本实用新型涉及一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，属于半导体封装技术领域。
背景技术：
随着电子元件的运算速度、传输信号频率越来越高，由于集成电路容易与其他内部或外部电子元件相互产生电磁干扰现象，例如串扰、传输损耗与信号反射等等，使得集成电路的运作效能受到削减。所以电子元件对于电磁干扰(electromagnetic interference,EMI)防护的要求也在不断的提升。如何保护半导体封装中的芯片不受电磁干扰显得相当重要。
一种降低EMI的方法是将半导体封装屏蔽起来。例如在塑封料的背面设置一层电磁屏蔽层，并将电磁屏蔽层与外部形成接地来完成屏蔽。当来自于半导体封装体内部的电磁放射作用在金属层的内表面时，部份的电磁放射被电性短路，从而降低电磁放射的程度，避免电磁放射通过壳体而负面地影响邻近的半导体组件的运作。同样的，当来自于邻近的半导体组件的电磁放射作用在金属层的外表面时，电磁放射可被电性短路，从而减少对封装件内半导体装置的电磁干扰。
然而上述的电磁屏蔽方式在使屏蔽层接地时却比较困难，其需在基板上另外形成金属柱（参见图1）、电子元件或通过TSV工艺在塑封料上形成通孔后在填充金属填料来形成导通柱，无论是哪种方法都需增加额外的制程，而增加了制造成本与时间。
技术实现要素：
本实用新型所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，其引脚具有外凸的弧形以及与之相连突出于塑封料并具有一定高度的侧壁，所以电磁屏蔽层可以直接电性连接引脚的侧壁来实现接地，而不用另外形成金属柱或导电通孔，从而降低了制造成本和时间。
本实用新型解决上述问题所采用的技术方案为：一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，它包括引脚，所述引脚包括平面部分和侧壁部分，所述侧壁部分位于平面部分外侧，所述平面部分与侧壁部分之间通过弧形部分过渡连接，所述弧形部分的凸面朝向外下侧，所述引脚上通过金属球倒装有芯片，所述引脚以及芯片外围区域包封有第一塑封料，所述第一塑封料上设置有第一屏蔽层，所述第一屏蔽层上设置有第二塑封料，所述第二塑封料上设置有第二屏蔽层，所述第二屏蔽层上设置有第三塑封料，所述引脚中有部分引脚的侧壁部分高于第一塑封料和第二塑封料，并且电性连接于第一屏蔽层和第二屏蔽层，其余引脚的侧壁部分低于第一屏蔽层。
所述引脚为电镀形成的金属线路层。
与现有技术相比，本实用新型的优点在于：
1、本实用新型的一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，其在载板蚀刻形成的凹槽中电镀直接形成具有外凸的弧形以及与之相连突出于塑封料并具有一定高度的侧壁的引脚，所以电磁屏蔽层可以直接电性连接引脚的侧壁来实现接地，而不用另外形成金属柱或导电通孔，从而降低了制造成本和时间。
2、本实用新型的一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，其在载板蚀刻形成的凹槽中电镀直接形成具有外凸的弧形以及与之相连突出于塑封料并具有一定高度的侧壁的引脚，在焊接PCB时焊锡可以沿竖直侧壁爬升到较高的高度，从而增加焊锡与引脚的结合面积，其爬锡状态直接从外观就能清晰地看出，另外在爬锡的同时引脚的外凸弧形结构可以使引脚处的空气沿外凸弧形排出，从而可以避免在焊锡中残留有气泡从而影响引脚与PCB的结合，可以提高产品的焊接性能与焊接的可靠性；
3、本实用新型的一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，其基岛和引脚为电镀形成的线路层，具有更小的封装体积；
4、本实用新型的一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，其不用进行切割所以只需要去除载板就可以实现原本阵列式的塑封体单体化，所以其可以节省切割成本。
附图说明
图1为现有的电磁屏蔽封装结构示意图。
图2为本实用新型一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构的立体示意图。
图3为图2的K-K剖视图。
图4为图2的L-L剖视图。
其中：
引脚1
平面部分1.1
弧形部分1.2
侧壁部分1.3
金属球2
芯片3
第一塑封料4
第一屏蔽层5
第二塑封料6
第二屏蔽层7
第三塑封料8。
具体实施方式
以下结合附图实施例对本实用新型作进一步详细描述。
如图2~图4所示，本实施例中的一种具有引脚侧壁爬锡功能的电磁屏蔽封装结构，它包括引脚1，所述引脚1为电镀形成的金属线路层，所述引脚1包括平面部分1.1和侧壁部分1.3，所述侧壁部分1.3位于平面部分1.1外侧，所述平面部分1.1与侧壁部分1.3之间通过弧形部分1.2过渡连接，所述弧形部分1.2的凸面朝向外下侧，所述引脚1上通过金属球2倒装有芯片3，所述引脚1以及芯片3外围区域包封有第一塑封料4，所述第一塑封料4上设置有第一屏蔽层5，所述第一屏蔽层5上设置有第二塑封料6，所述第二塑封料6上设置有第二屏蔽层7，所述第二屏蔽层7上设置有第三塑封料8。所述引脚1中有部分引脚1的侧壁部分1.3高于第一塑封料4和第二塑封料6，并且电性连接于第一屏蔽层5和第二屏蔽层7，其余引脚1的侧壁部分1.3低于第一屏蔽层5。
除上述实施例外，本实用新型还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本实用新型权利要求的保护范围之内。