技术总结
本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种半导体激光器，包括：衬底；并列形成在衬底上的检测组件和发光组件；发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内。通过并列设置的检测组件和发光组件，能够降低检测组件与发光组件的对准难度，同时使得该半导体激光器能够自带功率检测功能，使用范围较广；且发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内，从发光组件发出的光线沿检测组件与发光组件的排列方向进入检测组件进行检测，即从发光组件发出的光线侧入射进入检测组件的吸收层，延长了光线在检测组件中的路径，进而能够提高检测组件的检测精度。
技术研发人员：胡双元;颜建
受保护的技术使用者：苏州矩阵光电有限公司
技术研发日：2017.12.19
技术公布日：2018.08.31