专利名称：防止引脚弯折处断裂的半导体封装载膜与封装构造的制作方法
防止引脚弯折处断裂的半导体封装载膜与封装构造 技辆械本发明涉及一种半导体封装载膜,特别是涉及一种防止引脚弯折处断裂 的半导体封装栽膜与封装构造。
背景技术：
依据半导体产品的用途变化，其晶片载体可以选用印刷电路板、导线 架与电路薄膜，其中电路薄膜具有可挠曲性与薄化的优点。例如，目前的巻带式承栽(Tape Carrier Package, TCP)封装与薄膜覆晶(Chip-On-Film package, COF)封装皆是采用电路薄膜作为晶片载体。在封装之前，电路薄 膜是一巻带中的一单元，而能以巻带传输方式进行半导体封装作业。如图1所示，现有习知半导体封装栽膜100包含一可挠性介电层110、复 数个引脚120以及一防焊层130。这些引脚120是形成于该可挠性介电层 110上，而该防焊层130是局部覆盖这些引脚120。大部份的每一引脚120 是区分为一内引脚121、 一外引脚122及一斜向的扇出线123，这些扇出线 123是连接这些内引脚121与这些外引脚122，而使这些外引脚122能更加 分散，以供接合至一外部印刷电路板或一玻璃面板。该防焊层130是具有 一开口 131，其是显露这些引脚120的内引脚121，以供接合晶片。然而在 半导体封装产品的使用状态中，该半导体封装载膜100包含有扇出线123 的部位需要弯曲呈弧形方可使用，这些引脚120的弯折处容易受应力拉扯 或弯折。特别是当该载膜100的可挠曲弯曲部位是包含这些外引脚122与 这些扇出线123的连接处，弯曲该载膜IOO造成这些引脚120的外应力会 集中至这些引脚120的弯折处，导致少数的这些引脚120会有断裂的问题(如 图1所示的引脚断裂处124),但却使得整个封装产品无法运作。由此可见，上述现有的半导体封装载膜在结构与使用上，显然仍存在 有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关 厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发 展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关 业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的防止引脚弯折处断裂的 半导体封装栽膜与封装构造，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界 极需改进的目标。有鉴于上述现有的半导体封装栽膜存在的缺陷，本发明人基于从事此 类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新型的防止引脚弯折处断裂的半导体封装 栽膜与封装构造，能够改进一般现有的半导体封装载膜，使其更具有实用 性。经过不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出 确具实用价值的本发明。发明内容本发明的主要目的在于，克服现有的半导体封装栽膜存在的缺陷，而 提供一种防止引脚弯折处断裂的半导体封装载膜与封装构造，本发明利用 緩冲垫设置于引脚弯折处，所要解决的技术问题是防止引脚受应力拉扯而 造成断裂。.本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据 本发明，一种防止引脚弯折处断裂的半导体封装载膜主要包含一可挠性介电 层、复数个引脚以及一防焊层。这些引脚是形成于该可挠性介电层上。该防 焊层是形成于该可挠性介电层上，以局部覆盖这些引脚。其中，每一引脚是具有一内接线与一外引脚，该内接线与该外引脚的最小夹角是介于90度 至180度，其中至少一引脚是具有一緩冲垫，其是连接该内接线与该外引 脚。此外，本发明另揭示使用该半导体封装载膜的一半导体封装构造。 本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的半导体封装载膜，其中所述的緩冲垫是概呈圆形且其直径大于 该内接线的宽度。前述的半导体封装栽膜，其中所述的緩冲垫是被该防焊层所覆盖。 前述的半导体封装载膜，其中所述的内接线为一斜向的扇出线。 前述的半导体封装栽膜，其中所述的内接线为一内引脚。 前述的半导体封装载膜，其中所述的緩冲垫具有一外弧边。 前述的半导体封装载膜中，其中这些引脚更具有复数个第一緩冲垫与 复数个第二緩冲垫，这些第一緩冲垫与这些第二緩冲垫是排列在不同直线 上且位于该可挠性介电层的同一侧。