高电压竖直功率部件的制作方法

技术总结
本发明公开了一种竖直功率部件，包括：第一传导类型的硅衬底；在衬底的支撑单个电极的下表面侧上的第二传导类型的下层；和在衬底的支撑传导电极和栅极电极的上表面侧上的第二传导类型的上区域，其中，部件外围包括：在下表面侧上，穿入衬底向下至比下层的深度的大深度的多孔硅绝缘环。

技术研发人员：S·梅纳德;G·高蒂尔
受保护的技术使用者：意法半导体(图尔)公司;法国国立图尔大学
技术研发日：2013.05.29
技术公布日：2018.06.01