专利名称：冲裁式无外引脚封装构造及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体封装技术的单体化分离(singulation)，特别是 涉及一种可解决制程中会引起沖裁式无外引脚封装构造的引脚剥离、掉落 与毛边等问题，而能提升制程优良率，更可增加引脚电镀面积的沖裁式无 外引脚封装构造及其制造方法。
背景技术：
在目前的半导体封装制造技术中，先将复数个载体单元集成在一基材 以供进行封装制程，是相当常见的，且符合经济效率。当大部分的封装制程 完成之后，方进行单体分离，以分离出复数个半导体封装构造。譬如说，使 用导线架作为基材制作出无外引脚封装构造(leadless IC package)即是如 此，在制程的最后进行单体分离。就已知的分离种类，无外引脚封装构造可 进一步区别为沖裁式(punching type)与锯切式(sawing type)。其中，在沖 裁式无外引脚封装构造中，复数个封胶体是个别形成，以冲裁导线架引脚 的方法便可达到单体分离的效果。而锯切式则是以一封胶体连续覆盖所有 载体单元，必须以高速旋转的锯切刀同时切断封胶体与引脚，对于刀具的磨损影响较大，且较为耗时。请参阅图1所示，是现有习知的冲裁式无外引脚封装构造在冲裁单离 时的截面示意图。现有习知的沖裁式无外引脚封装构造，是以一次全裁切 的动作完成单体分离，导线架110固定在一沖裁设备的载台ll上，并以冲 裁刀12 —次切断该导线架110的引脚111，而不会切到预定形状的封胶体 130。请配合参阅图2所示，是现有习知的冲裁式无外引脚封装构造的截面 示意图。现有习知的冲裁式无外引脚封装构造IOO，主要包含该导线架IIO 的一部位、 一晶片120以及一封胶体130。该晶片120，是设置于该导线架 110并藉由复数个焊线121电性连接至该些引脚111。模封形成的该封胶体 130，其是密封该晶片120并结合该些引脚111，但是该些引脚111的上表面 应稍露出，以供沖裁。该些引脚111的下表面亦必须为显露状，可供表面 接合。在沖裁之前， 一电镀层140是先形成于该些引脚111的稍露出上表 面与下表面，以避免引脚111锈化并有助于焊接。然而如图1所示，在现 有习知的冲裁过程中，沖裁刀12对该些引脚111的沖切力量会导致引脚111 容易由该封胶体130剥离，甚至有掉落的问题发生。此外，请参阅图2所示，在沖裁式无外引脚封装构造中，在该些引脚111 的冲裁面会存在有毛边现象，而容易刮伤人体或电子元件。由此可见，上述现有的沖裁式无外引脚封装构造及其制造方法其在方 法、产品结构及使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改 进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但 长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般的制造方法及产品又没 有适切的方法及结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问 题。因此如何能创设一种新的沖裁式无外引脚封装构造及其制造方法，实 属当前重要研发课题之一 ，亦成为当前业界极需改进的目标。有鉴于上述现有的沖裁式无外引脚封装构造及其制造方法存在的缺 陷，本发明人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及其专业知 识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的冲裁式无外 引脚封装构造及其制造方法，能够改进一般现有的沖裁式无外引脚封装构 造及其制造方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复 试作及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。发明内容本发明的主要目的在于，克服现有的冲裁式无外引脚封装构造的制造 方法存在的缺陷，而提供一种新的沖裁式无外引脚封装构造的制造方法，所 要解决的技术问题是使其可以解决现有习知单程沖裁的制程中会引起冲裁 式无外引脚封装构造的引脚剥离、掉落与毛边等问题，而能够提升制程的 优良率，更可增加引脚的电镀面积，从而更加适于实用。