本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本 发明提出的一种半导体封装构造，包含 一栽膜以及一晶片，该载膜是包 含 一可挠性介电层；复数个引脚，其是形成于该可挠性介电层上；以及 一防焊层，其是形成于该可挠性介电层上，以局部覆盖这些引脚；其中，每 一引脚是具有一内接线与一外引脚，该内接线与该外引脚的最小夹角是介 于90度至180度，其中至少一引脚是具有一緩沖垫，其是连接该内接线与 该外引脚；晶片是设置于该栽膜并电性连接至这些引脚，该緩沖垫是位于 该栽膜上介于该晶片与这些外引脚之间的 一可挠曲部位。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的半导体封装构造，其中所述的缓冲垫是概呈圓形且其直径大于该内接线的宽度。前述的半导体封装构造，其中所述的内接线为 一斜向的扇出线。 前迷的半导体封装构造，其中所述的内接线为一内引脚。 前迷的半导体封装构造，其中所述的緩冲垫是具有一外弧边。 前述的半导体封装构造，其中这些引脚是更具有复数个第 一緩冲垫与复数个第二緩冲垫，这些第 一緩冲垫与这些第二緩冲垫是排列在不同直线上且位于该可挠性介电层的同 一侧。借由上述技术方案，本发明防止引脚弯折处断裂的半导体封装载膜与封装构造至少具有下列优点本发明利用緩冲垫设置于引脚弯折处，可防止引脚受应力拉扯而造成断裂的问题。综上所述，本发明新颖的防止引脚弯折处断裂的半导体封装载膜与封装构造,半导体封装载膜主要包含一可挠性介电层、复数个形成于该可挠性介 电层上的引脚以及一局部覆盖这些引脚的防焊层。每一引脚是具有一内接 线与一外引脚，该内接线与该外引脚的最小夹角是介于90度至180度。其中至 少 一 引脚是具有一緩冲垫,其是连接该内接线与该外引脚且被该防焊层所覆 盖。借此可防止这些引脚受应力拉扯而在弯折处造成断裂的问题。另揭示使 用该载膜的半导体封装构造,其包含一载膜以及一晶片。本发明具有上述诸 多优点及实用价值，其不论在产品结构或功能上皆有较大的改进,在技术上 有显著的进步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的半导体封装载膜 具有增进的突出功效，从而更加适于实用，并具有产业的广泛利用价值， 诚为一新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的 技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和 其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附 图,详细说明如下。
图1:艰有习知半导体封装载膜的顶面示意图。图2:依据本发明的第一具体实施例， 一种防止引脚弯折处断裂的半导 体封装载膜的顶面示意图。图3:依据本发明的第一具体实施例，该半导体封装载膜应用至一半导 体封装构造的截面示意图。图4:依据本发明的第二具体实施例，另一种防止引脚弯折处断裂的半 导体封装栽膜的顶面示意图。图5:依据本发明的第三具体实施例，另一种防止引脚弯折处断裂的半导体封装栽膜的顶面示意图。100:半导体封装栽膜IIO:可挠性介电层120:引脚121:内引脚122:外引脚123:扇出线124:断裂处130:防焊层131:开p200:半导体封装载膜210:可挠性介电层220:引脚221:内接线222:外引脚223:緩冲垫224:内引脚225:外孤边230:防焊层231:开口310:晶片311:凸块320:封胶体400:半导体封装载膜410:可挠性介电层420:引脚421:内接线422:外引脚423:緩沖垫424:内引脚425:外弧边426:内接线430:防焊层431:开口500:半导体封装载膜510:可挠性介电层520:引脚521:内接线522:外引脚523:内引脚530:防焊层531:开t 541:第一緩冲垫542:第二緩沖垫具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效, 以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的防止引脚弯折处断裂的 半导体封装栽膜与封装构造其具体实施方式
