一种四方扁平无引脚型态封装的引线框结构的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种四方扁平无引脚型态封装的引线框结构，属于半导体封装技术领域。
【背景技术】
[0002]四方扁平无引脚型态封装为表面贴装型封装之一，四方扁平无引脚型态封装呈正方形或矩形，封装底部中央位置有一个或多个裸露焊盘用来导热，封装四侧配置有电极触点。
[0003]当芯片底部的裸露焊盘和电极触点与PCB上的热焊盘进行焊接时，会有气体外逸造成焊膏结合性不好。
[0004]另外传统的QFN引脚于切割成型时，如图1所示，由于引脚都是实体金属材质的，很容易耗损切割道具寿命，因此，如何降低切割刀具的磨损也是一个问题。
【发明内容】
[0005]本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种四方扁平无引脚型态封装的引线框结构，它在引线框架引脚根部做半蚀刻凹槽，在PCB板上锡膏的时候，利用虹吸效应可以使锡膏更顺利爬到引脚侧边，加强引脚与PCB的结合，避免上板脱落的问题；并且由于引脚根部做了半蚀刻凹槽，引脚根部的金属厚度减薄，在封装体切割时，降低了刀具的磨损，提高了切割效率。
[0006]本实用新型的目的是这样实现的:一种四方扁平无引脚型态封装的引线框结构，它包括若干个呈矩阵排布的承载单元以及位于承载单元之间用于固定承载单元的中筋，所述承载单元包括芯片座和设置于芯片座周围的引脚阵列，所述中筋连接于相邻两个承载单元的引脚阵列之间，所述引脚阵列背面靠近中筋处设置有半蚀刻凹槽。
[0007]所述半蚀刻凹槽位于中筋朝引脚阵列方向0.005-0.055mm处，所述半蚀刻凹槽长度为1/3~2/3脚宽，宽度为0.025-0.1mm，深度为1/3~2/3框架厚度。
[0008]所述中筋整体半蚀刻减薄，所述中筋的减薄厚度为1/3~2/3框架厚度。
[0009]与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果:
[0010]本实用新型一种四方扁平无引脚型态封装的引线框结构，它在引线框架引脚根部做半蚀刻凹槽，在PCB板上锡膏的时候，利用虹吸效应可以使锡膏更顺利爬到引脚侧边，加强引脚与PCB的结合，避免上板脱落的问题；并且由于引脚根部做了半蚀刻凹槽，引脚根部的金属厚度减薄，在封装体切割时，降低了刀具的磨损，大幅度提高了 QFN的切割效率。
【附图说明】
[0011]图1为传统的四方扁平无引脚型态封装的引线框结构的背视图。
[0012]图2为本实用新型一种四方扁平无引脚型态封装的引线框结构的背视图。
[0013]图3为图2的A-A剖视图。
[0014]其中:
[0015]芯片座I
[0016]引脚阵列2
[0017]中筋3
[0018]半蚀刻凹槽4。
【具体实施方式】
[0019]参见图2、图3，本实用新型一种四方扁平无引脚型态封装的引线框结构，它包括若干个呈矩阵排布的承载单元以及位于承载单元之间用于固定承载单元的中筋3，所述承载单元包括芯片座I和设置于芯片座I周围的引脚阵列2，所述中筋3连接于相邻两个承载单元的引脚阵列2之间，所述引脚阵列2背面靠近中筋3处设置有半蚀刻凹槽4，所述半蚀刻凹槽4位于中筋3朝引脚阵列2方向0.005-0.055mm处，所述半蚀刻凹槽4长度为1/3~2/3脚宽，宽度为0.025-0.1_，深度为1/3~2/3框架厚度，所述中筋3整体做半蚀刻减薄，所述中筋3的减薄厚度为1/3~2/3框架厚度。
【主权项】
1.一种四方扁平无引脚型态封装的引线框结构，其特征在于:它包括若干个呈矩阵排布的承载单元以及位于承载单元之间用于固定承载单元的中筋(3)，所述承载单元包括芯片座(I)和设置于芯片座(I)周围的引脚阵列(2)，所述中筋(3)连接于相邻两个承载单元的引脚阵列(2)之间，所述引脚阵列(2)背面靠近中筋(3)处设置有半蚀刻凹槽(4)。
2.根据权利要求1所述的一种四方扁平无引脚型态封装的引线框结构，其特征在于:所述半蚀刻凹槽(4)位于中筋(3)朝引脚阵列(2)方向0.005-0.055mm处，所述半蚀刻凹槽(4)长度为1/3~2/3脚宽，宽度为0.025-0.1mm，深度为1/3~2/3框架厚度。
3.根据权利要求1或2所述的一种四方扁平无引脚型态封装的引线框结构，其特征在于:所述中筋(3)整体半蚀刻减薄，所述中筋(3)的减薄厚度为1/3~2/3框架厚度。
【专利摘要】本实用新型涉及一种四方扁平无引脚型态封装的引线框结构，它包括若干个呈矩阵排布的承载单元以及位于承载单元之间用于固定承载单元的中筋（3），承载单元包括芯片座（1）和设置于芯片座（1）周围的引脚阵列（2），所述中筋（3）连接于相邻两个承载单元的引脚阵列（2）之间，所述引脚阵列（2）背面靠近中筋（3）处设置有半蚀刻凹槽（4）。本实用新型一种四方扁平无引脚型态封装的引线框结构，它在引线框架引脚根部做半蚀刻凹槽，在PCB板上锡膏的时候，利用虹吸效应使锡膏更顺利爬到引脚侧边，加强引脚与PCB的结合；并且由于引脚根部做了半蚀刻凹槽，引脚根部金属厚度减薄，降低了刀具磨损，大幅度提高了QFN的切割效率。
【IPC分类】H01L23-495
【公开号】CN204516752
【申请号】CN201520096900
【发明人】郭小伟, 龚臻, 张珊, 周容德, 王强, 周丽
【申请人】江苏长电科技股份有限公司
【公开日】2015年7月29日
【申请日】2015年2月11日