通过预形成的金属引脚的封装的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明总体涉及半导体工艺，更具体地，涉及通过预形成的金属引脚的封装。
【背景技术】
[0002]随着半导体技术的发展，半导体芯片/管芯正变得越来越小。与此同时，更多的功能需要集成到半导体管芯内。因此，半导体管芯需要将越来越多的I/o焊盘封装到更小的区域内，并且随着时间推移，快速地提升I/o焊盘的密度。因此，半导体管芯的封装变得更加困难，其对封装的产率有不利影响。
[0003]I/O焊盘密度的增大导致I/O焊盘的间距减小。因此，用于接合工艺的相邻放置的焊料区域更可能桥接。
【发明内容】
[0004]为解决现有技术中存在的问题，本发明提供了一种封装件，包括:第一封装组件，包括:第一电连接件，位于所述第一封装组件的表面处；及第一焊料区域，位于所述第一电连接件的表面上；第二封装组件；包括:第二电连接件，位于所述第二封装组件的表面处；及第二焊料区域，位于所述第二电连接件的表面上；以及金属引脚，包括:第一末端，接合至所述第一焊料区域；及第二末端，接合至所述第二焊料区域。
[0005]在上述封装件中，其中，所述金属引脚、所述第一电连接件和所述第二电连接件是分立部分。
[0006]在上述封装件中，其中，整个所述金属弓I脚具有均匀的尺寸。
[0007]在上述封装件中，其中，所述金属弓I脚的截面形状包括T形。
[0008]在上述封装件中，其中，所述金属引脚的截面形状包括I形。
[0009]在上述封装件中，其中，通过所述第一焊料区域的一部分将所述金属引脚的所述第一末端与所述第一电连接件物理间隔开。
[0010]在上述封装件中，其中，所述金属引脚的所述第一末端与所述第一电连接件物理接触。
[0011]根据本发明的另一个方面，提供了一种封装件，包括:第一封装组件，包括:第一金属焊盘，位于所述第一封装组件的表面处；及第一焊料区域，位于所述第一金属焊盘的表面上；第二封装组件，位于所述第一封装组件上方且接合至所述第一封装组件，其中，所述第二封装组件包括:第二金属焊盘，位于所述第二封装组件的表面处；及第二焊料区域，位于所述第二金属焊盘的表面上；以及金属引脚，包括:第一末端，接合至所述第一焊料区域且由所述第一焊料区域环绕；第二末端，接合至所述第二焊料区域且由所述第二焊料区域环绕；以及中间部分，位于所述第一焊料区域和所述第二焊料区域之间的间隔中。
[0012]在上述封装件中，其中，所述第一焊料区域具有顶面，并且其中，所述顶面包括:内部，形成环绕所述金属引脚的环形件，其中，所述内部是非平坦的；以及外部，形成环绕所述内部的环形件，其中，所述外部是平坦的，且与所述第二封装组件的主要顶面平行。
[0013]在上述封装件中，其中，通过所述第一焊料区域的一部分将所述金属引脚的所述第一末端与所述第一金属焊盘物理间隔开。
[0014]在上述封装件中，其中，通过所述第一焊料区域的一部分将所述金属引脚的所述第一末端与所述第一金属焊盘物理间隔开；通过所述第二焊料区域的一部分将所述金属引脚的所述第二末端与所述第二金属焊盘物理间隔开。
[0015]在上述封装件中，其中，所述第一焊料区域具有向内弯曲的顶面。
[0016]在上述封装件中，还包括介电薄膜，所述介电薄膜包括基本上平坦的顶面和基本上平坦的底面，所述金属引脚穿透所述介电薄膜，其中，所述基本上平坦的顶面水平于或者低于所述第二焊料区域的底端，并且所述基本上平坦的底面水平于或者高于所述第一焊料区域的顶端。
[0017]在上述封装件中，其中，所述金属引脚的所述第一末端具有第一横向尺寸，并且所述金属引脚的所述中间部分具有第二横向尺寸，所述第二横向尺寸小于所述第一横向尺寸。
[0018]根据本发明的又一个方面，提供了一种方法，包括:加热金属引脚和第一焊料区域中的一个，其中，所述第一焊料区域设置在第一封装组件的表面处；将所述金属引脚的第一末端插入到所述第一焊料区域的第一熔融部分内；固化所述第一焊料区域的所述第一熔融部分以将所述金属引脚接合至所述第一焊料区域；加热所述金属引脚和第二焊料区域中的一个，其中，所述第二焊料区域设置在第二封装组件的表面处；将所述金属引脚的第二末端插入到所述第二焊料区域的第二熔融部分；以及固化所述第二焊料区域的所述第二熔融部分以将所述金属引脚接合至所述第二焊料区域。
[0019]在上述方法中，其中，加热所述金属弓I脚和所述第一焊料区域中的一个包括加热所述金属引脚。
[0020]在上述方法中，其中，加热所述金属引脚和所述第一焊料区域中的一个包括加热所述第一焊料区域。
[0021]在上述方法中，其中，同时实施将所述金属引脚的所述第一末端插入到所述第一焊料区域的所述第一熔融部分内以及将所述金属引脚的所述第二末端插入到所述第二焊料区域的所述第二熔融部分内。
[0022]在上述方法中，还包括:将包括所述金属引脚的多个金属引脚倾倒在模具上方，其中，所述模具包括多个孔洞；振动所述模具和所述多个金属引脚，其中，将所述金属引脚振动到所述孔洞的其中一个中；以及设置介电薄膜，其中，所述金属引脚穿透所述介电薄膜，并且其中，所述金属弓I脚的相对两端伸出在所述介电薄膜外。
[0023]在上述方法中，还包括:将包括所述金属引脚的多个金属引脚倾倒在模具上方，其中，所述模具包括多个孔洞；振动所述模具和所述多个金属引脚，其中，将所述金属引脚振动到所述孔洞的其中一个中；以及设置介电薄膜，其中，所述金属引脚穿透所述介电薄膜，并且其中，所述金属引脚的相对两端伸出在所述介电薄膜外；在所述金属引脚接合至所述第一焊料区域和所述第二焊料区域之后，将所述介电薄膜保留在封装件中。
【附图说明】
[0024]为了更完全地理解实施例及其优点，现将结合附图进行的以下描述作为参考，其中:
[0025]图1示出了根据一些示例性实施例的封装件的截面图，其中，两个封装组件通过金属引脚接合；
[0026]图2A至图2J是根据一些示例性实施例的各种接合结构的截面图；
[0027]图3A至图4B示出了根据各个示例性实施例的将金属引脚接合至第一封装组件的中间阶段的截面图；
[0028]图5A至图SB示出了根据各个示例性实施例的将第一封装组件接合至第二封装组件的中间阶段的截面图，其中，金属引脚附接在第一封装组件上；以及
[0029]图9A至图9E是根据一些示例性实施例的在封装件的制造中的中间阶段的截面图，其中，金属引脚同时接合至第一封装组件和第二封装组件。
【具体实施方式】
[0030]下面详细论述了本发明的实施例的制造和使用。然而，应该理解，实施例提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的概念。所论述的具体实施例仅仅是说明性的，而不用于限制本发明的范围。
[0031]根据各个示例性实施例，本