本发明的另一目的在于，克服现有的冲裁式无外引脚封装构造存在的 缺陷，而提供一种新型的冲裁式无外引脚封装构造，所要解决的技术问题 是使其增加电镀层在引脚的切面面积，以防止不当的锈化，更可解决引脚 切面毛边的问题，从而更加适于实用。本发明的目的及解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。依 据本发明提出的一种沖裁式无外引脚封装构造的制造方法，其包括以下的 步骤提供一导线架，其具有复数个载体单元，每一载体单元内形成有复 数个引脚；设置复数个晶片至该导线架，并使该些晶片电性连接至该些弓1 脚；形成复数个封胶体于该些栽体单元，以结合该些引脚；进行一半冲裁步 骤，沿着该些封胶体的外周缘形成复数个半凹缺口于该些引脚；进行一电镀 步骤，形成一电镀层于该些引脚包含该些半凹缺口的外露表面；以及进行 一全冲裁步骤，沿着该些半凹缺口切断该些引脚，而分离成个别的封胶体。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的沖裁式无外引脚封装构造的制造方法，其中在相邻载体单元之间形成有一堵住杆(dam bar),该些封胶体在形成时是显露该些堵住杆。前述的冲裁式无外引脚封装构造的制造方法，其中所迷的该些半凹缺 口是形成于该些引脚的上表面。前迷的冲裁式无外引脚封装构造的制造方法，其中所迷的该些半凹缺 口是形成于该些引脚的下表面。前述的冲裁式无外引脚封装构造的制造方法，其中所述的该些晶片是 藉由复数个焊线以电性连接至该些引脚。前述的冲裁式无外引脚封装构造的制造方法，其中所述的该些半凹缺 口的深度约为该些引脚的厚度三分之一至二分之一。前述的冲裁式无外引脚封装构造的制造方法，其中所述的电镀步骤是 为化学电镀或是电解电镀。前述的沖裁式无外引脚封装构造的制造方法，其中所述的电镀层是选 自于锡、锡-铅、锡-铋的其中之一。本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本 发明提出的一种冲裁式无外引脚封装构造，其包含 一导线架的复数个引 脚，每一引脚的外端具有以两段式冲裁形成的一第一切面与一第二切面；一 晶片，其设置于该导线架并与该些引脚电性连接； 一封胶体，其形成于该 导线架上并与该些引脚结合；以及一电镀层，其至少形成于该些引脚的该 些第一切面。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的沖裁式无外引脚封装构造，其中所述的该些第一切面是与对应 引脚的下表面相连接。前述的沖裁式无外引脚封装构造，其中所述的该些第一切面是与对应 引脚的上表面相连接。前述的冲裁式无外引脚封装构造，其中所述的每一引脚具有一稍突出 于该封胶体侧边的上表面。前述的冲裁式无外引脚封装构造，其中所述的电镀层亦形成于该些引 脚的突出上表面。前述的冲裁式无外引脚封装构造，其中所述的晶片是以打线或是覆晶 接合方式电性连接至该些引脚。前述的冲裁式无外引脚封装构造,其中所述的导线架是具有一晶片承 座，以供该晶片的设置。前述的冲裁式无外引脚封装构造，其中所述的电镀层是形成于该晶片 ;fc座的下表面。本发明的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依 据本发明提出的一种沖裁式无外引脚封装构造，其是由如权利要求1所述的沖裁式无外引脚封装构造的制造方法所制造的冲裁式无外引脚封装构造。本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上可知，为达 到上述目的，本发明揭示了一种冲裁式无外引脚封装构造的制造方法。首 先，提供一具有复数个载体单元的导线架，每一载体单元内形成有复数个^ 1脚，在相邻载体单元之间可形成有一堵住杆(dam bar)。再将复数个晶片设 置至该导线架，并以适当方式使该些晶片电性连接至该些引脚。之后，个别 形成复数个封胶体于对应的该些载体单元，以结合该些引脚但显露该些堵 住杆。