一种LED封装结构及车载LED光源的制作方法

文档序号:14385341阅读:188来源:国知局
一种LED封装结构及车载LED光源的制作方法

本实用新型涉及LED光源技术领域,具体涉及一种LED封装结构及具有其的车载LED光源。



背景技术:

LED封装技术发展至今,已经逐步向各领域延伸,近几年汽车上使用LED光源也越来越频繁,车载用LED光源种类繁多,例如包括有刹车灯、阅读灯、转向灯、夜间行车灯、汽车大灯等多个种类。其中汽车大灯是汽车的重要组成部分,汽车大灯内部的使用环境复杂,如使用环境温度高,需求灯具功率大,光学要求高,散热困难等等情况都制约着LED光源的使用寿命。

传统车载大灯LED光源依然采用常规工艺制作,采用金属或非金属基板,常规LED芯片,金属丝连接LED芯片,涂覆上混合了荧光粉的硅胶进行封装,此类封装工艺制作的产品在常规使用环境中可靠性良好,寿命可以保证。但在车载大灯中,其中的LED光源处于高温、密封、导热差的环境中,硅胶材料的耐热、抗老化、金丝应力、封装热阻等都会引起光源的寿命衰减。具体地,车载大灯需求的LED光源功率通常在20W-30W,考虑二次光学透镜组的设计,发光面都非常小,通常只有1*6mm或5*5mm,在此发光面下,功率密集度高,造成LED光源发热量是非常大的,通常芯片表面温度可以达到200度以上,乃至更高,这种高温环境会严重影响LED光源的使用寿命。



技术实现要素:

有鉴于此,本实用新型的目的之一在于提供一种耐温性高、产品可靠性高、功率密度大的LED封装结构及具有其的车载LED光源。

为达到上述目的,一方面,本实用新型采用以下技术方案:

一种LED封装结构,包括:

LED芯片;

荧光晶片,设置于所述LED芯片上;以及,

基板;

其中,所述LED芯片与所述基板之间形成有焊接材料层,所述LED芯片为由多个LED芯片单元形成的阵列结构,相邻所述LED芯片单元的间距为0.1至0.5mm。

优选地,所述荧光晶片为陶瓷荧光晶片。

优选地,所述荧光晶片通过粘合层粘接于所述LED芯片上。

优选地,所述粘合层为透明高耐温硅基材料层或环氧树脂材料层。

优选地,所述基板上形成有基板线路层,所述LED芯片通过所述焊接材料层焊接于所述基板线路层上。

优选地,所述基板为高导热金属基板或陶瓷基板。

优选地,所述荧光晶片和所述LED芯片的外周设置有密封层,所述密封层用于将所述荧光晶片与所述基板之间的空间形成密封。

优选地,所述基板上形成有位于所述密封层之外的电源连接结构,所述电源连接结构与所述LED芯片相连。

优选地,所述基板上设置有两个安装孔,所述电源连接结构包括正极连接结构和负极连接结构,所述两个安装孔沿所述基板的一个对角设置,所述正极连接结构和负极连接结构沿所述基板的另一个对角设置。

另一方面,本实用新型采用以下技术方案:

一种车载LED光源,采用如上所述的LED封装结构。

本实用新型提供的LED封装结构利用荧光晶片替代现有的硅胶混合的荧光粉,避免因硅胶发生老化而影响LED光源的使用寿命,本实用新型提供的LED封装结构还缩减了LED芯片单元的间距,将LED芯片单元的间距缩减到0.1至0.5mm的范围内,从而有效提高了LED封装结构的功率密度。

附图说明

通过以下参照附图对本实用新型实施例的描述,本实用新型的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚,在附图中:

图1示出本实用新型具体实施方式提供的LED封装结构示意图;

图2示出本实用新型具体实施方式提供的LED封装结构的爆炸图。

图中,1、LED芯片;11、LED芯片单元;2、荧光晶片;3、基板;31、基板线路层;32、电源连接结构;33、安装孔;4、焊接材料层;5、粘合层;6、密封层。

具体实施方式

以下基于实施例对本实用新型进行描述,但是本实用新型并不仅仅限于这些实施例。此外,本领域普通技术人员应当理解,在此提供的附图都是为了说明的目的,并且附图不一定是按比例绘制的。

除非上下文明确要求,否则整个说明书和权利要求书中的“包括”、“包含”等类似词语应当解释为包含的含义而不是排他或穷举的含义;也就是说,是“包括但不限于”的含义。

在本实用新型的描述中,需要理解的是,术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外,在本实用新型的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。