、结构、特征及其功效，详细 说明如后。依据本发明的第一具体实施例,揭示一种防止引脚弯折处断裂的半导体封装载膜。请参阅图2所示并配合参阅图3，该半导体封装载膜200主要包含一可挠性介电层210、复数个引脚220以及一防焊层230。这些引脚220是形成于该可挠性介电层210上,该防焊层230是局部覆盖这些引脚220。通常该可挠性介电层210的材质可为聚酰亚胺(polyimide, PI)或聚酯类(PET)等。在封装前，复数个载膜200可一体形成于一巻带，以供巻带式传输进 行半导体封装作业。这些引脚220为高导电性金属材质，例如铜，并且应相当地薄以^是供 适当的可挠曲性，其厚度远低于传统导线架的引脚厚度。每一引脚220具 有一内接线221与一外引脚222，这些内接线221与这些外引脚222的最小 夹角是介于90度至180度。在本实施例中，这些内接线221为斜向的扇出 线，用以连接较大节距的外引脚222至较小节距的内引脚224。其中至少 一引脚220具有一緩冲垫223,其是连接该内接线221与该外 引脚222。在本实施例中,大部分的引脚220均具有一緩沖垫223。较佳地,如 图2所示，该緩冲垫223是具有一外弧边225,用以分散原集中在引脚弯折 点的应力，可为导散应力的任意形状。在本实施例中，该緩冲垫223是概 呈圆形且其直径大于该内接线221的宽度。该防焊层230是形成于该可挠性介电层210上，以局部覆盖这些引脚 220,能防止这些引脚220外露被污染而短路。该防焊层230是具有一开口 231，其是显露这些引脚220的内引脚224的内端，以供一晶片310的复数 个凸块311接合(如图3所示)。通常该防焊层230可为液态感光性焊罩层 (liquid photoimagable solder mask, LPI)、感光性覆盖层(photoimagable cover layer, PIC)、或可为一般非感光性介电材质的非导电油墨或覆盖层(cover layer)。在本实施例中，该緩冲垫223是被该防焊层230所覆盖，以增强该緩冲 垫223的应力緩冲能力并避免与邻近的引脚220产生电性短路。依据本发明的第一具体实施例，该半导体封装载膜200可进一步应用 于一半导体封装构造。请参阅图3， 一种半导体封装构造主要包含该载膜 200以及一晶片310。该晶片310是设置于该载膜200并电性连接至这些引 脚220。在本实施例中，该晶片310是设有复数个凸块311，其是接合至这 些引脚220的内引脚224。该封装构造可另包含有一封胶体320,例如一种 在固化前具高流动性的点涂胶体，其是密封这些凸块311。其中，该緩冲垫 223是位于碎载膜200上介于该晶片310与这些外引脚222之间的一可挠曲 部位，以避iL在弯曲状态的该栽膜200会有应力集中于连接这些外引脚222 的弯折处，防止外引脚与内接线之间的弯折连接点附近产生断裂。在第二具体实施例中，揭示另一种防止引脚弯折处断裂的半导体封装载膜。请参阅图4所示，该半导体封装载膜400主要包含一可挠性介电层 410、复数个引脚420以及一防焊层430。这些引脚420是形成于该可挠性 介电层410上。在本实施例中，每一引脚420均具有一内接线421、 426与 一外引脚422。其中，部分引脚420的内接线421是直接形成为一内引脚 424，且这些内接线421与对应的这些外引脚422的最小夹角是介于90度 至180度，较佳的，这些内接线421与对应的这些外引脚422的最小夹角 是以接近180度为例，但实际上并不以此为限。且上述这些部分引脚420 上是分别具有一緩沖垫423，其是连接对应的内接线421与外引脚422。其中，该緩沖垫423是可具有一外弧边425。在本实施例中，其余的每一引脚420的内接线426是形成为一斜向的 扇出线，且A接彼此对应的内引脚424与外引脚422。其中，该緩冲垫423 可视所需而适当地设置于这些引脚420上。当这些扇出的内接线426与这 些外引脚422的连接点足以承受可挠曲的应力时，这些引脚420可不需设 置该緩冲垫423。该防焊层430是形成于该可挠性介电层410上，以局部覆盖这些引脚 420，更覆盖这些緩冲垫423。因此,该半导体封装栽膜400能防止外引脚422 与内接线421弯折处发生断裂。此外,该防焊层430是具有一开口 431,以显 露这些引脚420的内引脚424的内端，以供晶片接合。在第三具体实施例中，揭示另一种防止引脚弯折处断裂的半导体封装栽 膜。请参阅图.5所示，该半导体封装载膜500主要包含一可挠性介电层510、 复数个引脚.520以及一防焊层530。大致与第一具体实施例相同这般，这些 引脚520是形成于该可挠性介电层510上。该防焊层530是形成于该可挠 性介电层510上，以局部覆盖这些引脚520。其中，每一引脚520是具有一 内引脚523、至少一斜向扇出的内接线521与一外引脚522，其中该内接线 521与该外引脚522的最小夹角是介于90度至180度。