在封胶之后，进行一半冲裁步骤，沿着该些封胶体的外周缘形成复 数个半凹缺口于该些引脚。之后，进行一电镀步骤，形成一电镀层于该些引 脚包含该些半凹缺口的外露表面。最后，进行一全冲裁步骤，沿着该些半凹 缺口切断该些引脚，而分离成个别的封胶体。本发明揭示了依上述制程所 制成的冲裁式无外引脚封装构造。在前述的制造方法中，该些半凹缺口是可形成于该些引脚的上表面。在 前述的制造方法中，该些半凹缺口是可形成于该些引脚的下表面。在前述 的制造方法中，该些晶片是可藉由复数个焊线以电性连接至该些引脚。在前 述的制造方法中，该些半凹缺口的深度可约为该些引脚的厚度三分之一至 二分之一。在前述的制造方法中，上述的电镀步骤是为化学电镀或是电解 电镀。在前述的制造方法中，该电镀层是可选自于锡、锡-铅、锡-铋的其 中之一。借由上述技术方案，本发明冲裁式无外引脚封装构造及其制造方法至 少具有下列优点1、 本发明的沖裁式无外引脚封装构造的制造方法，可以解决现有习知 单程沖裁的制程中会引起冲裁式无外引脚封装构造的引脚剥离、掉落与毛 边等问题，而能够提升制程的优良率，更可增加引脚的电镀面积，从而更 加适于实用。2、 本发明的沖裁式无外引脚封装构造，可以增加电镀层在引脚的切面 面积，以防止不当的锈化，更可解决引脚切面毛边的问题，从而更加适于实用。综上所述，本发明是有关于一种冲裁式无外引脚封装构造及其制造方 法。该冲裁式无外引脚封装构造的制造方法，基本上是在一导线架上设置 复数个晶片、电性连接并形成复数个封胶体。之后，在电镀步骤之前先进行 一半沖裁步骤，沿着该些封胶体的外周缘形成复数个半凹缺口于该导线架 的复数个引脚。再将一电镀层形成于该些半凹缺口内。最后进行一全沖裁 步骤，沿着该些半凹缺口切断该些引脚，而使该些封胶体分离。藉由电镀 前的半冲裁步骤可以解决在全冲裁步骤中造成引脚的剥离、掉落与毛边问 题，并可增加引脚的电镀面积。本发明具有上迷诸多优点及实用价值，其不论在制造方法、产品结构或功能上皆有较大的改进，在技术上有显著的进 步，并产生了好用及实用的效果，且较现有的冲裁式无外引脚封装构造及其制造方法具有增进的突出功效，从而更加适于实用，并具有产业的广泛利 用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的 技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和 其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附 图，详细说明如下。
图l是现有习知冲裁式无外引脚封装构造在沖裁单离时的截面示意图。图2是现有习知沖裁式无外引脚封装构造的截面示意图。图3A至3G是依据本发明的第一具体实施例，一种冲裁式无外引脚封装 构造在制造过程中的截面示意图。图4是依据本发明的第一具体实施例，使用于该冲裁式无外引脚封装构 造的导线架的俯视示意图。图5是依据本发明的第一具体实施例，该沖裁式无外引脚封装构造的截 面示意图。图6是依据本发明的第 一具体实施例，该沖裁式无外引脚封装构造的側 面示意图。图7A至7C是依据本发明的第二具体实施例，另一种沖裁式无外引脚封 装构造在制造过程的两沖裁步骤中的截面示意图。11:载台12:沖裁刀21:载台22:冲裁刀31:载台32:沖裁刀41:载台42:冲裁刀51:载台52:沖裁刀100:沖裁式无外引脚封装构造110:导线架111:引脚120:晶片121:焊线130:封胶体140:电镀层200:冲裁式无外引脚封装构造210:导线架21 OA:载体单元211:引脚211A:上表面2UB:下表面211C:半凹缺口211D:第一切面211E:第二切面212:堵住杆213:晶片承座220:晶片221:焊线230:封胶体231:外周缘240:电镀层310:导线架311:引脚311A:上表面311B:下表面311C:半凹缺口312:堵住杆320:晶片321:焊线330:封胶体331:外周缘340:电镀层具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功 效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的冲裁式无外引脚封装 构造及其制造方法其具体实施方式