本实用新型提供了一种LED封装结构,如图1和图2所示,其包括荧光晶片2、LED芯片1和基板3,其中,荧光晶片2设置于LED芯片1上,LED芯片1与基板3之间形成有焊接材料层4,焊接材料层4优选由覆晶方式形成,即,LED芯片1以覆晶的方式固晶于基板3上,从而在LED芯片1与基板3之间形成焊接材料层4。如此,利用荧光晶片2替代现有的硅胶混合的荧光粉,避免因硅胶发生老化而影响LED光源的使用寿命,采用覆晶方式对LED芯片1进行封装能够有效降低产品热阻,减少封装环节,确保产品可靠性,提高产品的耐温性能。

进一步地,荧光晶片2为蓝光激发白光的材料,优选采用陶瓷荧光晶片或者其他无机材料制成的荧光晶片,使得荧光晶片2具有很高的耐高温形,最高可达到800℃,该温度远远高于LED芯片封装结构实际承受的温度,相较于传统的硅胶混合荧光粉材料,本申请采用荧光晶片2能够大大提高LED封装结构的耐温性能。

优选地,荧光晶片2通过粘合层5粘接于LED芯片1上,一方面能够提高荧光晶片2的固定强度,另一方面使得LED芯片1与荧光晶片2之间没有空气层,而粘合层5的折射率高于空气的折射率,从而提高出光效率。其中,粘合层5采用耐高温的材料,例如可以是高导热金属基板或陶瓷基板,从而进一步提高了LED封装结构的耐温性。

进一步地,覆晶方式例如可以采用共晶或者锡膏等焊接工艺,相比传统的绝缘胶或导电胶,其导热率有明显的提升,从而在加大电流使用方面有良好的表现。传统的LED封装结构中,LED芯片通过金属丝焊接到基板上,这样的方式在封装过程中会存在应力问题,影响结构可靠性,针对这一问题,在本申请的一个优选实施例中,基板3上形成有基板线路层31,LED芯片1通过焊接材料层4焊接于基板线路层31上,通过基板线路层31上的线路设计来实现LED芯片1中各个LED芯片单元11的串、并联。通过基板线路层31实现LED芯片单元11的串、并联,省去金属丝结构,克服了封装过程中的应力问题,从而提高了封装结构的可靠性。

优选地,基板线路层31可以通过蚀刻方式形成于基板3上。

优选地,基板3的形状可以根据具体需求设置,例如可以为圆形、椭圆形、方形、多边形等,基板3优选采用高导热材料制成,例如可以为高导热金属材料,例如铝材,再例如可以为陶瓷材料,例如可以是氮化铝陶瓷材料,如此,能够有效提高基板3的导热率,降低产品热阻。可以理解的是,本领域中通常将导热率在200至400W/(m·K)范围内的金属称为高导热金属材料。

优选地,荧光晶片2和LED芯片1的外周设置有密封层6,即密封层6将荧光晶片2和LED芯片1包围,通过密封层6将荧光晶片2与基板3之间的空间形成密封,使得LED芯片1位于荧光晶片2与基板3之间的密封空间中,如此,能够提高LED封装结构的密封性,进而提高产品可靠性。密封层6的材料优选为硅基材料。

进一步地,基板3上还形成有位于密封层6之外的电源连接结构32,例如可以是图2所示的焊盘,电源连接结构32从上述的密封空间中的基板线路层31引出,用于连接外接电源,方便外接电源向LED芯片1供电。优选地,电源连接结构32与基板线路层31同时通过蚀刻方式形成于基板3上。

优选地,本申请提供的LED封装结构缩减了LED芯片单元11之间的间距,进一步优选地,还提高了单颗LED芯片单元11的功率,以确保LED封装结构具有很小的发光面,提高LED封装结构的功率密度,具体地,LED芯片1为由多个LED芯片单元11形成的阵列结构,相邻所述LED芯片单元11的间距为0.1至0.5mm,优选为0.2mm,LED芯片单元11的功率为2至5W,优选为3W。

优选地,LED封装结构上还设置有安装孔33,用于对LED封装结构进行安装,安装孔33优选设置在基板3上,例如,在图2所示的实施例中,基板3上设置有两个安装孔33,电源连接结构32包括正极连接结构和负极连接结构,其中,两个安装孔33沿基板3的一个对角设置,正极连接结构和负极连接结构沿基板3的另一个对角设置,通过对各结构的合理布置进一步提高LED封装结构的紧凑性。

本申请提供的LED封装结构可广泛应用于各种需要进行照明的场合,尤其适用于环境温度较高的场景中。

进一步地,本申请还提供了一种车载LED光源,采用上述的LED封装结构,产品结构紧凑、可靠性高。

本领域的技术人员容易理解的是,在不冲突的前提下,上述各优选方案可以自由地组合、叠加。

以上所述仅为本实用新型的优选实施例,并不用于限制本实用新型,对于本领域技术人员而言,本实用新型可以有各种改动和变化。凡在本实用新型的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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