其中在部分容易断 裂的引脚520是更具有一第一緩冲垫541或一第二緩冲垫542，其是连接对 应的内接线521与外引脚522，并且该防焊层530可覆盖这些第一緩沖垫 541与这些第二緩冲垫542,以防止该半导体封装载膜500在弯曲使用时导 致外引脚522与内接线521弯折处发生断裂。此外，该防焊层530是具有 一开口 531，以显露这些内引脚523的内端，以供晶片接合。在本实施例中，这些第一緩沖垫541与这些第二緩冲垫542是排列在 不同直线上且位于该可挠性介电层510的同一侧，即这些第一缓冲垫541 排列在一直线且较靠近该可挠性介电层510的側缘，这些第二緩沖垫542 排列在另一直线且i^支远离该可挠性介电层510的侧缘，此种緩冲垫的错位 排列架构可以避免外应力集中在特定的緩冲垫541或542，进一步降低这些 外引脚522与对应内接线521弯折处发生断裂的机率。以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式 上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发 明,任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用 上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是 未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作 的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1. 一种防止引脚弯折处断裂的半导体封装载膜，其特征在于其包含一可挠性介电层；复数个引脚，其是形成于该可挠性介电层上；以及一防焊层，其是形成于该可挠性介电层上，以局部覆盖这些引脚；其中，每一引脚是具有一内接线与一外引脚，该内接线与该外引脚的最小夹角是介于90度至180度，其中至少一引脚是具有一缓冲垫，其是连接该内接线与该外引脚。
2、 根据权利要求1所述的半导体封装载膜,其特征在于其中所述的緩冲 垫是呈圓形且其直径大于该内接线的宽度。
3、 根据权利要求1所述的半导体封装载膜，其特征在于其中所述的内接 线为一斜向的扇出线。
4、 根据权利要求1所述的半导体封装载膜，其特征在于其中所述的内接 线为一内引脚,，
5、 根据，又利要求1所述的半导体封装载膜,其特征在于其中所述的緩冲 垫是具有一外弧边。
6、 根据权利要求1所述的半导体封装载膜，其特征在于其中这些引脚 是更具有复数个第一緩冲垫与复数个第二緩沖垫，这些第一緩沖垫与这些 第二緩冲垫是排列在不同直线上且位于该可挠性介电层的同一侧。
7、 一种半导体封装构造，其特征在于其包含 一栽膜；其是包含一可挠性介电层；复数个引脚，其是形成于该可挠性介电层上；以及一防焊层，其是形成于该可挠性介电层上，以局部覆盖这些引脚；其中，每一引脚是具有一内接线与一外引脚，该内接线与该外引脚的最小夹角是介于90度至180度，其中至少一引脚是具有一緩沖垫，其是连接该内接线与该外引脚；以及一晶片，其是设置于该载膜并电性连接至这些引脚，该緩沖垫是位于该载膜上介于该晶片与这些外引脚之间的 一可挠曲部位。
8、 根据权利要求7所述的半导体封装构造，其特征在于其中所述的緩 冲垫是呈圃形且其直径大于该内接线的宽度。线为一斜向的扇出线。
9.
10、根椐权利要求7所述的半导体封装构造，其特征在于其中所述的内 接线为一内引脚。
11、 根据权利要求7所述的半导体封装构造，其特征在于其中所述的緩 冲垫是具有一外弧边。
12、 根据权利要求7所述的半导体封装构造，其特征在于其中这些引脚是更具有复数个第 一緩沖垫与复数个第二緩冲垫，这些第 一緩冲垫与这 些第二緩沖垫是排列在不同直线上且位于该可挠性介电层的同一側。
全文摘要
本发明是有关于一种防止引脚弯折处断裂的半导体封装载膜，其主要包含一可挠性介电层、复数个形成于该可挠性介电层上的引脚以及一局部覆盖这些引脚的防焊层。每一引脚是具有一内接线与一外引脚，该内接线与该外引脚的最小夹角是介于90度至180度。其中至少一引脚是具有一缓冲垫，其是连接该内接线与该外引脚且被该防焊层所覆盖。借此可防止这些引脚受应力拉扯而在弯折处造成断裂的问题。另揭示使用该载膜的半导体封装构造，其包含一载膜以及一晶片。
文档编号H05K1/02GK101231984SQ20071000029
公开日2008年7月30日 申请日期2007年1月23日 优先权日2007年1月23日
发明者刘孟学, 李明勋, 洪宗利 申请人:南茂科技股份有限公司