、方法、步骤、结构、特征及其功效，详 细i兌明如后。在本发明的第一具体实施例中，请参阅图3A至3G所示，是依据本发 明的第 一具体实施例， 一种冲裁式无外引脚封装构造在制造过程中的截面示意图，揭示了一种冲裁式无外引脚封装构造的制造方法。图4是使用于 该沖裁式无外引脚封装构造的导线架的俯视示意图，为制程中使用的一导 线架的顶面示意图。首先，请参阅图3A及图4所示，提供一导线架210，该导线架210具有 复数个栽体单元210A,每一栽体单元210A内形成设有复数个引脚211，且 在相邻的栽体单元210A之间形成设有一堵住杆212 (dam bar)，以连接该些 引脚211。在本实施例中，每一载体单元210A内可另形成设有至少一晶片 承座213。通常该导线架210是为全金属材质，并具有大约0.2毫米(mm)的 厚度。但是该些引脚211不具有现有习知产品可形成I、 J或海鸥形外引脚 的长度。每一引脚211具有一上表面211A与一下表面211B。请参阅图3B所示，设置复数个晶片220至该导线架210,可利用已知 的粘晶技术将该些晶片220的一表面粘贴至该导线架210的该些晶片承座 213。此外，在不同类型的导线架中，其引脚亦可供粘晶之用。为使该些晶片220可电性连接至该些引脚211。请参阅图3C所示，利用 打线技术形成复数个焊线221,该些晶片220是藉由该些焊线221以电性连 接至该些引脚211的上表面211A。此外，亦可利用内引脚接合与覆晶接合 等技术达到晶片220与导线架210的电性互连。之后，请参阅图3D所示，可利用压模、印刷或点胶方式形成复数个封 胶体230于对应的该些载体单元210A，以结合该些引脚211但显露该些堵 住杆212。换言之，每一栽体单元210A皆可对应到一个封胶体230。在本实施例中，该些封胶体230是为压模形成，通常该些封胶体230是为绝缘 材料，包含可固化树脂、无机填充剂、固化促进剂与色料等等。每一封胶 体230除了密封对应载体单元210A上的晶片220，更密封该些引脚211的 大部分的上表面211A。但在本实施例中，该导线架210的堵住杆212、引 脚211的下表面211B、晶片承座213的下表面以及引脚211的些许上表面 211A是不#:该些封胶体230所覆盖。请参阅图3E所示，在该些封胶体230形成之后，方进行一半冲裁的步 骤。将该导线架210固定在一冲裁设备的载台21上。利用复数个沖裁刀22 沿着该些封胶体230的外周缘231形成复数个半凹缺口 211C于该些引脚 211,值得注意的是，在半沖裁步骤后所形成的该半凹缺口 211C，其形状并 不限定，可以是凹型或者是U型等其他几何形状。在本实施例中，该些半 凹缺口 211C是形成于该些引脚211的上表面211A。该些半凹缺口 211C的 深度约为该些引脚211的厚度三分之一至二分之一。即是在半沖裁步骤中 不可切断该些引脚211，以利于电镀。请参阅图3F所示，进行一电镀步骤，其是形成一电镀层240于该些引 脚211包含该些半凹缺口 211C的外露表面。其中，在本实施例中，该些引 脚211可供电镀层240形成的外露表面是包含上述显露在该些封胶体230 之外的堵住杆212、引脚211的下表面211B、晶片承座213的下表面以及 引脚211的些许上表面211A及半凹缺口 211C。此外，该电镀步骤是可为化 学电镀或是电解电镀等其他方式。而该电镀层240的材质是可以为选自于 锡、锡-铅、锡-铋的其中之一。最后，请参阅图3G所示，进行一全冲裁步骤，经过封胶与电镀的导线 架210是固定在另一冲裁设备的栽台31上，该载台31具有冲切槽道以提 供冲裁刀32的全沖裁行程。并利用该些冲裁刀32沿着该些半凹缺口 211C 切断该些引脚211，而分离成个别的封胶体230。在本实施例中，该些引脚 211是被该些封胶体230结合而与该些堵住杆212分离。本发明并不局限冲 裁设备的种类，在半冲裁步骤与全冲裁步骤中使用的冲裁设备可为相同或 不相同。请参阅图5所示，是依据本发明的第一具体实施例，该冲裁式无外引 脚封装构造的截面示意图。藉由该全沖裁步骤可得到复数个冲裁式无外引 脚封装构造200,利用上述半冲裁步骤实施在封胶步骤与电镀步骤之间并在 全冲裁步骤之前，以降低全沖裁步骤时对引脚211和封胶体230结合处所 造成破坏性的沖切应力。