技术特征：
技术总结
本申请提供了一种量子点器件及其制作方法。该制作方法包括：提供基底；刻蚀去除部分基底，形成衬底以及位于衬底表面上的鳍片，鳍片包括预源区、间隔区以及预漏区；在衬底和鳍片的裸露表面上形成隔离介质层，埋设在隔离介质层中的部分鳍片形成隔离绝缘部；在间隔区的部分表面上且跨越鳍片形成两个间隔的栅介质部和两个间隔的栅极；对预源区与预漏区进行掺杂，分别形成源区与漏区；在源区以及漏区的裸露表面上分别形成源/漏接触电极。该制作方法中，直接刻蚀基底形成鳍片，该鳍片中的隔离绝缘部为隔离沟道，使得导电沟道中更易形成全耗尽沟道，避免了SOI中的埋氧化层在硅片制造工艺易引入电荷缺陷，影响全耗尽沟道的形成。
技术研发人员：殷华湘;顾杰;张青竹;许高博;吴振华
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2018.02.09
技术公布日：2018.08.17