1.一种具有阵列式静电防护结构的LDMOS器件，其结构包括：P+衬底层、P-外延层、P+注入层、P阱区、漂移区、栅下氧化层、栅极电极、源极电极、源场板氧化层、漏极电极、背面金属以及源极深槽互连金属；所述P-外延层生长在P+衬底层上；所述P+注入层生长于P-外延层一侧，穿过P-外延层并沉入P+衬底层内；所述P阱区生长在P-外延层上，一端与P+注入层接触；所述漂移区分布于P阱区两侧，包括轻掺杂漂移区和重掺杂漂移区，靠近栅极电极侧和源场板氧化层侧为轻掺杂漂移区，靠近源极电极和漏极电极为重掺杂漂移区；所述栅极电极设置于P阱区上，与P阱区形成沟道区；所述源极电极设置于P+注入层上并以场板的形式延伸至P阱区一侧的漂移区上方；栅极电极与P阱区之间还设有栅下氧化层，所述栅极电极与P阱区之间由栅下氧化层共同形成MOS结构；所述漏极电极设置于P-外延层上并延伸至P阱区一侧的漂移区上方；所述源极电极设置于P+注入层上并延伸至P阱区另一侧的漂移区上方；其特征在于：还包括源极场板阵列，所述源极场板阵列包括多个平行且等长等宽的源场板，源场板在垂直于栅极电极的方向设置，每个源场板一端与源极电极连接，另一端跨过栅极电极连接到源场板氧化层；所述背面金属设置于P+衬底层背面，源极电极通过源极深槽互连金属与背面金属连接；所述源极场板阵列与P阱区之间由源场板氧化层共同形成MOS结构。
2.根据权利要求1所述的具有阵列式静电防护结构的LDMOS器件，其特征在于：所述漂移区包括第一重掺杂N+漂移区、第一轻掺杂N-漂移区、第二轻掺杂N-漂移区、第三轻掺杂N-漂移区、第二重掺杂N+漂移区，所述第一重掺杂N+漂移区一端伸入P+注入层内，另一端伸入P阱区，第一轻掺杂N-漂移区一端与第一重掺杂N+漂移区相接，另一端伸入P阱区，所述第二轻掺杂N-漂移区、第三轻掺杂N-漂移区、第二重掺杂N+漂移区依次排列在P阱区的另一侧，其中P阱区横贯第一轻掺杂N-漂移区、第二轻掺杂N-漂移区和第三轻掺杂N-漂移区之间的沟道区域。
3.根据权利要求1所述的具有阵列式静电防护结构的LDMOS器件，其特征在于：所述的轻掺杂N-漂移区有三个，其中第一和第二轻掺杂N-漂移区分布在栅氧化层下沟道两侧，第二和第三轻掺杂N-漂移区分布在源场板氧化层沟道两侧。
4.根据权利要求2所述的具有阵列式静电防护结构的LDMOS器件，其特征在于：所述源极电极延伸至第一重掺杂N+漂移区上方，漏极电极延伸至第二重掺杂N+漂移区上方，源场板另一端跨过栅极电极连接到第二轻掺杂N-漂移区与第三轻掺杂N-漂移区之间的源场板氧化层上。