故能够防止该些引脚211由与封胶体230结合界 面产生裂缝，不会有现有技术因一次全冲裁造成引脚剥离与引脚掉落的问 题,并进一步解决了产生引脚毛边的问题。并且，请参阅图6所示，是依据本发明的第一具体实施例，该沖裁式无外引脚封装构造的侧面示意图。原在半凹缺口 211C内的电镀层240可以 增加产品中引脚211冲切侧缘的电镀面积，而可减少该些引脚211的锈化 以及能够增加上板时对焊球或锡膏的接合能力。因此，在本发明的第一具体实施例中另揭示了上述包含两段式冲裁方 式制成的冲裁式无外引脚封装构造。请参阅图5及图6所示，该冲裁式无 外引脚封装构造200，其主要包含一导线架210的复数个引脚211、 一晶片 220、 一封月交体230以及一电镀层240。该每一引脚211，显露于封胶体外的外端是具有以两段式冲裁形成的一 第一切面211D与一第二切面211E,其中该第一切面211D是由前述半冲裁 步骤形成的半凹缺口 211C的一侧壁所构成(如图犯所示)，且被该电镀层 240所覆盖(如图3F所示)。该第二切面211E是为由前述全沖裁步骤所形成 的引脚外露端面。在本实施例中，该些引脚211的第一切面211D是与对应 引脚211的上表面211A相连接。在不同实施例中，该些引脚211的第一切 面211D亦可与对应引脚211的下表面相连接。该晶片220,是设置于该导线架210的晶片承座213，并以形成复数个 焊线221的打线技术或是覆晶接合方式使该晶片220与该些引脚211电性 连接。该封胶体230，是形成于该导线架210上并与该些引脚211结合。较佳 地，该些引脚211亦可具有一稍突出于该封胶体230侧边的上表面211A以 及下表面211B。该电镀层240，是至少形成于该些引脚211的该些第一切面211D，更可 形成在该些稍突出于该封胶体230侧边的引脚211的上表面211A与引脚下 表面211B以及该晶片承座213的下表面。请参阅图7A至7C所示，是依据本发明的第二具体实施例，另一种冲 裁式无外引脚封装构造在制造过程的两沖裁步骤中的截面示意图。在本发 明的第二具体实施例中，揭示了另 一种沖裁式无外引脚封装构造的制造方 法。在半冲裁步骤之前的封装步骤，如导线架提供、粘晶与封胶等等，其是 大致与第一具体实施例相同，故此不再赘述。之后，进行一半沖裁步骤。请参阅图7A所示，在半冲裁步骤之前，复 数个晶片320已设置于一导线架310，并以复数个焊线321电性连接至该导 线架310的复数个引脚311。 一封胶体330是形成于该导线架310的对应载 体单元，以结合该些引脚311但显露该导线架310的复数个堵住杆312。在 半沖裁步骤中，该导线架310是可反向固定于一沖裁设备的栽台41，并利 用复数个沖裁刀42沿着该些封胶体330的外周缘331形成复数个半凹缺口 311C于该些引脚311。在本实施例中，该导线架310是反向设置于该栽台 41，而该些半凹缺口 311C是形成于该些引脚311的下表面311B。请参阅图7B所示，在半冲裁之后进行一电镀步骤，其是形成一电镀层 340于该些引脚311包含该些半凹缺口 311C的外露表面，即该些引脚311 的部分上表面311A、下表面311B以及该些半凹缺口 311C。请参阅图7C所示，进行一全沖裁步骤，该导线架310可改为正向放置 于一冲裁设备的载台51，并利用复数个冲裁刀52沿着该些半凹缺口 311C 切断该些引脚311，而分离成个别的封胶体330。因此，本发明的半凹缺口 无论是形成在引脚的上表面或下表面，皆能解决现有习知单程冲裁的制程 中引起冲裁式无外引脚封装构造的引脚剥离、掉落与毛边等问题，藉以提 升制程优良率，更可增加引脚的电镀面积。以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式 上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发 明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利 用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但 凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所 作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
