁通的影响越大,而边缘磁通也随着开关电源负载的加重,变的更加强烈,甚至造成电路不能正常工作和损坏。

2、原边绕组随着开关电源的负载加重,流经原边绕组的电流随之加大,原边绕组附近的电场效应随之加强,VCC绕组绕在原边绕组附近,通过电场效应造成VCC电压随着开关电源负载轻重随之变化,变化幅度很大,甚至造成电路不能正常工作和损坏。



技术实现要素:

本实用新型的主要目的是提供一种电压均恒稳定的开关电源VCC绕组。

为了实现本实用新型的主要目的,本实用新型提供一种均恒压的开关电源VCC绕组,其中,开关电源VCC绕组总共有五层,第一层为第一原边绕组,第一原边绕组位于绕组磁芯的外侧,第二层为副边输出绕组,副边输出绕组位于第一原边绕组的外侧,第三层为第二原边绕组,第二原边绕组位于副边输出绕组的外侧,第四层为VCC绕组,VCC绕组位于第二原边绕组的外侧,第五层为屏蔽层,屏蔽层位于VCC绕组的外侧,并且屏蔽层接地。

更进一步的方案是,屏蔽层为法拉第屏蔽层。

更进一步的方案是,法拉第屏蔽层是用铜线紧密排布绕制而成。

更进一步的方案是,法拉第屏蔽层采用铜皮制成。

由上述方案可见,将VCC绕组绕在远离磁芯中柱和原边绕组的地方,也就是将VCC绕组绕在变压器的最外层,这样有效地规避了磁芯中柱的边缘磁通效应和原边绕组的电场效应。同时,将磁芯开气隙的方式发生改变,改开气隙到磁心的两边的边柱上,这样可以将穿过VCC绕组的边缘磁通,泄漏磁通减少1半。而且,通过适当在绕完了VCC绕组之后,加入法拉第屏蔽层,进一步减少边缘磁通效应。从而,开关电源VCC绕组的电压达到均恒压,不会随着开关电源负载变化而变化,开关电源VCC绕组的电压稳定给整个开关电源电路的稳定提供了可靠保障。因此,在不增加成本的前提下,很方便达到了开关电源VCC绕组电压稳定的效果。

附图说明

图1是现有技术开关电源VCC绕组的第一种结构示意图。

图2是现有技术开关电源VCC绕组的第二种结构示意图。

图3是现有技术开关电源VCC绕组的第三种结构示意图。

图4是现有技术开关电源VCC绕组的第四种结构示意图。

图5是本实用新型开关电源VCC绕组实施例的第一种结构示意图。

图6是本实用新型开关电源VCC绕组实施例的第二种结构示意图。

以下结合附图及实施例对本实用新型作进一步说明。

具体实施方式

参见图5至图6,本实用新型所提供的开关电源VCC绕组总共有五层,第一层A为第一原边绕组11,第一原边绕组11位于绕组磁芯的外侧。第二层B为副边输出绕组3,副边输出绕组3位于第一原边绕组11的外侧。第三层C为第二原边绕组12,第二原边绕组12位于副边输出绕组3的外侧。第四层D为VCC绕组2,VCC绕组2位于第二原边绕组12的外侧。第五层E为屏蔽层4,屏蔽层4位于VCC绕组2的外侧,并且屏蔽层4接地。屏蔽层4为法拉第屏蔽层,可用铜线紧密排布绕制而成(参见图5),亦或采用铜皮制成(参见图6)。法拉第屏蔽层指的是根据接地导体静电平衡的原理(因为导体上的电势差为0,接地之后能够达到电磁场不能穿过其表面的目的),用铜皮或者紧密排列的铜线绕制在变压器上面,起到屏蔽电磁场的作用。

本实用新型的开关电源VCC绕组将VCC绕组绕在远离磁芯中柱和原边绕组的地方,也就是将VCC绕组绕在变压器的最外层,这样有效地规避了磁芯中柱的边缘磁通效应和原边绕组的电场效应。同时,将磁芯开气隙的方式发生改变,改开气隙到磁心的两边的边柱上,这样可以将穿过VCC绕组的边缘磁通,泄漏磁通减少1半。而且,通过适当在绕完了VCC绕组之后,加入法拉第屏蔽层,进一步减少边缘磁通效应。从而,开关电源VCC绕组的电压达到均恒压,不会随着开关电源负载变化而变化,开关电源VCC绕组的电压稳定给整个开关电源电路的稳定提供了可靠保障。因此,在不增加成本的前提下,很方便达到了开关电源VCC绕组电压稳定的效果。

以上所述实施例,只是本实用新型的较佳实例,并非来限制本实用新型实施范围,故凡依本实用新型申请专利范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰,均应包括于本实用新型专利申请范围内。

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