权利要求
1. 一种冲裁式无外引脚封装构造的制造方法，其特征在于其包括以下步骤提供一导线架，其具有复数个载体单元，每一载体单元内形成有复数个引脚；设置复数个晶片至该导线架，并使该些晶片电性连接至该些引脚；形成复数个封胶体于该些载体单元，以结合该些引脚；进行一半冲裁步骤，沿着该些封胶体的外周缘形成复数个半凹缺口于该些引脚；进行一电镀步骤，形成一电镀层于该些引脚包含该些半凹缺口的外露表面；以及进行一全冲裁步骤，沿着该些半凹缺口切断该些引脚，而分离成个别的封胶体。
2、 根据权利要求1所述的冲裁式无外引脚封装构造的制造方法，其特 征在于在相邻栽体单元之间形成有一堵住杆，该些封胶体在形成时是显露 该些堵住杆。
3、 根据权利要求1所述的冲裁式无外引脚封装构造的制造方法，其特 征在于其中所述的该些半凹缺口是形成于该些引脚的上表面。
4、 根据权利要求1所述的冲裁式无外引脚封装构造的制造方法，其特 征在于其中所述的该些半凹缺口是形成于该些引脚的下表面。
5、 根据权利要求1所述的冲裁式无外引脚封装构造的制造方法，其特 征在于其中所述的该些晶片是藉由复数个焊线以电性连接至该些引脚。
6、 根据权利要求1所述的冲裁式无外引脚封装构造的制造方法，其特 征在于其中所述的该些半凹缺口的深度约为该些引脚的厚度三分之一至二 分之一。
7、 根据权利要求1所述的冲裁式无外引脚封装构造的制造方法，其特 征在于其中所述的电镀步骤是为化学电镀或是电解电镀。
8、 根据权利要求1所述的冲裁式无外引脚封装构造的制造方法,其特 征在于其中所述的电镀层是选自于锡、锡-铅、锡-铋的其中之一。
9、 一种沖裁式无外引脚封装构造，其特征在于其包含 一导线架的复数个引脚，每一引脚的外端具有以两段式冲裁形成的一第一切面与一第二切面；一晶片，其设置于该导线架并与该些引脚电性连接； 一封爿史体，其形成于该导线架上并与该些引脚结合；以及 一电镀层，其至少形成于该些引脚的该些第一切面。
10、 根据权利要求9所述的冲裁式无外引脚封装构造，其特征在于其中 所述的该些第一切面是与对应引脚的下表面相连接。
11、 根据权利要求9所述的冲裁式无外引脚封装构造，其特征在于其中 所述的该些第一切面是与对应引脚的上表面相连接。
12、 根据权利要求9所述的冲裁式无外引脚封装构造，其特征在于其中 所述的每一 引脚具有一稍突出于该封胶体侧边的上表面。
13、 根据权利要求12所述的冲裁式无外引脚封装构造，其特征在于其 中所述的电镀层亦形成于该些引脚的突出上表面。
14、 根据权利要求9所述的冲裁式无外引脚封装构造，其特征在于其中 所述的晶片是以打线或是覆晶接合方式电性连接至该些引脚。
15、 根据权利要求9所述的冲裁式无外引脚封装构造，其特征在于其中 所述的导线架具有一晶片承座，以供该晶片的设置。
16、 根据权利要求15所述的冲裁式无外引脚封装构造,其特征在于其 中所述的电镀层是形成于该晶片承座的下表面。
17、 一种沖裁式无外引脚封装构造，其特征在于其是由如权利要求1所 述的> 造。
全文摘要
本发明是有关于一种冲裁式无外引脚封装构造及其制造方法。冲裁式无外引脚封装构造的制造方法，包括以下步骤提供一导线架，具有复数载体单元，每一载体单元内形成有复数引脚；设置复数个晶片至导线架，并使该些晶片电性连接至该些引脚；形成复数个封胶体于该些载体单元，以结合该些引脚；进行一半冲裁步骤，沿着该些封胶体外周缘形成复数半凹缺口于该些引脚；进行一电镀步骤，形成一电镀层于该些引脚包含该些半凹缺口的外露表面；以及进行一全冲裁步骤，沿着该些半凹缺口切断该些引脚，而分离成个别的封胶体。本发明可解决现有单程冲裁制程中会引起冲裁式无外引脚封装构造的引脚剥离、掉落与毛边等问题，而能提升制程优良率，更可增加引脚电镀面积，非常适于实用。
文档编号H01L21/60GK101226890SQ20071000363
公开日2008年7月23日 申请日期2007年1月18日 优先权日2007年1月18日
发明者林鸿村 申请人:南茂科技股份有限公司